Member
Bookmark
Field effect devices
Surface cleaning, etching, pa...
III-V semiconductors
III-V and II-VI semiconductors
Kinetics of defect formation ...
Etching and cleaning
Defects and impurities: dopin...
Junction diodes
Metal-nonmetal contacts
Electrical and magnetic prope...
Contact resistance, contact p...
Molecular, atomic, ion, and c...
Surface treatments
Plasma-based ion implantation...
Ion radiation effects
Chemical vapor deposition
Magnetic semiconductors
1.
Kim H.-Y.; Lo C. F.; Liu L.; Ren F.; Kim J.; Pearton S. J.
Proton-irradiated InAlN/GaN high electron mobility transistors at 5, 10, and 15 MeV energies
2.
Cho Hyun; Douglas E. A.; Gila B. P.; Craciun V.; Lambers E. S.; Ren Fan; Pearton S. J.
Band offsets in HfO2/InGaZnO4 heterojunctions
3.
Lo Chien-Fong; Liu L.; Kang T. S.; Ren Fan; Laboutin O.; Cao Y.; Johnson J. W.; Polyakov Alexander Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Belogorokhov I. A.; Belogorokhov A. I.; Pearton S. J.
Effect of buffer layer structure on electrical and structural properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Flash Player Required
4.
Kang T. S.; Wang X. T.; Lo C. F.; Ren F.; Pearton S. J.; Laboutin O.; Cao Yu; Johnson J. W.; Kim Jihyun
Simulation and experimental study of ArF 193 nm laser lift-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors
5.
Chen C. W.; Hung S. C.; Yang M. D.; Yeh C. W.; Wu C. H.; Chi G. C.; Ren F.; Pearton S. J.
Oxygen sensors made by monolayer graphene under room temperature
6.
Liu L.; Ren F.; Pearton S. J.; Fitch R. C.; Walker D. E.; Chabak K. D.; Gillespie J. K.; Kossler M.; Trejo M.; Via David; Crespo A.
Investigating the effect of off-state stress on trap densities in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
7.
Polyakov A. Y.; Jang Lee-Woon; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Yugova T. G.; Reznik V. Y.; Pearton S. J.; Hyeon Kwang; Hwang Sung-Min; Jung Sukkoo; Lee In-Hwan
Characteristics of a-GaN films and a-AlGaN/GaN heterojunctions prepared on r-sapphire by two-stage growth process
8.
Fitch R. C.; Walker D. E.; Chabak K. D.; Gillespie J. K.; Kossler M.; Trejo M.; Crespo A.; Liu L.; Kang T. S.; Lo C.-F.; Ren F.; Cheney D. J.; Pearton S. J.
Comparison of passivation layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
9.
Lee Chongmin; Kim Byung-Jae; Ren Fan; Pearton S. J.; Kim Jihyun
Large-area suspended graphene on GaN nanopillars
10.
Lo C. F.; Liu L.; Ren F.; Kim H.-Y.; Kim J.; Pearton S. J.; Laboutin O.; Cao Yu; Johnson J. W.; Kravchenko I. I.
Effects of proton irradiation on dc characteristics of InAlN/GaN high electron mobility transistors
11.
Douglas E. A.; Pearton S. J.; Poling B.; Via G. D.; Liu L.; Ren F.
Effect of Drain Bias on Degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under X-Band Operation
12.
Cho Hyun; Douglas E. A.; Scheurmann A.; Gila B. P.; Craciun V.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Ren F.
Al2O3/InGaZnO4 Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
13.
Lo Chien-Fong; Chu B. H.; Pearton S. J.; Dabiran A.; Chow P. P.; Doré S.; Hung S. C.; Chen C. W.; Ren F.
Effect of temperature on CO detection sensitivity of ZnO nanorod-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
14.
Lee In-Hwan; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Kolin N. G.; Boiko V. M.; Korulin A. V.; Pearton S. J.
Carrier Removal Rates and Deep Traps in Neutron Irradiated n-GaN Films
15.
Douglas E. A.; Scheurmann A.; Davies R. P.; Gila B. P.; Cho Hyun; Craciun V.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Ren F.
Erratum: “Measurement of SiO2/InZnGaO4 heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy” [Appl. Phys. Lett. 98, 242110 (2011)]
16.
Liu Lu; Lo Chien-Fong; Kang Tsung-Sheng; Ren Fan; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.; Laboutin O.; Cao Yu; Johnson Wayne J.
Comparison of DC performance of Pt/Ti/Au- and Ni/Au-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
17.
Lo C. F.; Ren Fan; Pearton S. J.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Belogorokhov I. A.; Belogorokhov A. I.; Reznik V. Y.; Johnson J. W.
Deep traps and thermal measurements on AlGaN/GaN on Si transistors
18.
Kang T. S.; Lo C. F.; Liu L.; Finch R.; Ren F.; Wang X. T.; Douglas E.; Pearton S. J.; Hung S. T.; Chang C.-J.
Thermal simulation of laser lift-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors mounted on AlN substrates
19.
Deep electron and hole traps in neutron transmutation doped n-GaN
20.
Chu Byung Hwan; Nicolosi Justin; Lo C. F.; Strupinski W.; Pearton S. J.; Ren F.
Effect of Coated Platinum Thickness on Hydrogen Detection Sensitivity of Graphene-Based Sensors
21.
Polyakov A. Y.; Lee In-Hwan; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Kolin N. G.; Korulin A. V.; Boiko V. M.; Pearton S. J.
10 MeV electrons irradiation effects in variously doped n-GaN
22.
Johnson Jason L.; Behnam Ashkan; An Yanbin; Pearton S. J.; Ural Ant
Experimental study of graphitic nanoribbon films for ammonia sensing
23.
Polyakov A. Y.; Lee I.-H.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Pearton S. J.
Comparison of hole traps in n-GaN grown by hydride vapor phase epitaxy, metal organic chemical vapor deposition, and epitaxial lateral overgrowth
24.
Measurement of SiO2/InZnGaO4 heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
25.
Lo Chien-Fong; Liu Lu; Kang Tsung-Sheng; Davies Ryan; Gila Brent P.; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.; Laboutin O.; Cao Yu; Johnson Wayne J.; Ren Fan
Improvement of Off-State Stress Critical Voltage by Using Pt-Gated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
26.
Hung S. C.; Chen C. W.; Shieh C. Y.; Chi G. C.; Fan R.; Pearton S. J.
High sensitivity carbon monoxide sensors made by zinc oxide modified gated GaN/AlGaN high electron mobility transistors under room temperature
27.
Lee In-Hwan; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Yakimov E. B.; Kolin N. G.; Boiko V. M.; Korulin A. V.; Pearton S. J.
Neutron doping effects in epitaxially laterally overgrown n-GaN
28.
Lo Chien-Fong; Kang T. S.; Liu L.; Ren F.; Pearton S. J.; Kim Jinhyung; Jang S.; Laboutin O.; Cao Y.; Johnson J. W.
Effects of silicon nitride passivation on isolation-blocking voltage in algan/gan high electron mobility transistors
29.
Lo C. F.; Ren F.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Chen S.-H.; Chang C.-M.; Wang S.-Y.; Chyi J.-I.; Kravchenko I. I.
Fabrication of InAlAs/InGaAsSb/InGaAs double heterojunction bipolar transistors
30.
Liu Lu; Kang Tsung Sheng; Cullen David A.; Zhou Lin; Kim Jinhyung; Chang Chih-Yang; Douglas Erica A.; Jang Soohwan; Smith David. J.; Pearton S. J.; Johnson Wayne J.; Ren Fan
Effect of source field plate on the characteristics of off-state, step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors
31.
Choi K. H.; Lee S. H.; Park J. H.; Sohn K. Y.; Lee J. W.; Pearton S. J.
Dry etching of GaAs in asymmetric bipolar pulsed dc BCl3 plasmas
32.
Lim Wantae; Jeong Jae-Hyun; Lee Heon-Bok; Lee Jae-Hoon; Hur Seung-Bae; Ryu Jong-Kyu; Kim Ki-Se; Kim Tae-Hyung; Song Sang Yeob; Hur Won-Goo; Kim Sung Tae; Pearton S. J.
Normally-Off Operation of Recessed-Gate AlGaN/GaN HFETs for High Power Applications
33.
Holzworth M. R.; Rudawski N. G.; Pearton S. J.; Jones K. S.; Lu L.; Kang T. S.; Ren F.; Johnson J. W.
Characterization of the gate oxide of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor
34.
Douglas E. A.; Ren F.; Pearton S. J.
Finite-element simulations of the effect of device design on channel temperature for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
35.
Heo Young-Woo; Cho Kwang-Min; Sun Sang-Yun; Kim Se-Yun; Lee Joon-Hyung; Kim Jeong-Joo; Norton D. P.; Pearton S. J.
Effects of channel dimensions on performance of a-InGaZnO4 thin-film transistors
36.
Lee Ki Chang; Jo Kwang-Min; Sung Sang-Yun; Lee Joon-Hyung; Kim Jeong-Joo; Jeong Byoung-Seong; Pearton S. J.; Norton D. P.; Heo Young-Woo
Low temperature processing of indium-tin-zinc oxide channel layers in fabricating thin-film transistors
37.
Lo C.-F.; Liu L.; Chang C. Y.; Ren F.; Craciun V.; Pearton S. J.; Heo Y. W.; Laboutin O.; Johnson J. W.
Annealing temperature dependence of Ohmic contact resistance and morphology on InAlN/GaN high electron mobility transistor structures
38.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Amano H.; Pearton S. J.; Lee I.-H.; Sun Q.; Han J.; Karpov S. Yu.
Role of nonradiative recombination centers and extended defects in nonpolar GaN on light emission efficiency
39.
Lo C. F.; Kang T. S.; Liu L.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.; Laboutin O.; Johnson J. W.; Ren F.
Isolation blocking voltage of nitrogen ion-implanted AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure
40.
Lim Wantae; Jeong Jae-Hyun; Lee Jae-Hoon; Hur Seung-Bae; Ryu Jong-Kyu; Kim Ki-Se; Kim Tae-Hyung; Song Sang Yeob; Yang Jong-In; Pearton S. J.
Temperature dependence of current-voltage characteristics of Ni–AlGaN/GaN Schottky diodes
41.
Sung Sang-Yun; Kim Se-Yun; Jo Kwang-Min; Lee Joon-Hyung; Kim Jeong-Joo; Kim Sang-Gon; Chai Kyoung-Hoon; Pearton S. J.; Norton D. P.; Heo Young-Woo
Fabrication of p-channel thin-film transistors using CuO active layers deposited at low temperature
42.
Zhou Lin; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Ren F.; Dabiran Amir; Smith David. J.
TiAlNiAu contacts for ultrathin AlN/GaN high electron mobility transistor structures
43.
Chang Chih-Yang; Anderson Travis; Hite Jennifer; Lu Liu; Lo Chien-Fong; Chu Byung-Hwan; Cheney D. J.; Douglas E. A.; Gila B. P.; Ren F.; Via G. D.; Whiting Patrick; Holzworth R.; Jones K. S.; Jang Soohwan; Pearton S. J.
Reverse gate bias-induced degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
44.
Polyakov A. Y.; Markov A. V.; Mezhennyi M. V.; Donskov A. A.; Malakhov S. S.; Govorkov A. V.; Kozlova Yu. P.; Pavlov V. F.; Smirnov N. B.; Yugova T. G.; Lee I.-H.; Han J.; Sun Q.; Pearton S. J.
a-plane GaN hydride vapor phase epitaxy on a-plane GaN templates with and without use of TiN intermediate layers
45.
Polyakov A. Y.; Markov A. V.; Duhnovsky M. P.; Mezhennyi M. V.; Donskov A. A.; Malakhov S. S.; Govorkov A. V.; Kozlova Yu. P.; Pavlov V. F.; Smirnov N. B.; Yugova T. G.; Belogorokhov A. I.; Belogorokhov I. A.; Ratnikova A. K.; Fyodorov Yu. Yu.; Kudryashov O. Yu.; Leontyev I. A.; Ratushnyi V. I.; Pearton S. J.
GaN epitaxial films grown by hydride vapor phase epitaxy on polycrystalline chemical vapor deposition diamond substrates using surface nanostructuring with TiN or anodic Al oxide
46.
Lo C. F.; Chang C. Y.; Chu B. H.; Kim H.-Y.; Kim J.; Cullen David A.; Zhou Lin; Smith David. J.; Pearton S. J.; Dabiran Amir; Cui B.; Chow P. P.; Jang S.; Ren F.
Proton irradiation effects on AlN/GaN high electron mobility transistors
47.
Khanna R.; Douglas E. A.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Ti/Au Ohmic contacts to indium zinc oxide thin films on paper substrates
48.
Lo C. F.; Chang C. Y.; Chu B. H.; Pearton S. J.; Dabiran A.; Chow P. P.; Ren F.
Effect of humidity on hydrogen sensitivity of Pt-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistor based sensors
49.
Davies R. P.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Stanton C. J.
Defect-enhanced ferromagnetism in Gd- and Si-coimplanted GaN
50.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.; Korulin A. V.; Pearton S. J.
Neutron transmutation doping effects in GaN
51.
Ko G.; Kim H.-Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Kim J.
Electrical Characterization of 5 MeV Proton-Irradiated Few Layer Graphene
52.
Sung Sang-Yun; Choi Jun Hyuk; Han Un Bin; Lee Ki Chang; Lee Joon-Hyung; Kim Jeong-Joo; Lim Wantae; Pearton S. J.; Norton D. P.; Heo Young-Woo
Effects of ambient atmosphere on the transfer characteristics and gate-bias stress stability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors
53.
Wang Yu-Lin; Chang C. Y.; Lim Wantae; Pearton S. J.; Norton D. P.; Chu B. H.; Lo C. F.; Ren F.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Oxygen gas sensing at low temperature using indium zinc oxide-gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
54.
Chen K. H.; Chang C. Y.; Leu L. C.; Lo C. F.; Chu B. H.; Pearton S. J.; Ren F.
Degradation of 150 nm mushroom gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors during dc stressing and thermal storage
55.
Lim Wantae; Douglas E. A.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Heo Young-Woo; Son S. Y.; Yuh J. H.
Low-voltage indium gallium zinc oxide thin film transistors on paper substrates
56.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Wowchak A. M.; Pearton S. J.
Electrical and optical properties of Fe doped AlGaN grown by molecular beam epitaxy
57.
Chu Byung Hwan; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Chow P. P.; Chang C. Y.; Kroll Kevin; Denslow Nancy; Wang Yu-Lin; Pearton S. J.; Ren Fan
Detection of an endocrine disrupter biomarker, vitellogenin, in largemouth bass serum using AlGaN/GaN high electron mobility transistors
58.
Chu Byung-Hwan; Lin Hon-Way; Gwo Shangjr; Wang Yu-Lin; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicuni K. J.; Ren Fan
Chloride ion detection by InN gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
59.
Improvement in bias stability of amorphous-InGaZnO4 thin film transistors with SiOx passivation layers
60.
Lo C. F.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Chow P. P.; Ren F.
Passivation of AlN/GaN high electron mobility transistor using ozone treatment
61.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Kozhukhova E. A.; Gazizov I. M.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.; Korulin A. V.; Zalyetin V. M.; Pearton S. J.; Lee I.-H.; Dabiran A. M.; Chow P. P.
Alpha particle detection with GaN Schottky diodes
62.
Chen K. H.; Wu Wenhsing; Chu Byung Hwan; Lo C. F.; Lin Jenshan; Wang Y. L.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Ren F.
190 nm excimer laser drilling of glass slices: Dependence of drilling rate and via hole shape on the diameter of the via hole
63.
Chang C. Y.; Wang Yu-Lin; Gila B. P.; Gerger A. P.; Pearton S. J.; Lo C. F.; Ren F.; Sun Q.; Zhang Yu; Han J.
Erratum: “Effect of gate orientation on dc characteristics of Si-doped, nonpolar AlGaN/GaN metal-oxide semiconductor high electron mobility transistors” [Appl. Phys. Lett. 95, 082110 (2009)]
64.
Chen K.-H.; Ren F.; Pais A.; Xie Huikai; Gila B. P.; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Cu-plated through-wafer vias for AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si
65.
Lim Wantae; Douglas E. A.; Lee Jaewon; Jang Junghun; Craciun V.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Shen H.; Yuh J. H.; Son S. Y.; Chang W.
Transparent dual-gate InGaZnO thin film transistors: OR gate operation
66.
Lin Y.; Flitsyian E.; Chernyak L.; Malinauskas T.; Aleksiejunas R.; Jarasiunas K.; Lim W.; Pearton S. J.; Gartsman K.
Optical and electron beam studies of carrier transport in quasibulk GaN
67.
Chang C. Y.; Wang Yu-Lin; Gila B. P.; Gerger A. P.; Pearton S. J.; Lo C. F.; Ren F.; Sun Q.; Zhang Yu.; Han J.
Effect of gate orientation on dc characteristics of Si-doped, nonpolar AlGaN/GaN metal-oxide semiconductor high electron mobility transistors
68.
Wang Yu-Lin; Ren F.; Zhang Yu; Sun Q.; Yerino C. D.; Ko T. S.; Cho Y. S.; Lee I. H.; Han J.; Pearton S. J.
Erratum: “Improved hydrogen detection sensitivity in N-polar GaN Schottky diodes” [Appl. Phys. Lett. 94, 212108 (2009)]
69.
Chang C. Y.; Pearton S. J.; Lo C. F.; Ren F.; Kravchenko I. I.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Chow P. P.
Development of enhancement mode AlN/GaN high electron mobility transistors
70.
Polyakov A. Y.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Markov A. V.; Lee In-Hwan; Ju Jin-Woo; Karpov S. Yu.; Shmidt N. M.; Pearton S. J.
Properties of undoped GaN/InGaN multi-quantum-wells and GaN/InGaN p-n junctions prepared by epitaxial lateral overgrowth
71.
Wang Yu-Lin; Chu B. H.; Chen K. H.; Chang C. Y.; Lele T. P.; Papadi G.; Coleman J. K.; Sheppard B. J.; Dungen C. F.; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.; Ren F.
Fast detection of a protozoan pathogen, Perkinsus marinus, using AlGaN/GaN high electron mobility transistors
72.
Lan Yung-Ling; Lin Hung-Cheng; Liu Hsueh-Hsing; Lee Geng-Yen; Ren Fan; Pearton Stephen J.; Chang Mao-Nan; Chyi Jen-Inn
Low-resistance smooth-surface Ti/Al/Cr/Mo/Au n-type Ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures
73.
Wang Yu-Lin; Ren F.; Zhang U.; Sun Q.; Yerino C. D.; Ko T. S.; Cho Y. S.; Lee I. H.; Han J.; Pearton S. J.
Improved hydrogen detection sensitivity in N-polar GaN Schottky diodes
74.
Jang J. H.; Son S. Y.; Lim Wantae; Phen M. S.; Siebein K.; Pearton S. J.; Craciun V.
Fabrication of compositional graded Si1-x;Gex layers by using thermal oxidation
75.
Wright J. S.; Lim Wantae; Gila B. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Lai Wei-Ta; Chen Li-Chyong; Hu Ming-Shien; Chen Kuei-Hsien
Pd-catalyzed hydrogen sensing with InN nanobelts
76.
Lugo F. J.; Kim H. S.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Gila B. P.; Norton D. P.; Wang Y. L.; Ren F.
Rectifying ZnO:Ag/;ZnO;Ga Thin-Film Junctions
77.
Kim Hong-Yeol; Ren Fan; Pearton S. J.; Kim Jihyun
Self-Annealing in Neutron-Irradiated AlGaN/;GaN High Electron Mobility Transistors
78.
Polyakov A. Y.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Markov A. V.; Lee In-Hwan; Ju Jin-Woo; Pearton S. J.
Anisotropy of In incorporation in GaN/InGaN multiquantum wells prepared by epitaxial lateral overgrowth
79.
Lee J. W.; Kim J. K.; Lee J. H.; Joo Y. W.; Park Y. H.; Noh H. S.; Pearton S. J.
Dry etching of GaAs in high pressure, capacitively coupled BCl3/;N2 plasmas
80.
Lim Wantae; Douglas E. A.; Kim S.-H.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Shen H.; Chang W. H.
High mobility InGaZnO4 thin-film transistors on paper
81.
Hung S. C.; Chou B. H.; Chang C. Y.; Lo C. F.; Chen K. H.; Wang Y. L.; Pearton S. J.; Dabiran Amir; Chow P. P.; Chi G. C.; Ren F.
Minipressure sensor using AlGaN/GaN high electron mobility transistors
82.
Polyakov A. Y.; Markov A. V.; Mezhennyi M. V.; Govorkov A. V.; Pavlov V. F.; Smirnov N. B.; Donskov A. A.; D'yakonov L. I.; Kozlova Y. P.; Malakhov S. S.; Yugova T. G.; Osinsky V. I.; Gorokh G. G.; Lyahova N. N.; Mityukhlyaev V. B.; Pearton S. J.
Nonpolar GaN grown on Si by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask
83.
Lim Wantae; Jang Jung Hun; Kim S.-H.; Norton D. P.; Craciun V.; Pearton S. J.; Ren F.; Chen H.
Interface dependent electrical properties of amorphous InGaZnO4 thin film transistors
84.
Wang Yu-Lin; Chu B. H.; Chen K. H.; Chang C. Y.; Lele T. P.; Tseng Y.; Pearton S. J.; Ramage J.; Hooten D.; Dabiran A.; Chow P. P.; Ren F.
Botulinum toxin detection using AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
85.
Low-temperature-fabricated InGaZnO4 thin film transistors on polyimide clean-room tape
86.
Chu B. H.; Leu L. C.; Chang C. Y.; Lugo F.; Norton D.; Lele T.; Keselowsky B.; Pearton S. J.; Ren F.
Conformable coating of SiO2 on hydrothermally grown ZnO nanorods
87.
Lim Wantae; Wright J. S.; Gila B. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Lai Wei-Ta; Chen Li-Chyong; Hu Ming-Shien; Chen Kuei-Hsien
Selective-hydrogen sensing at room temperature with Pt-coated InN nanobelts
88.
Donskov A. A.; D'yakonov L. I.; Govorkov A. V.; Kozlova Y. P.; Malakhov S. S.; Markov A. V.; Mezhennyi M. V.; Pavlov V. F.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Yugova T. G.; Pearton S. J.
Improved crystalline quality nonpolar a-GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
89.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Pearton S. J.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Osinsky A. V.; Chow P. P.; Kolin N. G.; Boiko V. M.; Merkurisov D. I.
Electron irradiation of AlGaN/;GaN and AlN/;GaN heterojunctions
90.
Wang Hung-Ta; Nafday Omkar A.; Haaheim Jason R.; Tevaarwerk Emma; Amro Nabil A.; Sanedrin Raymond G.; Chang Chih-Yang; Ren Fan; Pearton Stephen J.
Toward conductive traces: Dip Pen Nanolithography®; of silver nanoparticle-based inks
91.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Yugova T. G.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Osinsky A. V.; Chow P. P.; Pearton S. J.; Scherbatchev K. D.; Bublik V. T.
Electrical and structural properties of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterojunctions
92.
Hung S. C.; Wang Y. L.; Hicks B.; Pearton S. J.; Ren F.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.; Chi G. C.
Integration of Selective Area Anodized AgCl Thin Film with AlGaN/GaN HEMTs for Chloride Ion Detection
93.
Lim Wantae; Jang Jung Hun; Kim S.-H.; Norton D. P.; Craciun V; Pearton S. J.; Ren F.; Shen H.
High performance indium gallium zinc oxide thin film transistors fabricated on polyethylene terephthalate substrates
94.
Lim Wantae; Wright J. S.; Gila B. P.; Johnson Jason L.; Ural Ant; Anderson Travis; Ren F.; Pearton S. J.
Room temperature hydrogen detection using Pd-coated GaN nanowires
95.
Kang B. S.; Wang H. T.; Ren F.; Pearton S. J.
Electrical detection of biomaterials using AlGaN/GaN high electron mobility transistors
96.
Chu B. H.; Kang B. S.; Ren F.; Chang C. Y.; Wang Y. L.; Pearton S. J.; Glushakov A. V.; Dennis D. M.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Enzyme-based lactic acid detection using AlGaN/;GaN high electron mobility transistors with ZnO nanorods grown on the gate region
97.
Kim Hong-Yeol; Ren Fan; Anderson Travis J.; Kim Kye Ryung; Yun Sang Pil; Kim Jihyun; Pearton S. J.
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Irradiated with 17 MeV Protons
98.
Buyanova I. A.; Wang X. J.; Pozina G.; Chen W. M.; Lim W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.; Hertog B.
Effects of hydrogen on the optical properties of ZnCdO/;ZnO quantum wells grown by molecular beam epitaxy
99.
Chang C. Y.; Kang B. S.; Wang H. T.; Ren F.; Wang Y. L.; Pearton S. J.; Dennis D. M.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Johnson J. W.; Linthicum K. J.
CO2 detection using polyethylenimine/starch functionalized AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
100.
Lim Wantae; Ren F.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Lee J. W.; Wang Yu-Lin; Kim SeonHoo; Kravchenko I. I.
High-Performance Indium Gallium Zinc Oxide Transparent Thin-Film Transistors Fabricated by Radio-Frequency Sputtering
101.
Tsao F. C.; Chen J. Y.; Kuo C. H.; Chi G. C.; Pan C. J.; Huang P. J.; Tun C. J.; Pong B. J.; Hsueh T. H.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Ren F.
Residual strain in ZnO nanowires grown by catalyst-free chemical vapor deposition on GaN/sapphire (0001)
102.
Hung S. C.; Wang Y. L.; Hicks B.; Pearton S. J.; Dennis D. M.; Ren F.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.; Chi G. C.
Detection of chloride ions using an integrated Ag/;AgCl electrode with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
103.
Chen K. H.; Kang B. S.; Wang H. T.; Lele T. P.; Ren F.; Wang Y. L.; Chang C. Y.; Pearton S. J.; Dennis D. M.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
c-erbB-2 sensing using AlGaN/;GaN high electron mobility transistors for breast cancer detection
104.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Yakimov E. B.; Vergeles P. S.; Lee In-Hwan; Lee Cheul Ro; Pearton S. J.
Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations
105.
Kim H. S.; Lugo F.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Ren F.
Dependence of Zn1-x;MgxO;P film properties on magnesium concentration
106.
Lim Wantae; Kim S.-H.; Wang Yu-Lin; Lee J. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
Stable room temperature deposited amorphous InGaZnO4 thin film transistors
107.
Chen J. Y.; Chi G. C.; Huang P. J.; Chen M. Y.; Hung S. C.; Nien C. H.; Chen M. C.; Lan S. M.; Pong B. J.; Pan C. J.; Tun C. J.; Ren F.; Chang C. Y.; Pearton S. J.
Microstructure of InN quantum dots grown on AlN buffer layers by metal organic vapor phase epitaxy
108.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Belogorokhov A. I.; Kim H. S.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Annealing effects on electrical properties of MgZnO films grown by pulsed laser deposition
109.
Stewart A. D.; Gerger A.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Determination of Sm2O3/;GaAs heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
110.
Wang Yu-Lin; Kim H. S.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Hydrogen Effects on the Optical and Electrical Properties of ZnO Light-Emitting Diodes
111.
Lim Wantae; Norton D. P.; Jang Jung Hun; Craciun V.; Pearton S. J.; Ren F.
Carrier concentration dependence of Ti/;Au specific contact resistance on n-type amorphous indium zinc oxide thin films
112.
Kim H. S.; Lugo F.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Wang Yu-Lin; Ren F.
Phosphorus doped ZnO light emitting diodes fabricated via pulsed laser deposition
113.
Dielectric passivation effects on ZnO light emitting diodes
114.
Chen W. M.; Buyanova I. A.; Murayama A.; Furuta T.; Oka Y.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.
Dominant factors limiting efficiency of optical spin detection in ZnO-based materials
115.
Voss L. F.; Ip K.; Pearton S. J.; Shul R. J.; Overberg M. E.; Baca A. G.; Sanchez C.; Stevens J.; Martinez M.; Armendariz M. G.; Wouters G. A.
SiC via fabrication for wide-band-gap high electron mobility transistor/microwave monolithic integrated circuit devices
116.
Kang B. S.; Pearton S. J.; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Wang H. T.; Dennis D. M.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Exhaled-Breath Detection Using AlGaN/;GaN High Electron Mobility Transistors Integrated with a Peltier Element
117.
Wang Yu-Lin; Covert L. N.; Anderson T. J.; Lim Wantae; Lin J.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Zavada J. M.; Ren F.
RF Characteristics of Room-Temperature-Deposited, Small Gate Dimension Indium Zinc Oxide TFTs
118.
Yakimov E. B.; Vergeles P. S.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Lee In-Hwan; Lee Cheul Ro; Pearton S. J.
Donor nonuniformity in undoped and Si doped n-GaN prepared by epitaxial lateral overgrowth
119.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Yugova T. G.; Markov A. V.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Cui B.; Xie J.; Osinsky A. V.; Chow P. P.; Pearton S. J.
Electrical properties of GaN (Fe) buffers for AlGaN/;GaN high electron mobility transistor structures
120.
Lim W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Wang X. J.; Chen W. M.; Buyanova I. A.; Osinsky A.; Dong J. W.; Hertog B.; Thompson A. V.; Schoenfeld W. V.; Wang Y. L.; Ren F.
Migration and luminescence enhancement effects of deuterium in ZnO/;ZnCdO quantum wells
121.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Lee In-Hwan; Baek Jong Hyeob; Kolin N. G.; Boiko V. M.; Merkurisov D. I.; Pearton S. J.
Electron Irradiation Effects in GaN/;InGaN Multiple Quantum Well Structures
122.
Kang B. S.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Wang H. T.; Ren F.; Pearton S. J.; Morey T. E.; Dennis D. M.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Linthicum K. J.
Enzymatic glucose detection using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
123.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Osinsky A. V.; Cui B.; Chow P. P.; Pearton S. J.
Deep traps responsible for hysteresis in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/;GaN heterostructure transistors
124.
Wang H. T.; Piner E. L.; Kang B. S.; Ren F.; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Linthicum K. J.
Electrical detection of kidney injury molecule-1 with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
125.
Kim H. S.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Ren F.
Behavior of rapid thermal annealed ZnO:P films grown by pulsed laser deposition
126.
Thompson A. V.; Boutwell C.; Mares J. W.; Schoenfeld W. V.; Osinsky A.; Hertog B.; Xie J. Q.; Pearton S. J.; Norton D. P.
Thermal stability of CdZnO/;ZnO multi-quantum-wells
127.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Belogorokhov A. I.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Osinsky A. V.; Xie J. Q.; Hertog B.; Pearton S. J.
Electrical properties and deep traps in ZnO films grown by molecular beam epitaxy
128.
Wang H. T.; Kang B. S.; Chancellor T. F.; Lele T. P.; Tseng Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Dabiran A.; Osinsky A.; Chow P. P.
Selective Detection of Hg(II) Ions from Cu(II) and Pb(II) Using AlGaN/;GaN High Electron Mobility Transistors
129.
Kang B. S.; Wang H. T.; Lele T. P.; Tseng Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Prostate specific antigen detection using AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
130.
Jang Soohwan; Shen H.; Chang W.; Ren F.; Emanetoglu N.; Pearton S. J.
Design of Transparent Indium Tin Oxide-Based Interdigitated Fingers for Metal Semiconductor Metal Photodetector
131.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Belogorokhov A. I.; Markov A. V.; Kim H. S.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Electrical Properties of ZnO(P) and ZnMgO(P) Films Grown by Pulsed Laser Deposition
132.
Polyakov A. Y.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Yugova T. G.; Petrova E. A.; Smirnov N. B.; Dabiran A. M.; Wowchak A. M.; Osinsky A. V.; Chow P. P.; Pearton S. J.; Shcherbatchev K. D.; Bublik V. T.
Semi-Insulating, Fe-Doped Buffer Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
133.
Lim Wantae; Wang Yu-Lin; Ren F.; Norton D. P.; Kravchenko I. I.; Zavada J. M.; Pearton S. J.
Room-Temperature-Deposited Indium-Zinc Oxide Thin Films with Controlled Conductivity
134.
Lopatiuk-Tirpak O.; Chernyak L.; Wang Y. L.; Ren F.; Pearton S. J.; Gartsman K.
Doping level dependence of electron irradiation-induced minority carrier diffusion length increase in Mg-doped GaN
135.
Zavada J. M.; Nepal N.; Ugolini C.; Lin J. Y.; Jiang H. X.; Davies R.; Hite J.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Brown E. E.; Hömmerich U.
Optical and magnetic behavior of erbium-doped GaN epilayers grown by metal-organic chemical vapor deposition
136.
Wang Hung-Ta; Roberts J. C.; Piner E. L.; Rajagopal P.; Kang B. S.; Chancellor T. F.; Lele T. P.; Tseng Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Johnson W. J.; Linthicum K. J.
Fast electrical detection of Hg(II) ions with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
137.
Voss L. F.; Stafford L.; Wright J. S.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
W2B and CrB2 diffusion barriers for Ni/;Au contacts to p-GaN
138.
Kang B. S.; Piner E. L.; Wang H. T.; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Johnson J. W.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Linthicum K. J.
pH sensor using AlGaN/;GaN high electron mobility transistors with Sc2O3 in the gate region
139.
Stafford L.; Lim W. T.; Pearton S. J.; Chicoine M.; Gujrathi S.; Schiettekatte F.; Park Jae-Soung; Kim Jeong-Joo; Lee Joon-Hyung; Heo Young-Woo; Song Ju-Il; Kravchenko I. I.
Influence of the film properties on the plasma etching dynamics of rf-sputtered indium zinc oxide layers
140.
Khanna Rohit; Ren F.; Gila B. P.; Stafford L.; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.
Ir-Based Schottky and Ohmic Contacts on n-GaN
141.
Buyanova I. A.; Bergman J. P.; Pozina G.; Chen W. M.; Rawal S.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.
Mechanism for radiative recombination in ZnCdO alloys
142.
Wang Hung-Ta; Osinsky A.; Anderson T. J.; Kang B. S.; Ren F.; Li Changzhi; Low Zhen-Ning; Lin Jenshan; Gila B. P.; Pearton S. J.; Dabiran Amir
Stable hydrogen sensors from AlGaN/;GaN heterostructure diodes with TiB2-based Ohmic contacts
143.
Ivill M.; Pearton S. J.; Heo Y. W.; Kelly J.; Hebard A. F.; Norton D. P.
Magnetization dependence on carrier doping in epitaxial ZnO thin films co-doped with Mn and P
144.
Stafford L.; Voss L. F.; Pearton S. J.; Wang H. T.; Ren F.
Improved long-term thermal stability of InGaN/;GaN multiple quantum well light-emitting diodes using TiB2- and Ir-based p-Ohmic contacts
145.
Wang Yu-Lin; Ren F.; Lim Wantae; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kravchenko I. I.; Zavada J. M.
Room temperature deposited indium zinc oxide thin film transistors
146.
Lim W. T.; Pearton S. J.; Sadik P. W.; Norton D. P.; Wang Y. L.; Ren F.
Reaction-Limited Wet Etching of CuCrO2
147.
Voss L. F.; Stafford L.; Khanna R.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
Ohmic contacts to p-type GaN based on TaN, TiN, and ZrN
148.
Sadik Patrick W.; Pearton Stephen J.; Norton David P.; Lambers Eric; Ren Fan
Functionalizing Zn- and O-terminated ZnO with thiols
149.
Belogorokhov A. I.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Kim H. S.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Lattice vibrational properties of ZnMgO grown by pulsed laser deposition
150.
Polyakov A. Y.; Zavada J. M.; Prebble Ed; Shlensky A. A.; Markov A. V.; Vdovin V. I.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Hanser Drew; Pearton S. J.
Properties of Fe-doped, thick, freestanding GaN crystals grown by hydride vapor phase epitaxy
151.
Jang Soohwan; Kang B. S.; Ren F.; Emanetoglu N. W.; Shen H.; Chang W. H.; Gila B. P.; Hlad M.; Pearton S. J.
Comparison of E-beam and Sputter-Deposited ITO Films for 1.55 ;μ;m Metal–Semiconductor–Metal Photodetector Applications
152.
Khanna R.; Stafford L.; Pearton S. J.; Wang H. T.; Ren F.; Westermann R.; Johnson D.; Constantine C.
Reduction of Dry Etch Damage to GaAs Using Pulse-Time Modulated Plasmas
153.
Lopatiuk-Tirpak O.; Chernyak L.; Wang Y. L.; Ren F.; Pearton S. J.; Gartsman K.; Feldman Y.
Cathodoluminescence studies of carrier concentration dependence for the electron-irradiation effects in p-GaN
154.
Khanna Rohit; Gila B. P.; Stafford L.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.; Dabiran Amir; Osinsky A.
Thermal stability of Ohmic contacts to InN
155.
Stafford L.; Margot J.; Delprat S.; Chaker M.; Pearton S. J.
Influence of redeposition on the plasma etching dynamics
156.
Spatial variations of doping and lifetime in epitaxial laterally overgrown GaN
157.
Lim W. T.; Stafford L.; Sadik P. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Wang Y. L.; Ren F.
Ni/;Au Ohmic contacts to p-type Mg-doped CuCrO2 epitaxial layers
158.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Belogorokhov A. I.; Kozhukhova E. A.; Markov A. V.; Osinsky A.; Dong J. W.; Pearton S. J.
Persistent photoconductivity in p-type ZnO(N) grown by molecular beam epitaxy
159.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Pearton S. J.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.; Lee Cheul-Ro; Lee In-Hwan
Fast neutron irradiation effects in n-GaN
160.
Wright J. S.; Khanna R.; Stafford L.; Gila B. P.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
Ir/;Au Ohmic Contacts on Bulk, Single-Crystal n-Type ZnO
161.
Wang Y. L.; Ren F.; Kim H. S.; Pearton S. J.; Norton D. P.
Incorporation and drift of hydrogen at low temperatures in ZnO
162.
Kang B. S.; Pearton S. J.; Ren F.
Low temperature (<100 °;C) patterned growth of ZnO nanorod arrays on Si
163.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Abernathy C. R.; Gerger A. P.; Hlad M.; Gila B. P.; Pearton S. J.
Studies of Interface States in Sc2O3/;GaN, MgO/;GaN, and MgScO/;GaN structures
164.
Yoon Youngki; Lin Jenshan; Pearton Stephen J.; Guo Jing
Role of grain boundaries in ZnO nanowire field-effect transistors
165.
Buyanova I. A.; Chen W. M.; Izadifard M.; Pearton S. J.; Bihler C.; Brandt M. S.; Hong Y. G.; Tu C. W.
Hydrogen passivation of nitrogen in GaNAs and GaNP alloys: How many H atoms are required for each N atom?
166.
Polyakov A. Y.; Dabiran Amir M.; Osinsky A. V.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Shcherbatchev K. D.; Bublik V. T.; Voronova M. I.; Pearton S. J.
Electrical, photoelectrical, and luminescent properties of doped p-type GaN superlattices
167.
Lee C. W.; Choi H.; Oh M. K.; Ahn D. J.; Kim J.; Kim J.-M.; Ren F.; Pearton S. J.
ZnO-Based Cyclodextrin Sensor Using Immobilized Polydiacetylene Vesicles
168.
Wang Hung-Ta; Osinsky A.; Anderson T. J.; Ren F.; Li Changzhi; Low Zhen-Ning; Lin Jenshan; Gila B. P.; Pearton S. J.; Dabiran Amir
Robust detection of hydrogen using differential AlGaN/;GaN high electron mobility transistor sensing diodes
169.
Park Jae-Soung; Song Ju-Il; Heo Young-Woo; Lee Joon-Hyung; Kim Jeong-Joo; Lim W. T.; Stafford L.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Effects of Zn content on structural and transparent conducting properties of indium-zinc oxide films grown by rf magnetron sputtering
170.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.; Shcherbatchev K. D.; Bublik V. T.; Voronova M. I.; Lee I-H.; Lee C. R.; Pearton S. J.; Dabirian A.; Osinsky A. V.
Fermi level pinning in heavily neutron-irradiated GaN
171.
Lopatiuk-Tirpak O.; Chernyak L.; Xiu F. X.; Liu J. L.; Jang S.; Ren F.; Pearton S. J.; Gartsman K.; Feldman Y.; Osinsky A.; Chow P.
Studies of minority carrier diffusion length increase in p-type ZnO:Sb
172.
Zavada J. M.; Nepal N.; Lin J. Y.; Jiang H. X.; Brown E.; Hömmerich U.; Hite J.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Gwilliam R.
Ultraviolet photoluminescence from Gd-implanted AlN epilayers
173.
Wang X. J.; Buyanova I. A.; Chen W. M.; Izadifard M.; Rawal S.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.; Dabiran Amir
Band gap properties of Zn1-x;CdxO alloys grown by molecular-beam epitaxy
174.
Anderson T. J.; Ren F.; Covert L.; Lin J.; Pearton S. J.
Thermal Considerations in Design of Vertically Integrated Si/;GaN/;SiC Multichip Modules
175.
Hite J.; Thaler G. T.; Khanna R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Park J. H.; Steckl A. J.; Zavada J. M.
Optical and magnetic properties of Eu-doped GaN
176.
Stafford L.; Voss L. F.; Pearton S. J.; Chen J.-J.; Ren F.
Schottky barrier height of boride-based rectifying contacts to p-GaN
177.
Wang Hung-Ta; Jang S.; Anderson T.; Chen J. J.; Kang B. S.; Ren F.; Voss L. F.; Stafford L.; Khanna R.; Gila B. P.; Pearton S. J.; Shen H.; LaRoche Jeffrey R.; Smith Kurt V.
Increased Schottky barrier heights for Au on n- and p-type GaN using cryogenic metal deposition
178.
Kang B. S.; Pearton S. J.; Chen J. J.; Ren F.; Johnson J. W.; Therrien R. J.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.
Electrical detection of deoxyribonucleic acid hybridization with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
179.
Stafford L.; Pearton S. J.; Margot J.
Influence of ion mixing on the energy dependence of the ion-assisted chemical etch rate in reactive plasmas
180.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Dabiran Amir M.; Osinsky A. V.; Pearton S. J.
Electrical and optical properties of doped p-type GaN superlattices
181.
Anderson T. J.; Ren F.; Voss L.; Hlad M.; Gila B. P.; Covert L.; Lin J.; Pearton S. J.; Bove P.; Lahreche H.; Thuret J.
AlGaN/;GaN high electron mobility transistors on Si/;SiO2/poly-SiC substrates
182.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.; Shcherbatchev K. D.; Bublik V. T.; Voronova M. I.; Pearton S. J.; Dabiran A.; Osinsky A. V.
Neutron irradiation effects in p‐;GaN
183.
Anderson Travis; Ren Fan; Pearton Stephen J.; Mastro Michael A.; Holm Ron T.; Henry Rich L.; Eddy Charles R.; Lee Kwan-Young; Lee Joon Yeob; Kim Jihyun
Laser ablation of via holes in GaN and AlGaN/;GaN high electron mobility transistor structures
184.
Wang Hung-Ta; LaRoche Jeffery R.; Shen H.; Pearton S. J.; Gila B. P.; Gerger A. M.; Herrero A.; Ren F.; Kang B. S.; Smith Kurt V.
Thermal Stability of Au Schottky Diodes on GaAs Deposited at Either 77 or 300 ;K
185.
Rosenberg R. A.; Shenoy G. K.; Tien L.-C.; Norton D.; Pearton S.; Sun X. H.; Sham T. K.
Anisotropic x-ray absorption effects in the optical luminescence yield of ZnO nanostructures
186.
Hite J. K.; Frazier R. M.; Davies R.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Effect of growth conditions on the magnetic characteristics of GaGdN
187.
Herrero A. M.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Craciun V.; Siebein K.; Ren F.
Epitaxial growth of Sc2O3 films on GaN
188.
Wang Hung-Ta; Jang S.; Anderson T.; Chen J. J.; Kang B. S.; Ren F.; Herrero A.; Gerger A. M.; Gila B. P.; Pearton S. J.; Shen H.; LaRoche Jeffrey R.; Smith Kurt V.
Improved Au Schottky contacts on GaAs using cryogenic metal deposition
189.
Voss L.; Lahreche H.; Bove P.; Ren F.; Pearton S. J.; Thuret J.
Electrical Performance of GaN Schottky Rectifiers on Si Substrates
190.
Chen J.-J; Gila B. P.; Hlad M.; Gerger A.; Ren F.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Erratum: Band offsets in the Sc2O3/;GaN heterojunction system [Appl. Phys. Lett. ;88, 142115 (2006)]
191.
Lopatiuk-Tirpak O.; Schoenfeld W. V.; Chernyak L.; Xiu F. X.; Liu J. L.; Jang S.; Ren F.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Chow P.
Carrier concentration dependence of acceptor activation energy in p-type ZnO
192.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Kolin N. G.; Boiko V. M.; Merkurisov D. I.; Pearton S. J.
Neutron irradiation effects in undoped n-AlGaN
193.
Chen J. J.; Anderson T. J.; Jang S.; Ren F.; Li Y. J.; Kim H.-S.; Gila B. P.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Ti/;Au Ohmic Contacts to Al-Doped n-ZnO Grown by Pulsed Laser Deposition
194.
Wright J. S.; Khanna R.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
Thermally Stable TiB2 Ohmic Contacts on n-ZnO
195.
Chang Chih-Yang; Ren F.; Jang Soohwan; Lan Tian-Wey; Chi Gou-Chung; Chen Li-Chyong; Chen Kuei-Hsien; Chen Jau-Juin; Pearton S. J.
Effect of Ozone Cleaning and Annealing on Ti/;Al/;Pt/;Au Ohmic Contacts on GaN Nanowires
196.
Irokawa Y.; Ishiguro O.; Kachi T.; Pearton S. J.; Ren F.
Implantation temperature dependence of Si activation in AlGaN
197.
Kang B. S.; Chen J. J.; Ren F.; Li Y.; Kim H.-S.; Norton D. P.; Pearton S. J.
ITO/;Ti/;Au Ohmic contacts on n-type ZnO
198.
Chang Chih-Yang; Tsao Fu-Chun; Pan Ching-Jen; Chi Gou-Chung; Wang Hung-Ta; Chen Jau-Juin; Ren F.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Chen Kuei-Hsien; Chen Li-Chyong
Electroluminescence from ZnO nanowire/polymer composite p-n junction
199.
Chen J.-J.; Gila B. P.; Hlad M.; Gerger A.; Ren F.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Band offsets in the Sc2O3/;GaN heterojunction system
200.
Chen J.-J.; Jang Soohwan; Anderson T. J.; Ren F.; Li Yuanjie; Kim Hyun-Sik; Gila B. P.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Low specific contact resistance Ti/;Au contacts on ZnO
201.
Wang Hung-Ta; Kang B. S.; Chen Jau-Jiun; Anderson T.; Jang S.; Ren F.; Kim H. S.; Li Y. J.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Band-edge electroluminescence from N+-implanted bulk ZnO
202.
Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Polyakov A. Y.; Markov A. V.; Voss Lars; Pearton S. J.
Microcathodoluminescence and electrical properties of GaN epitaxial layers grown on thick freestanding GaN substrates
203.
Khanna Rohit; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I. I.
Comparison of electrical and reliability performances of TiB2-, CrB2-, and W2B5-based Ohmic contacts on n-GaN
204.
Jang Soohwan; Norton D. P.; Han Sang-Youn; Yang Hyuck-Soo; Ren F.; Chen J. J.; Pearton S. J.
Simulation of vertical and lateral ZnO light-emitting diodes
205.
Determination of MgO/;GaN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
206.
Han Sang Youn; Hite J.; Thaler G. T.; Frazier R. M.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Choi H. K.; Lee W. O.; Park Y. D.; Zavada J. M.; Gwilliam R.
Effect of Gd implantation on the structural and magnetic properties of GaN and AlN
207.
Chen Jau-Jiun; Jang Soohwan; Ren F.; Rawal S.; Li Yuanjie; Kim Hyun-Sik; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.
Comparison of Ti/;Al/;Pt/;Au and Ti/;Au Ohmic contacts on n-type ZnCdO
208.
Voss L.; Khanna Rohit; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I.
Improved thermally stable ohmic contacts on p-GaN based on W2B
209.
Thermal simulations of three-dimensional integrated multichip module with GaN power amplifier and Si modulator
210.
Buyanova I. A.; Chen W. M.; Ivill M. P.; Pate R.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Dong J. W.; Osinsky A.; Hertog B.; Dabiran A. M.; Chow P. P.
Optical characterization of ZnMnO-based dilute magnetic semiconductor structures
211.
Chen Jau-Jiun; Ren F.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.; Chu S. N. G.
Diffusion-Controlled Selective Wet Etching of ZnCdO over ZnO
212.
Kim Jihyun; Freitas J. A.; Klein P. B.; Jang S.; Ren F.; Pearton S. J.
The Effect of Thermally Induced Stress on Device Temperature Measurements by Raman Spectroscopy
213.
Jang Soohwan; Chen Jau-Jiun; Kang B. S.; Ren F.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Lopata J.; Hobson W. S.
Formation of p-n homojunctions in n-ZnO bulk single crystals by diffusion from a Zn3P2 source
214.
Tien L. C.; Sadik P. W.; Norton D. P.; Voss L. F.; Pearton S. J.; Wang H. T.; Kang B. S.; Ren F.; Jun J.; Lin J.
Hydrogen sensing at room temperature with Pt-coated ZnO thin films and nanorods
215.
Khanna Rohit; Han Sang Youn; Pearton S. J.; Schoenfeld D.; Schoenfeld W. V.; Ren F.
High dose Co-60 gamma irradiation of InGaN quantum well light-emitting diodes
216.
Yang Hyuck Soo; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Ti/;Aun-type Ohmic contacts to bulk ZnO substrates
217.
Shi G. Alvin; Stavola Michael; Pearton S. J.; Thieme M.; Lavrov E. V.; Weber J.
Hydrogen local modes and shallow donors in ZnO
218.
Chen W. M.; Buyanova I. A.; Nishibayashi K.; Kayanuma K.; Seo K.; Murayama A.; Oka Y.; Thaler G.; Frazier R.; Abernathy C. R.; Ren F.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.
Efficient spin relaxation in InGaN/;GaN and InGaN/;GaMnN quantum wells; An obstacle to spin detection
219.
Chen Jau-Jiun; Ren F.; Li Yuanjie; Norton D. P.; Pearton S. J.; Osinsky A.; Dong J. W.; Chow P. P.; Weaver J. F.
Measurement of Zn0.95Cd0.05O/;ZnO (0001) heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
220.
Han Sang Youn; Hertog B.; Dong J. W.; Osinsky A.; Ren F.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Yang Hyucksoo; Chow P. P.
Design and simulation of ZnO-based light-emitting diode structures
221.
Voss Lars; Gila B. P.; Pearton S. J.; Wang Hung-Ta; Ren F.
Characterization of bulk GaN rectifiers for hydrogen gas sensing
222.
Khanna Rohit; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I.
CrB2 Schottky Barrier Contacts on n-GaN
223.
Wang Hung-Ta; Kang B. S.; Ren F.; Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Moser N.; Jessen G.; Jenkins T.; Dettmer R.; Via D.; Crespo A.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Comparison of gate and drain current detection of hydrogen at room temperature with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
224.
Gila B. P.; Hlad M.; Onstine A. H.; Frazier R.; Thaler G. T.; Herrero A.; Lambers E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Anderson T.; Jang S.; Ren F.; Moser N.; Fitch R. C.; Freund M.
Improved oxide passivation of AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
225.
Yang Hyuck Soo; Han Sang Youn; Heo Y. W.; Baik K. H.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Osinsky A.; Dong J. W.; Hertog B.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Chernyak L.; Steiner T.; Kao C. J.; Chi G. C.
Fabrication of Hybrid $n$-ZnMgO/$n$-ZnO/$ p$-AlGaN/$ p$-GaN Light-Emitting Diodes
226.
Ip K.; Khanna Rohit; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I.; Kao C. J.; Chi G. C.
Improved Thermal Stability CrB2 Contacts on ZnO
227.
Han Sang Youn; Pearton S. J.; Baik K. H.; Yang Hyuck Soo; Ren F.
Role of Ion Energy and Flux on Inductively Coupled Plasma Etch Damage in InGaN/GaN Multi Quantum Well Light Emitting Diodes
228.
Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Origin of green luminescence in ZnO thin film grown by molecular-beam epitaxy
229.
Kao C. J.; Chen M. C.; Tun C. J.; Chi G. C.; Sheu J. K.; Lai W. C.; Lee M. L.; Ren F.; Pearton S. J.
Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/;GaN heterostructure field-effect transistors
230.
Cho Hyun; Pearton S. J.
Removal of chemical–mechanical polishing-induced damage layer in single crystal ;La3Ga5SiO14 by inductively coupled plasma etching
231.
Kryliouk O.; Park H. J.; Wang H. T.; Kang B. S.; Anderson T. J.; Ren F.; Pearton S. J.
Pt-coated InN nanorods for selective detection of hydrogen at room temperature
232.
Tien L. C.; Wang H. T.; Kang B. S.; Ren F.; Sadik P. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Lin Jenshan
Room-Temperature Hydrogen-Selective Sensing Using Single Pt-Coated ZnO Nanowires at Microwatt Power Levels
233.
Chang Chih-Yang; Chi Gou-Chung; Wang Wei-Ming; Chen Li-Chyong; Chen Kuei-Hsien; Ren F.; Pearton S. J.
Transport properties of InN nanowires
234.
Li Y. J.; Heo Y. W.; Kwon Y.; Ip K.; Pearton S. J.; Norton D. P.
Transport properties of p-type phosphorus-doped (Zn,Mg)O grown by pulsed-laser deposition
235.
Ip Kelly; Li Yuanjie; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Low-resistance Au and Au/;Ni/;Au Ohmic contacts to p-ZnMgO
236.
Stafford L.; Margot J.; Chaker M.; Pearton S. J.
Energy dependence of ion-assisted chemical etch rates in reactive plasmas
237.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Markov A. V.; Pearton S. J.; Kolin N. G.; Merkurisov D. I.; Boiko V. M.
Neutron irradiation effects on electrical properties and deep-level spectra in undoped n-AlGaN/;GaN heterostructures
238.
Khanna Rohit; Pearton S. J.; Ren F.; Kravchenko I.; Kao C. J.; Chi G. C.
W2B-based rectifying contacts to n-GaN
239.
Kang B. S.; Ren F.; Wang L.; Lofton C.; Tan Weihong W.; Pearton S. J.; Dabiran A.; Osinsky A.; Chow P. P.
Electrical detection of immobilized proteins with ungated AlGaN/;GaN high-electron-mobility Transistors
240.
Buyanova I. A.; Izadifard M.; Chen W. M.; Kim J.; Ren F.; Thaler G.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Zavada J. M.
Spin injection and spin loss in GaMnN/InGaN Light‐Emitting Diodes
241.
Kyrychenko F. V.; Stanton C. J.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.; Thaler G.; Frazier R.; Buyanova I.; Bergman J. P.; Chen W. M.
Investigation of a GaMnN/GaN/InGaN structure for spin LED
242.
Kang B. S.; Roberts J. C.; Kim J.; Jang S.; Ren F.; Baik K.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Linthicum K. J.; Piner E. L.; Therrien R. J.; Rajagopal P.; Chu S. N. G.; Johnson J. W.; Pearton S. J.
Capacitance pressure sensor based on GaN high-electron-mobility transistor-on-Si membrane
243.
Wang H. T.; Kang B. S.; Ren F.; Tien L. C.; Sadik P. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Lin Jenshan
Hydrogen-selective sensing at room temperature with ZnO nanorods
244.
Coleman V. A.; Bradby J. E.; Jagadish C.; Munroe P.; Heo Y. W.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Inoue M.; Yano M.
Mechanical properties of ZnO epitaxial layers grown on a- and c-axis sapphire
245.
Yang Hyuck Soo; Li Y.; Norton D. P.; Ip K.; Pearton S. J.; Jang Soohwan; Ren F.
Low-resistance ohmic contacts to p-ZnMgO grown by pulsed-laser deposition
246.
Irokawa Y.; Fujishima O.; Kachi T.; Pearton S. J.; Ren F.
Activation characteristics of ion-implanted Si+ in AlGaN
247.
Kao C. J.; Kwon Yong Wook; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Chi G. C.
Comparison of ZnO metal–oxide–semiconductor field effect transistor and metal–semiconductor field effect transistor structures grown on sapphire by pulsed laser deposition
248.
Kang B. S.; Ren F.; Kang M. C.; Lofton C.; Tan Weihong; Pearton S. J.; Dabiran A.; Osinsky A.; Chow P. P.
Detection of halide ions with AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
249.
Yang Hyucksoo; Li Y.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Jung Soohwan; Ren F.; Boatner L. A.
Characteristics of unannealed ZnMgO/;ZnOp-n junctions on bulk (100) ZnO substrates
250.
Kauser M. Z.; Osinsky A.; Dabiran A. M.; Pearton S. J.
Optimization of conductivity in p-type GaN/;InGaN-graded superlattices
251.
Si+ Ion Implantation into GaN at Cryogenic Temperatures
252.
Thaler G. T.; Frazier R. M.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Growth and thermal stability of Ga(1-X);CrXN films
253.
Electrical characteristics of GaN implanted with Si+ at elevated temperatures
254.
Kang B. S.; Ren F.; Heo Y. W.; Tien L. C.; Norton D. P.; Pearton S. J.
pH measurements with single ZnO nanorods integrated with a microchannel
255.
Yang Hyuck Soo; Han Sang Youn; Baik K. H.; Pearton S. J.; Ren F.
Effect of inductively coupled plasma damage on performance of GaN–InGaN multiquantum-well light-emitting diodes
256.
Ivill M.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Kelly J.; Hebard A. F.
Magnetization dependence on electron density in epitaxial ZnO thin films codoped with Mn and Sn
257.
Frazier R. M.; Thaler G. T.; Leifer J. Y.; Hite J. K.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Role of growth conditions on magnetic properties of AlCrN grown by molecular beam epitaxy
258.
Lopatiuk O.; Burdett W.; Chernyak L.; Ip K. P.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Hertog B.; Chow P. P.; Osinsky A.
Minority carrier transport in p-type Zn0.9Mg0.1O doped with phosphorus
259.
Kim D. H.; Chen C. T.; Lin H.-J.; Park J.-H.; Kim J.-Y.; Pearton S. J.; Park Y. D.; Kim Y.-W.; Baik S.-I.; Bu S. D.; Noh T. W.; Kim Y. S.; Yang J. S.; Song Y. J.
Effects of high-temperature postannealing on magnetic properties of Co-doped anatase TiO2 thin films
260.
Kang B. S.; Ren F.; Jeong B. S.; Kwon Y. W.; Baik K. H.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Use of 370 ;nm UV light for selective-area fibroblast cell growth
261.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Heo Y. W.; Ivill M. P.; Ip K.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kelly J.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Steiner T.
Properties of Mn- and Co-doped bulk ZnO crystals
262.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Thaler G. T.; Frazier R. M.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Electrical and optical properties of GaCrN films grown by molecular beam epitaxy
263.
Thaler G.; Frazier R.; Gila B.; Stapleton J.; Davies R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Effect of Oxygen Co-Doping on the Electronic and Magnetic Properties of Ga(1-x);MnxN
264.
Shi G. Alvin; Saboktakin Marjan; Stavola Michael; Pearton S. J.
“Hidden hydrogen” in as-grown ZnO
265.
Moser N.; Fitch R. C.; Crespo A.; Gillespie J. K.; Jessen G. H.; Via G. D.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Dramatic Improvements in AlGaN/GaN HEMT Device Isolation Characteristics after UV-Ozone Pretreatment
266.
Heo Y. W.; Kelly J.; Norton D. P.; Hebard A. F.; Pearton S. J.; Zavada J. M.; Boatner L. A.
Effects of High Dose Ni, Fe, Co, and Mn Implantation into SnO2
267.
Osinsky A.; Dong J. W.; Kauser M. Z.; Hertog B.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Pearton S. J.; Lopatiuk O.; Chernyak L.
MgZnO/;AlGaN heterostructure light-emitting diodes
268.
Polyakov A. Y.; Pearton S. J; Abernathy C. R.; Thaler G. T.; Liefer J. Y.; Frazier R. M.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Zavada J. M.
Optical and electrical properties of AlCrN films grown by molecular beam epitaxy
269.
Buyanova I. A.; Bergman J. P.; Chen W. M.; Thaler G.; Frazier R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kim Jihyun; Ren F.; Kyrychenko F. V.; Stanton C. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Zavada J. M.
Optical study of spin injection dynamics in InGaN/;GaN quantum wells with GaMnN injection layers
270.
Kang B. S.; Kim S.; La Roche J. R.; Ren F.; Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Moser N.; Jenkins T.; Sewell J.; Via D.; Crespo A.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Osinsky A.; Pearton S. J.
Annealing temperature stability of Ir and Ni-based Ohmic contacts on AlGaN/;GaN high electron mobility transistors
271.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Frazier R. M.; Liefer J. Y.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Properties of highly Cr-doped AlN
272.
Khanna Rohit; Ip K.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Thermal degradation of electrical properties and morphology of bulk single-crystal ZnO surfaces
273.
Khanna Rohit; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kim Jihyun; Ren F.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.
Effects of high-dose 40 ;MeV proton irradiation on the electroluminescent and electrical performance of InGaN light-emitting diodes
274.
Heo Y. W.; Tien L. C.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kang B. S.; Ren F.; LaRoche J. R.
Pt/;ZnO nanowire Schottky diodes
275.
Kang B. S.; Kim S.; Ren F.; Johnson J. W.; Therrien R. J.; Rajagopal P.; Roberts J. C.; Piner E. L.; Linthicum K. J.; Chu S. N.G.; Baik K.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN/;GaN high-electron mobility-transistor membranes
276.
Heo Y. W.; Tien L. C.; Kwon Y.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kang B. S.; Ren F.
Depletion-mode ZnO nanowire field-effect transistor
277.
Heo Y. W.; Tien L. C.; Norton D. P.; Kang B. S.; Ren F.; Gila B. P.; Pearton S. J.
Electrical transport properties of single ZnO nanorods
278.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Baik K. H.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Changes in electrical and optical properties of p-AlGaN due to proton implantation
279.
Irokawa Y.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Park S. S.; Park Y. J.
Reduction of Surface-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HFETs on Freestanding GaN Substrates
280.
Lim J. D.; Suh K. S.; Shim S. B.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.; Park Y. D.
Anomalous Hall Effect in Manganese Ion-Implanted Highly Carbon-Doped Gallium Arsenide
281.
Ip K.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; LaRoche J. R.; Ren F.
Zn0.9Mg0.1O/;ZnO p–n; junctions grown by pulsed-laser deposition
282.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Danilin V. N.; Zhukova T. A.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Effects of Sc2O3 Surface Passivation on Deep Level Spectra of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
283.
Kang B. S.; Ren F.; Kim Suku; Ip K.; Heo Y. W.; Gila B.; Abernathy C. R.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Detection of C2H4 Using Wide-Bandgap Semiconductor Sensors
284.
Kim Suku; Kang B. S.; Ren F.; Heo Y. W.; Ip K.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Characteristics of Thin-Film p-ZnMgO/n-ITO Heterojunctions on Glass Substrates
285.
Ip K.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Lambers E. S.; Heo Y. W.; Baik K. H.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kim S.; LaRoche J. R; Ren F.
Improved Pt/;Au and W/;Pt/;Au Schottky contacts on n-type ZnO using ozone cleaning
286.
Seo S. S. A.; Noh T. W.; Kim Y.-W.; Lim J. D.; Park Y. D.; Kim Y. S.; Khim Z. G.; Jeon H. C.; Kang T. W.; Pearton S. J.
Nondestructive spectroscopic method to detect MnAs metallic nanocrystals in annealed GaAs:Mn
287.
Kang B. S.; Mehandru R.; Kim S.; Ren F.; Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Moser N.; Jessen G.; Jenkins T.; Dettmer R.; Via D.; Crespo A.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Hydrogen-induced reversible changes in drain current in Sc2O3/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
288.
Kim Jihyun; Baik K. H.; Kang B. S.; Kim S.; Irokawa Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Chung G. Y.
4H-SiC Schottky Diode Array with 430 A Forward Current
289.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Shlensky A. A.; Pearton S. J.
Influence of high-temperature annealing on the properties of Fe doped semi-insulating GaN structures
290.
Heo Y. W.; Kwon Y. W.; Li Y.; Pearton S. J.; Norton D. P.
p-type behavior in phosphorus-doped (Zn,Mg)O device structures
291.
Pearton S. J.; Norton D. P.; Ip K.; Heo Y. W.; Steiner T.
Recent advances in processing of ZnO
292.
Lim W. T.; Baek I. K.; Lee J. W.; Jeon M. H.; Park W. W.; Cho G. S.; Pearton S. J.
Planar Inductively Coupled BCl3 Plasma Etching of III-V Semiconductors
293.
Irokawa Y.; Nakano Y.; Ishiko M.; Kachi T.; Kim J.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.
MgO/p-GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors
294.
Ip K.; Heo Y. W.; Baik K. H.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kim S.; LaRoche J. R.; Ren F.
Temperature-dependent characteristics of Pt Schottky contacts on n-type ZnO
295.
On the origin of spin loss in GaMnN/InGaN light-emitting diodes
296.
Thaler G.; Frazier R.; Gila B.; Stapleton J.; Davidson M.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Segre Carlos
Effect of nucleation layer on the magnetic properties of GaMnN
297.
Heo Y. W.; Ivill M. P.; Ip K.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kelly J. G.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Steiner T.
Effects of high-dose Mn implantation into ZnO grown on sapphire
298.
Contacts to p-type ZnMgO
299.
Kim Suku; Kang B. S.; Ren F.; Ip K.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Sensitivity of Pt/ZnO Schottky diode characteristics to hydrogen
300.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Baik K. H.; Pearton S. J.; Luo B.; Ren F.; Zavada J. M.
Effects of hydrogen plasma treatment on electrical properties of p-AlGaN
301.
Kang B. S.; Ren F.; Irokawa Y.; Baik K. W.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Ko H.-J.; Lee H.-Y.
Temperature dependent characteristics of bulk GaN Schottky rectifiers on free-standing GaN substrates
302.
Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Moser N.; Jessen G.; Jenkins T.; Dettmer R.; Via D.; Crespo A.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Osinsky A.; La Roche J. R.; Ren F.; Pearton S. J.
Comparison of Ir and Ni-based Ohmic contacts for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
303.
Lim W. T.; Baek I. G.; Jung P. G.; Lee J. W.; Cho G. S.; Lee J. I.; Cho K. S.; Pearton S. J.
Investigation of GaAs Dry Etching in a Planar Inductively Coupled BCl3 Plasma
304.
Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Moser N.; Jenkins T.; Sewell J.; Via D.; Crespo A.; Dabiran A. M.; Chow P. P.; Osinsky A.; La Roche J. R.; Ren F.; Pearton S. J.
Properties of Ir-based Ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistors
305.
Thaler G.; Frazier R.; Gila B.; Stapleton J.; Davidson Mark; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Segre Carlos
Effect of Mn concentration on the structural, optical, and magnetic properties of GaMnN
306.
Kang B. S.; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
AlGaN/GaN-based metal–oxide–semiconductor diode-based hydrogen gas sensor
307.
Overberg M. E.; Thaler G. T.; Frazier R. M.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Rairigh R.; Kelly J.; Theodoropoulou N. A.; Hebard A. F.; Wilson R. G.; Zavada J. M.
Ferromagnetic AlGaCrP Films by Ion Implantation
308.
Thaler G. T.; Frazier R. M.; Stapleton J.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kelly J.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Zavada J. M.
Properties of (Ga, Mn)N With and Without Detectable Second Phases
309.
LaRoche J. R.; Kim J.; Johnson J. W.; Luo B.; Kang B. S.; Mehandru R.; Irokawa Y.; Pearton S. J.; Chung G.; Ren F.
Comparison of Interface State Density Characterization Methods for SiO2/4H-SiC MOS Diodes
310.
Ip K.; Heo Y. W.; Baik K. H.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.
Carrier concentration dependence of Ti/Al/Pt/Au contact resistance on n-type ZnO
311.
Kim Jihyun; Baca A. G.; Ren F.; Chung G. Y.; MacMillan M. F.; Schoenfeld D.; Briggs R. D.; Pearton S. J.
Comparison of stability of WSiX/SiC and Ni/SiC Schottky rectifiers to high dose gamma-ray irradiation
312.
Polyakov A. Y.; Shlensky A. A.; Pashkova N. V.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Ren F.; Luo B.; Pearton S. J.; Baik K. H.; Zavada J. M.
Electrical and optical properties of hydrogen plasma treated n-AlGaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
313.
Specific contact resistance of Ti/Al/Pt/Au ohmic contacts to phosphorus-doped ZnO thin films
314.
Polyakov A. Y.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Pearton S. J.
Properties of Fe-doped semi-insulating GaN structures
315.
Irokawa Y.; Luo B.; Ren F.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J. I.; Park S. S.; Park Y. J.; Pearton S. J.
DC Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Freestanding GaN Substrates
316.
Norton D. P.; Overberg M. E.; Pearton S. J.; Pruessner K.; Budai J. D.; Boatner L. A.; Chisholm M. F.; Lee J. S.; Khim Z. G.; Park Y. D.; Wilson R. G.
Ferromagnetism in cobalt-implanted ZnO
317.
Baik K. H.; Frazier R. M.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kelly J.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Tang W.; Stavola M.; Zavada J. M.
Effects of hydrogen incorporation in GaMnN
318.
Irokawa Y.; Kim Jihyun; Ren F.; Baik K. H.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.
Activation kinetics of implanted Si+ in GaN and application to fabricating lateral Schottky diodes
319.
Kang B. S.; Kim S.; Kim J.; Ren F.; Baik K.; Pearton S. J.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Chandrasekaran V.; Sheplak M.; Nishida T.; Chu S. N. G.
Effect of external strain on the conductivity of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
320.
Cho Hyun; Lee K. P.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.
Simulated High-Temperature Characteristics of Sc2O3/GaN MOSFETs
321.
Kim D. H.; Yang J. S.; Kim Y. S.; Kim D.-W.; Noh T. W.; Bu S. D.; Kim Y.-W.; Park Y. D.; Pearton S. J.; Jo Y.; Park J.-G.
Superparamagnetism in Co-ion-implanted anatase TiO2 thin films and effects of postannealing
322.
Moser N. A.; Gillespie J. K.; Via G. D.; Crespo A.; Yannuzzi M. J.; Jessen G. H.; Fitch R. C.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Effects of surface treatments on isolation currents in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
323.
Polyakov A. Y.; Zavada J. M.; Pearton S. J.; Pashkova N. V.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Wilson R. G.
Proton implantation effects on electrical and optical properties of undoped AlGaN with high Al mole fraction
324.
Baek I. K.; Lim W. T.; Lee J. W.; Jeon M. H.; Cho G. S.; Pearton S. J.
Comparison of dry etching of AlGaAs and InGaP in a planar inductively coupled BCl3 plasma
325.
Ip K.; Ren F.; Luo B.; LaRoche J. R.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Heo Y. W.; Baik K. H.; Zavada J. M.
Annealing temperature dependence of contact resistance and stablity for Ti/Al/Pt/Au ohmic contacts to bulk n-ZnO
326.
Gila B. P.; Onstine A. H.; Kim J.; Allums K. K.; Ren F.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Magnesium oxide gate dielectrics grown on GaN using an electron cyclotron resonance plasma
327.
Overberg M. E.; Baik K. H.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kelly J.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Tang W.; Stavola M.; Zavada J. M.
Hydrogenation Effects on Magnetic Properties of GaMnP
328.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Pearton S. J.
Electrical and optical properties of Fe-doped semi-insulating GaN templates
329.
Frazier R. M.; Zavada J. M.; Hebard A. F.; Rairigh R.; Kelly J.; Jiang H. X.; Lin J. Y.; Nam K. B.; Nakarmi M. L.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Thaler G. T.; Wilson R. G.
Transition metal ion implantation into AlGaN
330.
Baik K. H.; Irokawa Y.; Kim Jihyun; LaRoche J. R.; Ren F.; Park S. S.; Park Y. J.; Pearton S. J.
160-A bulk GaN Schottky diode array
331.
Lim W. T.; Baek I. K.; Lee J. W.; Lee E. S.; Jeon M. H.; Cho G. S.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Temperature-dependent Cl2/Ar plasma etching of bulk single-crystal ZnO
332.
Cho Hyun; Gila B. P.; Lee K. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.
Effects of Oxide Thickness and Gate Length on DC Performance of Submicrometer MgO/GaN MOSFETs
333.
Deep traps in unpassivated and Sc2O3-passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
334.
Hydrogen plasma passivation effects on properties of p-GaN
335.
Irokawa Y.; Luo B.; Kim Jihyun; LaRoche J. R.; Ren F.; Baik K. H.; Pearton S. J.; Pan C.-C.; Chen G.-T.; Chyi J.-I.; Park S. S.; Park Y. J.
Current–voltage and reverse recovery characteristics of bulk GaN ;p-i-n rectifiers
336.
Magnetic properties of Mn-implanted AlGaP alloys
337.
Polyakov A. Y.; Norton D. P.; Ip K.; Vdovin V. I.; Kozhukhova E. A.; Smirnov N. B.; Pearton S. J.
Properties of Au and Ag Schottky diodes prepared on undoped n-ZnO
338.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Proton implantation effects on electrical and luminescent properties of p-GaN
339.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Zavada J. M.; Pearton S. J.; Norton D. P.; Heo Y. W.; Overberg M. E.; Ip K.; Vdovin V. I.; Kozhukhova E. A.; Dravin V. A.
Proton implantation effects on electrical and recombination properties of undoped ZnO
340.
Frazier R.; Thaler G.; Overberg M.; Gila B.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Indication of hysteresis in AlMnN
341.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Kozhukhova E. A.; Vdovin V. I.; Ip K.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.
Electrical characteristics of Au and Ag Schottky contacts on n-ZnO
342.
Park Y. D.; Lim J. D.; Suh K. S.; Shim S. B.; Lee J. S.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kim Y. S.; Khim Z. G.; Wilson R. G.
Carrier-mediated ferromagnetic ordering in Mn ion-implanted p+GaAs:C
343.
Heo Y. W.; Park S. J.; Ip K.; Pearton S. J.; Norton D. P.
Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films
344.
Frazier R. M.; Stapleton J.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Rairigh R.; Kelly J.; Hebard A. F.; Nakarmi M. L.; Nam K. B.; Lin J. Y.; Jiang H. X.; Zavada J. M.; Wilson R. G.
Properties of Co-, Cr-, or Mn-implanted AlN
345.
Kim Jihyun; Nigam S.; Ren F.; Schoenfeld D.; Chung G. Y.; Pearton S. J.
High Dose Gamma-Ray Irradiation of SiC Schottky Rectifiers
346.
Ip K.; Frazier R. M.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kelly J.; Rairigh R.; Hebard A. F.; Zavada J. M.; Wilson R. G.
Ferromagnetism in Mn- and Co-implanted ZnO nanorods
347.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Ip K.; Overberg M. E.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Ren F.; Luo B.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Hydrogen plasma treatment effects on electrical and optical properties of n-ZnO
348.
Seo S. S. A.; Kim M. W.; Lee Y. S.; Noh T. W.; Park Y. D.; Thaler G. T.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Observation of sphere resonance peak in ferromagnetic GaN:Mn
349.
Luo B.; Gotthold D.; Birkhahn R.; Ren F.; Fitch R. C.; Gillespie J. K.; Jenkins T.; Sewell J.; Via D.; Crespo A.; Baca A. G.; Briggs R. D.; Peres B.; Pearton S. J.
Improved morphology for ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistors using WSix- or W-based metallization
350.
Overberg M. E.; Wilson R. G.; Hebard A. F.; Theodoropoulou N. A.; Kelly J.; Rairigh R.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Frazier R. M.; Thaler G. T.; Zavada J. M.
Ferromagnetic semiconductors based upon AlGaP
351.
Kim Jihyun; Ren F.; Baca A. G.; Pearton S. J.
Thermal stability of WSix and W Schottky contacts on n-GaN
352.
Ip K.; Nigam S.; Baik K. H.; Ren F.; Chung G. Y.; Gila B. P.; Pearton S. J.
Stability of SiC Schottky Rectifiers to Rapid Thermal Annealing
353.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Pashkova N. V.; Shlensky A. A.; Pearton S. J.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Zavada J. M.; Wilson R. G.
Electrical and optical properties of Cr and Fe implanted n-GaN
354.
Lee J. S.; Lim J. D.; Khim Z. G.; Park Y. D.; Pearton S. J.; Chu S. N. G.
Magnetic and structural properties of Co, Cr, V ion-implanted GaN
355.
Mehandru R.; Luo B.; Kim J.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Gotthold D.; Birkhahn R.; Peres B.; Fitch R.; Gillespie J.; Jenkins T.; Sewell J.; Via D.; Crespo A.
AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor high electron mobility transistors using ;Sc2O3 as the gate oxide and surface passivation
356.
Lee J. S.; Khim Z. G.; Park Y. D.; Norton D. P.; Budai J. D.; Boatner L. A.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Effects of Co Implantation in BaTiO3,SrTiO3, and KTaO3
357.
Kim Jihyun; Ren F.; Thaler G. T.; Frazier R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zavada J. M.; Wilson R. G.
Vertical and lateral mobilities in n-(Ga, ;Mn)N
358.
Luo B.; Kim Jihyun; Ren F.; Gillespie J. K.; Fitch R. C.; Sewell J.; Dettmer R.; Via G. D.; Crespo A.; Jenkins T. J.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.
Electrical characteristics of proton-irradiated Sc2O3 passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
359.
Luo B.; Kim Jihyun; Ren F.; Baca A. G.; Briggs R. D.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.
Effect of High-Energy Proton Irradiation on DC Characteristics and Current Collapse in MgO and Sc2O3 Passivated AlGaN/GaN HEMTs
360.
Kim Jihyun; Ren F.; Gila B. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Reversible barrier height changes in hydrogen-sensitive Pd/GaN and Pt/GaN diodes
361.
Norton D. P.; Theodoropoulou N. A.; Hebard A. F.; Budai J. D.; Boatner L. A.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Properties of Mn-Implanted BaTiO3,SrTiO3, and KTaO3
362.
Ip K.; Overberg M. E.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Stutz C. E.; Luo B.; Ren F.; Look D. C.; Zavada J. M.
Hydrogen incorporation and diffusivity in plasma-exposed bulk ZnO
363.
Norton D. P.; Pearton S. J.; Hebard A. F.; Theodoropoulou N.; Boatner L. A.; Wilson R. G.
Ferromagnetism in Mn-implanted ZnO:Sn single crystals
364.
Lee J. W.; Shul R. J.; Vawter G. A.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hahn Y. B.
Reactive Ion Beam Etching of In‐Containing Compound Semiconductors in an Inductively Coupled Cl;2/Ar Plasma
365.
Nigam S.; Kim Jihyun; Luo B.; Ren F.; Chung G. Y.; MacMillan M. F.; Williams J. R.; Pearton S. J.
Simulation and Experimental Characteristics of 4H-SiC Schottky Power Rectifiers
366.
Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Overberg M. E.; Thaler G. T.; Norton D. P.; Theodoropoulou N.; Hebard A. F.; Park Y. D.; Ren F.; Kim J.; Boatner L. A.
Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides
367.
Nigam S.; Kim Jihyun; Ren F.; Chung G.; MacMillan M. F.; Pearton S. J.
Influence of PECVD of SiO2 Passivation Layers on 4H-SiC Schottky Rectifiers
368.
Maynard R. K.; Pearton S. J.; Singh R. K.
Effect of CVD Temperature on Orientation, Roughness, and Chemical Mechanical Polish Removal Rate of W Thin Films
369.
Ip K.; Overberg M. E.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Kucheyev S. O.; Jagadish C.; Williams J. S.; Wilson R. G.; Zavada J. M.
Thermal stability of ion-implanted hydrogen in ZnO
370.
Ip K.; Baik K. H.; Overberg M. E.; Lambers E. S.; Heo Y. W.; Norton D. P.; Pearton S. J.; Ren F.; Zavada J. M.
Effect of high-density plasma etching on the optical properties and surface stoichiometry of ZnO
371.
Ip K.; Ren F.; MacMillan M. F.; Chung G. Y.; Baik K. H.; Lee K. P.; Nigam S.; Pearton S. J.
Effects of Ar inductively coupled plasma exposure on 4H-SiC Schottky rectifiers
372.
Luo B.; Mehandru R.; Kim J.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Crespo A.; Via D.; Sewell J.; Jenkins T.; Gillespie J.; Fitch R.; Pearton S. J.; Irokawa Y.
Comparison of Surface Passivation Films for Reduction of Current Collapse in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
373.
Polyakov A. Y.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Pashkova N. Y.; Thaler G. T.; Overberg M. E.; Frazier R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Kim Jihyun; Ren F.
Optical and electrical properties of GaMnN films grown by molecular-beam epitaxy
374.
Kim Jihyun; Ren F.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Pashova N. Y.; Thaler G. T.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Optical Absorption and Temperature-Dependent Resistivity of GaMnN Grown by Molecular Beam Epitaxy
375.
Nigam S.; MacMillan M. F.; Kim Jihyun; Ren F.; Chung G. Y.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Williams J. R.
High energy proton irradiation effects on SiC Schottky rectifiers
376.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Pashkova N. Y.; Kim J.; Ren F.; Overberg M. E.; Thaler G. T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Electrical and optical properties of GaN films implanted with Mn and Co
377.
Theodoropoulou N.; Hebard A. F.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Chu S. N. G.; Wilson R. G.
Unconventional Carrier-Mediated Ferromagnetism above Room Temperature in Ion-Implanted (Ga, Mn)P;C
378.
Baik K. H.; Irokawa Y.; Ren F.; Pearton S. J.; Park S. S.; Lee S. K.
Edge termination design and simulation for bulk GaN rectifiers
379.
Pearton S. J.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Theodoropoulou N. A.; Hebard A. F.; Chu S. N. G.; Osinsky A.; Fuflyigin V.; Zhu L. D.; Polyakov A. Y.; Wilson R. G.
Magnetic and structural characterization of Mn-implanted, single-crystal ZnGeSiN2
380.
Kim J.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Onstine A.; Luo B.; Lee K. P.; Shin J. H.; Johnson J. W.; Mehandru R.; Gila B.; Ren F.
Electrical Characterization of GaN Metal Oxide Semiconductor Diodes Using MgO as the Gate Oxide
381.
Kim Jihyun; Ren F.; Thaler G. T.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Pt Schottky contacts to n-(Ga,Mn)N
382.
Kim Jihyun; Mehandru R.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Irokawa Y.
Inversion behavior in Sc2O3/GaN gated diodes
383.
Kim Jihyun; Gila B. P.; Mehandru R.; Luo B.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Ren F.; Allums K. K.; Dwivedi R.; Forgarty T. N.; Wilkins R.; Irokawa Y.; Pearton S. J.
High-Energy Proton Irradiation of MgO/GaN Metal Oxide Semiconductor Diodes
384.
Mehandru R.; Gila B. P.; Kim J.; Johnson J. W.; Lee K. P.; Luo B.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.
Electrical Characterization of GaN Metal Oxide Semiconductor Diode Using Sc2O3 as the Gate Oxide
385.
Characteristics of MgO/GaN gate-controlled metal–oxide– semiconductor diodes
386.
Thaler G. T.; Overberg M. E.; Gila B.; Frazier R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Lee J. S.; Lee S. Y.; Park Y. D.; Khim Z. G.; Kim J.; Ren F.
Magnetic properties of n-GaMnN thin films
387.
Theodoropoulou N.; Hebard A. F.; Chu S. N. G.; Overberg M. E.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.; Zavada J. M.
Use of ion implantation to facilitate the discovery and characterization of ferromagnetic semiconductors
388.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Kozhukhova E. A.; Luo B.; Kim J.; Mehandru R.; Ren F.; Lee K. P.; Pearton S. J.; Osinsky A. V.; Norris P. E.
Band line-up and mechanisms of current flow in n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC heterojunctions
389.
Overberg M. E.; Chu S. N. G.; Wilson R. G.; Zavada J. M.; Hebard A. F.; Arnason S. B.; McCarthy K. T.; Theodoropoulou N. A.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Thaler G. T.; Gila B. P.; Park Y. D.
Room temperature magnetism in GaMnP produced by both ion implantation and molecular-beam epitaxy
390.
Pearton S. J.; Chow P. P.; Overberg M. E.; Thaler G.; Abernathy C. R.; Theodoropoulou N.; Hebard A. F.; Chu S. N. G.; Wilson R. G.; Zavada J. M.; Polyakov A. Y.; Osinsky A. V.; Norris P. E.; Wowchack A. M.; Van Hove J. M.; Park Y. D.
Characterization of High Dose Mn, Fe, and Ni implantation into p-GaN
391.
Theodoropoulou N.; Zavada J. M.; Wilson R. G.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Overberg M. E.; Chu S. N. G.; Hebard A. F.; Park Y. D.
Magnetic and structural properties of Fe, Ni, and Mn-implanted SiC
392.
Polyakov A. Y.; Osinsky A. V.; Pearton S. J.; Lee K. P.; Ren F.; Mehandru R.; Luo B.; Kim J.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Norris P. E.
Enhanced tunneling in GaN/InGaN multi-quantum-well heterojunction diodes after short-term injection annealing
393.
Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.
Effects of High Energy Proton Irradiation on DC Performance of GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistors
394.
Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.; Schoenfeld D.
Proton and Gamma-Ray Irradiation Effects on InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
395.
Luo B.; Johnson J. W.; Kim J.; Mehandru R. M.; Ren F.; Gila B. P.; Onstine A. H.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Baca A. G.; Briggs R. D.; Shul R. J.; Monier C.; Han J.
Influence of MgO and Sc2O3 passivation on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
396.
Harris K. K.; Abernathy C. R.; Gila B. P.; Deroaches J.; Lee K. N.; MacKenzie J. D.; Ren F.; Pearton S. J.
Microstructure and Thermal Stability of Aluminum Nitride Thin Films Deposited at Low Temperature on Silicon
397.
Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dabiran A. M.; Wowchack A. M.; Polley C. J.; Chow P. P.; Schoenfeld D.; Baca A. G.
Influence of 60Co γ-rays on dc performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
398.
Norton D. P.; Pearton S. J.; Christen H. M.; Budai J. D.
Hydrogen-assisted pulsed-laser deposition of epitaxial CeO2 films on (001)InP
399.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Osinsky A. V.; Norris P. E.; Pearton S. J.; Van Hove J.; Wowchak A.; Chow P.
Electrical and optical properties of modulation-doped p-AlGaN/GaN superlattices
400.
Luo B.; Ren F.; Dang G.; Zhang A.-P.; Lopata J.; Chu S. N. G.; Hobson W. S.; Pearton S. J.
p-Ohmic Contact Study for Intracavity Contacts in AlGaAs/GaAs Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers
401.
Magnetic Properties of Fe- and Mn-Implanted SiC
402.
Dang G.; Chu S. N. G.; Ren F.; Hobson W. S.; Luo B.; Lopata J.; Pearton S. J.
Device Series Resistance Calculations for Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers
403.
Zhang A. P.; Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Han J.; Pearton S. J.
Role of annealing conditions and surface treatment on ohmic contacts to p-GaN and p-Al0.1Ga0.9N/GaN superlattices
404.
Characterization of high dose Fe implantation into p-GaN
405.
Overberg Mark E.; Gila Brent P.; Abernathy Cammy R.; Pearton Stephen J.; Theodoropoulou Nikoleta A.; McCarthy Kevin T.; Arnason Stephen B.; Hebard Arthur F.
Magnetic properties of P-type GaMnP grown by molecular-beam epitaxy
406.
Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Baik K. H.; Pearton S. J.
Electrical effects of plasma enhanced chemical vapor deposition of SiNx on GaAs Schottky rectifiers
407.
Polyakov A. Y.; Wowchack A. M.; Van Hove J.; Pearton S. J.; Norris P. E.; Osinsky A. V.; Govorkov A. V.; Smirnov N. B.; Chow P. P.
Electronic states in modulation doped p-AlGaN/GaN superlattices
408.
Kent D. G.; Overberg M. E.; Pearton S. J.
Co-implantation of Be+O and Mg+O into GaN
409.
Luo B.; Johnson J. W.; Ren F.; Allums K. K.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Dwivedi R.; Fogarty T. N.; Wilkins R.; Dabiran A. M.; Wowchack A. M.; Polley C. J.; Chow P. P.; Baca A. G.
dc and rf performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
410.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Pearton S. J.; Ren F.; Theys B.; Jomard F.; Teukam Z.; Dmitriev V. A.; Nikolaev A. E.; Usikov A. S.; Nikitina I. P.
Fermi level dependence of hydrogen diffusivity in GaN
411.
Zhang A. P.; Johnson J. W.; Luo B.; Ren F.; Pearton S. J.; Park S. S.; Park Y. J.; Chyi J.-I.
Vertical and lateral GaN rectifiers on free-standing GaN substrates
412.
Lee J. W.; Jeon M. H.; Sasserath J. N.; Johnson D.; Westerman R.; Lee Y. S.; Devre M.; Kim K. K.; Chang S. K.; Yim H. C.; Cho G. S.; Pearton S. J.
Utilization of Optical Emission Spectroscopy for End-Point Detection during AlGaAs/GaAs and InGaP/GaAs Etching in BCl3/N2 Inductively Coupled Plasmas
413.
Overberg Mark E.; Abernathy Cammy R.; Pearton Stephen J.; Theodoropoulou Nikoleta A.; McCarthy Kevin T.; Hebard Arthur F.
Indication of ferromagnetism in molecular-beam-epitaxy-derived N-type GaMnN
414.
Kucheyev S. O.; Williams J. S.; Zou J.; Pearton S. J.; Nakagawa Y.
Implantation-produced structural damage in InxGa1-x;N
415.
Cho H.; Pearton S. J.; Ren F.; Chu S. N. G.; Leerungnawarat P.; Lee K. P.; Zetterling C.-M.
High density plasma via hole etching in SiC
416.
Lee K. P.; Zhang A. P.; Dang G.; Pearton S. J.; Abenathy C. R.; Lopata J.; Hobson W. S.; Han J.; Ren F.; Lee J. W.
Process development for small-area GaN/AlGaN heterojunction bipolar transistors
417.
Johnson J. W.; Gila B. P.; Luo B.; Lee K. P.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Chyi J. I.; Nee T. E.; Lee C. M.; Chuo C. C.; Ren F.
SiO2/Gd2O3/GaN Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
418.
Hsu C. H.; Ip K. P.; Johnson J. W.; Chu S. N. G.; Kryliouk O.; Pearton S. J.; Li L.; Chai B. H. T.; Anderson T. J.; Ren F.
Wet Chemical Etching of LiGaO2 and LiAlO2
419.
Magnetic and structural properties of Mn-implanted GaN
420.
Im Y. H.; Hahn Y. B.; Pearton S. J.
Level set approach to simulation of feature profile evolution in a high-density plasma-etching system
421.
Zhang A. P.; Han J.; Ren F.; Waldrip K. E.; Abernathy C. R.; Luo B.; Dang G.; Johnson J. W.; Lee K. P.; Pearton S. J.
GaN Bipolar Junction Transistors with Regrown Emitters
422.
Zhang A. P.; Govorkov A. V.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Johnson J. W.; Ren F.; Han J.; Redwing J. M.; Lee K. P.; Pearton S. J.
Lateral AlxGa1-x;N power rectifiers with 9.7 kV reverse breakdown voltage
423.
Dang G.; Cho H.; Ip K. P.; Pearton S. J.; Chu S. N. G.; Lopata J.; Hobson W. S.; Chirovsky L. M. F.; Ren F.
Comparison of Dry and Wet Etch Processes for Patterning SiO2/TiO2 Distributed Bragg Reflectors for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
424.
Gilbert Donald R.; Novikov Alexander; Patrin Nikolay; Budai John S.; Kelly Frank; Chodelka Robert; Abbaschian Reza; Pearton Stephen J.; Singh Rajiv
High-pressure process to produce GaN crystals
425.
Johnson J. W.; Luo B.; Ren F.; Gila B. P.; Krishnamoorthy W.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Chyi J. I.; Nee T. E.; Lee C. M.; Chuo C. C.
Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
426.
Cho B. C.; Im Y. H.; Hahn Y. B.; Nahm K. S.; Lee Y. S.; Pearton S. J.
Inductively Coupled Plasma Etching of Doped GaN Films with Cl2/Ar Discharges
427.
Im Y. H.; Park J. S.; Hahn Y. B.; Nahm K. S.; Lee Y-.S.; Cho B. C.; Lim K. Y.; Lee H. J.; Pearton S. J.
Cl2-based dry etching of GaN films under inductively coupled plasma conditions
428.
Zeitouny A.; Eizenberg M.; Pearton S. J.; Ren F.
Contact resistivity and transport mechanisms in W contacts to p- and n-GaN
429.
Overberg M. E.; Brand J.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
The Effect of Er Concentration on the Morphology and Photoluminescence of GaN:Er
430.
Cho H.; Lee K. P.; Hahn Y. B.; Lambers E. S.; Pearton S. J.
Effects of ultraviolet illumination on dry etch rates of NiFe-based magnetic multilayers
431.
Lee J. W.; Devre M. W.; Reelfs B. H.; Johnson D.; Sasserath J. N.; Clayton F.; Hays D.; Pearton S. J.
Advanced selective dry etching of GaAs/AlGaAs in high density inductively coupled plasmas
432.
Lee K. P.; Jung K. B.; Singh R. K.; Pearton S. J.; Hobbs C.; Tobin P.
Comparison of plasma chemistries for dry etching of Ta2O5
433.
Zhang A. P.; Dang G. T.; Ren F.; Van Hove J. M.; Klaassen J. J.; Chow P. P.; Cao X. A.; Pearton S. J.
Effect of N2 discharge treatment on AlGaN/GaN high electron mobility transistor ohmic contacts using inductively coupled plasma
434.
Cao X. A.; Zhang A. P.; Dang G. T.; Ren F.; Pearton S. J.; Shul R. J.; Zhang L.
Schottky diode measurements of dry etch damage in n- and p-type GaN
435.
Shul R. J.; Han J.; Zhang L.; Baca A. G.; Willison C. G.; Pearton S. J.; Ren F.
Inductively coupled plasma-induced etch damage of GaN p-n junctions
436.
Dang G. T.; Zhang A. P.; Mshewa M. M.; Ren F.; Chyi J.-I.; Lee C.-M.; Chuo C. C.; Chi G. C.; Han J.; Chu S. N. G.; Wilson R. G.; Cao X. A.; Pearton S. J.
High breakdown voltage Au/Pt/GaN Schottky diodes
437.
Cao X. A.; Dang G. T.; Zhang A. P.; Ren F.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Van Hove J. M.; Klaassen J. J.; Polley C. J.; Wowchack A. M.; Chow P. P.; King D. J.; Chu S. N. G.
Common‐Base Operation of ;GaN Bipolar Junction Transistors
438.
Kucheyev S. O.; Williams J. S.; Jagadish C.; Li G.; Pearton S. J.
Strong surface disorder and loss of N produced by ion bombardment of GaN
439.
Zhang A. P.; Dang G.; Ren F.; Han J.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Redwing J. M.; Cho H.; Pearton S. J.
Temperature dependence and current transport mechanisms in AlxGa1-x;N Schottky rectifiers
440.
Monier C.; Pearton S. J.; Chang P. C.; Baca A. G.; Ren F.
Effect of Mg ionization efficiency on performance of Npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
441.
Zhang A. P.; Dang G. T.; Ren F.; Han J.; Baca A. G.; Shul R. J.; Cho H.; Monier C.; Cao X. A.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Direct-current characteristics of pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
442.
Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Dang G.; Zhang A. P.; Ren F.; Cao X. A.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Electrical properties and defect states in undoped high-resistivity GaN films used in high-power rectifiers
443.
Cho H.; Lee K.-P.; Jung K. B.; Pearton S. J.; Marburger J.; Sharifi F.; Hahn Y. B.; Childress J. R.
Corrosion-free dry etch patterning of magnetic random access memory stacks: Effects of ultraviolet illumination
444.
Lee J. W.; Pearton S. J.; Sasserath J. N.; Johnson D.; Mackenzie K. D.; Ren F.
Low Temperature Silicon Nitride and Silicon Dioxide Film Processing by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition
445.
Zhang A. P.; Dang G.; Ren F.; Han J.; Polyakov A. Y.; Smirnov N. B.; Govorkov A. V.; Redwing J. M.; Cao X. A.; Pearton S. J.
Al composition dependence of breakdown voltage in AlxGa1-x;N Schottky rectifiers
446.
Cao X. A.; Dang G. T.; Zhang A. P.; Ren F.; Van Hove J. M.; Klaassen J. J.; Polley C. J.; Wowchak A. M.; Chow P. P.; King D. J.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
High Current, Common‐Base ;GaN‐AIGaN; Heterojunction Bipolar Transistors
447.
Cho H.; Strong R. M.; Leerungnawarat P.; Hays D. C.; Pearton S. J.; Chu S. N. G.; Zetterling C.-M.; Östling M.; Ren F.
Ultradeep, low-damage dry etching of SiC
448.
Zhang A. P.; Dang G.; Ren F.; Cao X. A.; Cho H.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Shul R. J.; Zhang L.; Baca A. G.; Hickman R.; Van Hoved J. M.
Cl2/Ar High‐Density‐Plasma Damage in GaN Schottky Diodes
449.
Cao X. A.; Pearton S. J.; Dang G. T.; Zhang A. P.; Ren F.; Wilson R. G.; Van Hove J. M.
Creation of high resistivity GaN by implantation of Ti, O, Fe, or Cr
450.
Lee K. P.; Cho H.; Singh R. K.; Pearton S. J.; Hobbs C.; Tobin P.
Ultraviolet light enhancement of Ta2O5 dry etch rates
451.
LaRoche J. R.; Ren F.; Lothian R.; Hong J.; Pearton S. J.; Lambers E.; Hsu C. H.; Wu C. S.; Hoppe M.
Thermal stability and etching characteristics of electron beam deposited SiO and SiO2
452.
Park Y. D.; Jung K. B.; Overberg M.; Temple D.; Pearton S. J.; Holloway P. H.
Comparative study of Ni nanowires patterned by electron-beam lithography and fabricated by lift-off and dry etching techniques
453.
Jung K. B.; Marburger J.; Sharifi F.; Park Y. D.; Lambers E. S.; Pearton S. J.
Long term stability of dry etched magnetoresistive random access memory elements
454.
Cao X. A.; Pearton S. J.; Dang G.; Zhang A. P.; Ren F.; Van Hove J. M.
Effects of interfacial oxides on Schottky barrier contacts to n- and p-type GaN
455.
Lee J. W.; Westerman R.; Mackenzie K. D.; Donohue J. F.; Johnson D.; Sasserath J. N.; Liddane K.; Pearton S. J.
905 ;nm Wavelength Laser as a Means for In Situ End‐point Detection of Dry Etching of ;AlxGa1-x;As on GaAs
456.
Pearton S. J.; Cho H.; LaRoche J. R.; Ren F.; Wilson R. G.; Lee J. W.
Oxygen diffusion into SiO2-capped GaN during annealing
457.
Jung K. B.; Cho H.; Lee K. P.; Marburger J.; Sharifi F.; Singh R. K.; Kumar D.; Dahmen K. H.; Pearton S. J.
Development of chemically assisted dry etching methods for magnetic device structures
458.
Park Y. D.; Temple D.; Jung K. B.; Kumar D.; Holloway P. H.; Pearton S. J.
Fabrication and magneto-transport and SQUID measurements of submicron spin-valve structures
459.
Ren F.; Lothian J. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.; LaRoche J. R.; Ren C.-C.; Lee J. W.; Johnson D.
Erratum: “Novel ;In Situ Ion Bombardment Process for a Thermally Stable (>800°;C); Plasma Deposited Dielectric” [Electrochem. Solid‐State Lett., ;2, 537 (1999)]
460.
Hays D. C.; Cho H.; Lee J. W.; Devre M. W.; Reelfs B. H; Johnson D.; Sasserath J. N.; Meyer L. C.; Toussaint E.; Ren F.; Pearton S. J
GaAs/InGaP; Selective Etching in BCl3/;SF6 High‐Density Plasmas
461.
Cao X. A.; Hickman R.; Pearton S. J.; Zhang A. P.; Dang G. T.; Ren F.; Shul R. J.; Zhang L.; Van Hove J. M.
Electrical effects of plasma damage in p-GaN
462.
Hays D. C.; Jung K. B.; Hahn Y. B.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Donahue J.; Johnson D.; Shul R. J.
Comparison of F2‐Based Gases for High‐Rate Dry Etching of Si
463.
Lee Kyu-Pil; Hobbs C.; Pearton S. J.; Singh R. K.; Jung K. B.; Tobin P.
Inductively Coupled Plasma Etching of Ta2O5
464.
Lee K. P.; Jung K. B.; Srivastava A.; Kumar D.; Singh R. K.; Pearton S. J.
Dry Etching of BaSrTiO3 and LaNiO3 Thin Films in Inductively Coupled Plasmas
465.
Novel In Situ Ion Bombardment Process for a Thermally Stable (>800°;C); Plasma Deposited Dielectric
466.
Leerungnawarat P.; Zetterling C.-M.; Strong R. M.; Pearton S. J.; Cho H.; Hays D. C.; Östling M.
Via-hole etching for SiC
467.
Dang G.; Cao X. A.; Ren F.; Pearton S. J.; Han J.; Baca A. G.; Shul R. J.
Oxygen implant isolation of n-GaN field-effect transistor structures
468.
Dang G.; Zhang A. P.; Cao X. A.; Ren F.; Cho H.; Pearton S. J.; Shul R.J.; Zhang L.; Hickman R.; Hove J. M. Van
Electrical Effects of Ar Plasma Damage on GaN Diode Rectifiers
469.
LaRoche J. R.; Ren F.; Lothian J. R.; Hong J.; Pearton S. J.; Lambers E.
The Use of Amorphous SiO and SiO2 to Passivate AuGe-Based Contact for GaAs Integrated Circuits
470.
Cao X. A.; Cho H.; Pearton S. J.; Dang G. T.; Zhang A. P.; Ren F.; Shul R. J.; Zhang L.; Hickman R.; Van Hove J. M.
Depth and thermal stability of dry etch damage in GaN Schottky diodes
471.
Cao X. A.; Hickman R.; Zhang L.; Shul R. J.; Pearton S. J.; Ren F.; Cho H.; Dang G. T.; Zhang A. P.; Van Hove J. M.
Inductively coupled plasma damage in GaN Schottky diodes
472.
Jung K. B.; Cho H.; Hahn Y. B.; Hays D. C.; Lambers E. S.; Park Y. D.; Feng T.; Childress J. R.; Pearton S. J.
Effect of inert gas additive on Cl2-based inductively coupled plasma etching of NiFe and NiFeCo
473.
Cho H.; Hahn Y.-B.; Hays D. C.; Abernathy C. R.; Donovan S. M.; MacKenzie J. D.; Pearton S. J.; Han J.; Shul R. J.
III-nitride dry etching: Comparison of inductively coupled plasma chemistries
474.
Lee J. W.; Johnson D.; Mackenzie K. D.; Shul R. J.; Hahn Y. B.; Hays D. C.; Abernathy C. R.; Ren F.; Pearton S. J.
Damage to III–V devices during electron cyclotron resonance chemical vapor deposition
475.
Hong J.; Caballero J. A.; Lambers E. S.; Childress J. R.; Pearton S. J.
Comparison of Cl2 and F2 based chemistries for the inductively coupled plasma etching of NiMnSb thin films
476.
Wilson R. G.; Zavada J. M.; Zolper J. C.; Rieger D. J.; Han J.; Shu R. J.; Scarvepalli V.; Sekhar J. A.; Fu M.; Pennycook S. J.; Guo H. J.; Pearton S. J.; Singh R. K.; Cao X. A.; Abernathy C. R.
Redistribution and activation of implanted S, Se, Te, Be, Mg, and C in GaN
477.
Cao X. A.; Ren F.; Pearton S. J.; Zeitouny A.; Eizenberg M.; Zolper J. C.; Abernathy C. R.; Han J.; Shul R. J.; Lothian J. R.
W and WSix Ohmic contacts on p- and n-type GaN
478.
Lee K. P.; Jung K. B.; Cho H.; Kumar D.; Pietambaram S. V.; Singh R. K.; Hogan P. H.; Dahmen K. H.; Hahn Y. B.; Pearton S. J.
Cl2‐;Based Dry Etching of Doped Manganate Perovskites; PrBaCaMnO3 and LaSrMnO3
479.
Meyer L. C.; Lee J. W.; Johnson D.; Huang M.; Ren F.; Anderson T. J.; LaRoche J. R.; Lothian J. R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Study of NH3 Plasma Damage on GaAs Schottky Diode in Inductively Coupled Plasma System
480.
Pearton S. J.; Zolper J. C.; Shul R. J.; Ren F.
GaN: Processing, defects, and devices
481.
Han J.; Baca A. G.; Shul R. J.; Willison C. G.; Zhang L.; Ren F.; Zhang A. P.; Dang G. T.; Donovan S. M.; Cao X. A.; Cho H.; Jung K. B.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Wilson R. G.
Growth and fabrication of GaN/AlGaN heterojunction bipolar transistor
482.
Hahn Y. B.; Hays D. C.; Donovan S. M.; Abernathy C. R.; Han J.; Shul R. J.; Cho H.; Jung K. B.; Pearton S. J.
Effect of additive noble gases in chlorine-based inductively coupled plasma etching of GaN, InN, and AlN
483.
Jung K. B.; Cho H.; Hahn Y. B.; Lambers E. S.; Onishi S.; Johnson D.; Hurst A. T.; Childress J. R.; Park Y. D.; Pearton S. J.
Relative merits of Cl2 and CO/NH3 plasma chemistries for dry etching of magnetic random access memory device elements
484.
Comparison of Cl2/He, Cl2/Ar, and Cl2/Xe Plasma Chemistries for Dry Etching of NiFe and NiFeCo
485.
Ren F.; Antonell M. J.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; LaRoche J. R.; Cole M. W.; Lothian J. R.; Gedridge R. W.
Nonalloyed high temperature ohmic contacts on Te-doped InP
486.
Hahn Y. B.; Lee J. W.; Vawter G. A.; Shul R. J.; Abernathy C. R.; Hays D. C.; Lambers E. S.; Pearton S. J.
Reactive ion beam etching of GaAs and related compounds in an inductively coupled plasma of Cl2–Ar; mixture
487.
Jung K. B.; Hong J.; Cho H.; Onishi S.; Johnson D.; Park Y. D.; Childress J. R.; Pearton S. J.
Patterning of NiFe and NiFeCo in CO/NH3 high density plasmas
488.
Cho H.; Jung K. B.; Hahn Y. B.; Hays D. C.; Caballero J. A.; Childress J. R.; Pearton S. J.
Interhalogen Plasma Chemistries for the Etching of NiMnSb
489.
Ren F.; Hong M.; Chu S. N. G.; Marcus M. A.; Schurman M. J.; Baca A.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.
Effect of temperature on Ga2O3(Gd2O3)/GaN metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
490.
Ren F.; LaRoche J.; Anderson T.; Pearton S. J.; Lee J. W.; Johnson D.; Lothian J. R.; Lin J.; Weiner J. S.; Shul R. J.; Wu C. S.
Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposited Silicon Nitride for T‐Gate Passivation
491.
Patterning of thin film NiMnSb using inductively coupled plasma etching
492.
Lee J. W.; Pearton S. J.; Ren F.; Kopf R. F.; Kuo J. M.; Shul R. J.; Constantine C.; Johnson D.
High Density Plasma Damage in InGaP/GaAs and AlGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistors
493.
Jung K. B.; Lambers E. S.; Childress J. R.; Pearton S. J.; Jenson M.; Hurst A. T.
Cl2‐Based Inductively Coupled Plasma Etching of NiFe and Related Materials
494.
Hahn Y. B.; Lee J. W.; Mackenzie K.; Johnson D.; Hays D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.
Electrical Effects in GaAs and AlGaAs during Inductively Coupled Plasma‐Enhanced Chemical Vapor Deposition of ;SiNx Films
495.
Pearton S. J.; Wilson R. G.; Zavada J. M.; Han J.; Shul R. J.
Thermal stability of 2H-implanted n- and p-type GaN
496.
Hong J.; Cho H.; Maeda T.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Shul R. J.; Hobson W. S.
New plasma chemistries for dry etching of InGaAlP alloys: BI3 and BBr3
497.
Cao X. A.; Pearton S. J.; Ren F.; Lothian J. R.
Thermal stability of W and WSix contacts on p-GaN
498.
Cao X. A.; Abernathy C. R.; Singh R. K.; Pearton S. J.; Fu M.; Sarvepalli V.; Sekhar J. A.; Zolper J. C.; Rieger D. J.; Han J.; Drummond T. J.; Shul R. J.; Wilson R. G.
Ultrahigh Si+ implant activation efficiency in GaN using a high-temperature rapid thermal process system
499.
Wang J. J.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Ostling M.; Zetterling C.-M.; Grow J. M.; Ren F.; Shul R. J.
Inductively coupled plasma etching of bulk 6H-SiC and thin-film SiCN in NF3 chemistries
500.
Lee J. W.; Pathangey B.; Davidson M. R.; Holloway P. H.; Lambers E. S.; Davydov B.; Anderson T. J.; Pearton S. J.
Comparison of plasma chemistries for dry etching thin film electroluminescent display materials
501.
Hong J.; Childress J. R.; Lambers E. S.; Caballero J. A.; Pearton S. J.
Inductively coupled plasma etch processes for NiMnSb
502.
Lee J. W.; Park Y. D.; Childress J. R.; Pearton S. J.; Sharifi F.; Ren F.
Copper Dry Etching with Cl2/;Ar Plasma Chemistry
503.
MacKenzie J. D.; Zavada J.; Linares R.; Holloway P. H.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Donovan S. M.; Chai B.
Growth of III‐Nitrides on ZnO, ;LiGaO2, and LiAlO2 Substrates
504.
Wang J. J.; Childress J. R.; Pearton S. J.; Sharifi F.; Dahmen K. H.; Gillman E. S.; Cadieu F. J.; Rani R.; Qian X. R.; Chen Li
Dry Etch Patterning of LaCaMnO3 and SmCo Thin Films
505.
Lee J. W.; Davidson M. R.; Pathangey B.; Holloway P. H.; Pearton S. J.
Dry Etching of SrS Thin Films
506.
High Selectivity Dry Etching of InGaP Over AlInP in BI3 and BBr3 Plasma Chemistries
507.
MacKenzie J. Devin; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hömmerich U.; Seo J. T.; Wilson R. G.; Zavada John M.
Er doping of GaN during growth by metalorganic molecular beam epitaxy
508.
Lee J. W.; Anderson T. J.; Davydov A.; Lambers E. S.; Holloway P. H.; Davidson M. R.; Pathangey B.; Pearton S. J.
Electron cyclotron resonance plasma etching of oxides and SrS and ZnS-based electroluminescent materials for flat panel displays
509.
Development of electron cyclotron resonance and inductively coupled plasma high density plasma etching for patterning of NiFe and NiFeCo
510.
Cho Hyun; Shul R. J.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Donovan S. M.; Vartuli C. B.; Constantine C.
Comparison of inductively coupled plasma Cl2 and Cl4/H2 etching of III-nitrides
511.
Pearton S. J.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Hömmerich U.; Zavada J. M.; Wilson R. G.; Schwartz R. N.
Effect of atomic hydrogen on Er luminescence from AlN
512.
Shul R. J.; Willison C. G.; Bridges M. M.; Han J.; Lee J. W.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Donovan S. M.; Zhang L.; Lester L. F.
Selective inductively coupled plasma etching of group-III nitrides in Cl2- and BCl3-based plasmas
513.
Hong J.; Shul R. J.; Pearton S. J.; Lambers E. S.; Abernathy C. R.; Lee J. W.; Hobson W. S.
Comparison of plasma chemistries for inductively coupled plasma etching of InGaAlP alloys
514.
Weinstein Marcie G.; Song C. Y.; Stavola Michael; Pearton S. J.; Wilson R. G.; Shul R. J.; Killeen K. P.; Ludowise M. J.
Hydrogen-decorated lattice defects in proton implanted GaN
515.
Tan H. H.; Williams J. S.; Zou J.; Cockayne D. J. H.; Pearton S. J.; Zolper J. C.; Stall R. A.
Annealing of ion implanted gallium nitride
516.
Cole M. W.; Ren F.; Pearton S. J.
Post growth rapid thermal annealing of GaN: The relationship between annealing temperature, GaN crystal quality, and contact-GaN interfacial structure
517.
Materials Characterization of WSi Contacts to n+;‐GaN as a Function of Rapid Thermal Annealing Temperatures
518.
Hong J.; Caballero J. A.; Geerts W.; Childress J. R.; Pearton S. J.
Dry and Wet Etch Processes for NiMnSb Heusler Alloy Thin Films
519.
Pearton S. J.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Hömmerich U.; Wu X.; Wilson R. G.; Schwartz R. N.; Zavada J. M.; Ren F.
Luminescence enhancement in AlN(Er) by hydrogenation
520.
Lee J. W.; Hays D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hobson W. S.; Constantine C.
Inductively Coupled Ar Plasma Damage in AlGaAs
521.
High rate dry etching of Ni0.8Fe0.2 and NiFeCo
522.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Lee J. W.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Shul R. J.; Constantine C.; Barratt C.
Inductively Coupled Plasma Etching of III‐V Nitrides in ;CH4/;H2/;Ar and CH4/;H2/;N2 Chemistries
523.
Ren F.; Lee J. W.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Constantine C.; Barratt C.; Shul R. J.
Dry etch damage in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors exposed to inductively coupled plasma and electron cyclotron resonance Ar plasmas
524.
Vartuli C. B.; Skronowski M.; Greve D. W.; Shin M.; Polyakov A. Y.; Lee J. W.; Pearton S. J.; Shul R. J.
Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching of AlGaN in Cl2/Ar and BCl3/Ar Plasmas
525.
Zolper J. C.; Tan H. H.; Williams J. S.; Zou J.; Cockayne D. J. H.; Pearton S. J.; Crawford M. Hagerott; Karlicek R. F.
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
526.
Donovan S. M.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Ren F.; Jones K.; Cole M.
InN-based Ohmic contacts to InAlN
527.
Ren F.; Barratt C.; Lee J. W.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Constantine C.; Shul R. J.
Dry etch damage in inductively coupled plasma exposed GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors
528.
Lee J. W.; Hong J.; Lambers E. S.; Pearton S. J.
IC1 plasma etching of III–V semiconductors
529.
Lee J. W.; Lee K. N.; Stradtmann R. R.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hobson W. S.; Ren F.
Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF6 plasmas
530.
McDaniel G.; Lee J. W.; Lambers E. S.; Pearton S. J.; Holloway P. H.; Ren F.; Grow J. M.; Bhaskaran M.; Wilson R. G.
Comparison of dry etch chemistries for SiC
531.
Ren F.; Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Donovan S. M.; MacKenzie J. D.; Shul R. J.; Zolper J. C.; Lovejoy M. L.; Baca A. G.; Hagerott-Crawford M.; Jones K. A.
Comparison of ohmic metallization schemes for InGaAlN
532.
Hong J.; Lee J. W.; Vartuli C. B.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Donovan S. M.; Pearton S. J.; Zolper J. C.
Rapid thermal processing of III-nitrides
533.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Lee J. W.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Shul R. J.
Plasma etching of III-nitrides in ICl/Ar and IBr/Ar plasmas
534.
Shul R. J.; McClellan G. B.; Briggs R. D.; Rieger D. J.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Lee J. W.; Constantine C.; Barratt C.
High-density plasma etching of compound semiconductors
535.
McLane G. F.; Wood M. C.; Eckart D. W.; Lee J. W.; Lee K. N.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.
Dry etching of InGaP in magnetron enhanced BCl3 plasmas
536.
Jung K. B.; Lee J. W.; Park Y. D.; Caballero J. A.; Childress J. R.; Pearton S. J.; Ren F.
Patterning of Cu, Co, Fe, and Ag for magnetic nanostructures
537.
Cabbibo A.; Childress J. R.; Pearton S. J.; Ren F.; Kuo J. M.
Fabrication of spin-current field-effect transistor structures
538.
Wu X.; Wilson R. G.; Schwartz R. N.; Hömmerich U.; Mackenzie J. D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zavada J. M.
Direct and indirect excitation of Er3+ ions in Er: AIN
539.
Pearton Stephen J.
Dry etching processes for fabrication of QWIPs and other detector structures
540.
Lee J. W.; Constantine C.; Shul R. J.; Hobson W. S.; Ren F.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Barratt C.
Inductively Coupled Plasma Etch Damage in GaAs and InP Schottky Diodes
541.
Electron cyclotron resonance etching of III–V nitrides in IBr/Ar plasmas
542.
Wilson R. G.; Chai B. L. H.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Ren F.; Zavada J. M.
Thermal stability of hydrogen in LiAlO2 and LiGaO2
543.
Lee J. W.; Wilson R. G.; Zavada J. M.; Hagerott-Crawford M.; Zolper J. C.; Shul R. J.; Pearton S. J.; Mileham J. R.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Vartuli C. B.; Schwartz R. N.
Etching processes for fabrication of GaN/InGaN/AlN microdisk laser structures
544.
Vartuli C. B.; Lambers E. S.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Zolper J. C.
High temperature surface degradation of III–V nitrides
545.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Shul R. J.; Zolper J. C.; Lovejoy M. L.; Baca A. G.; Hagerott-Crawford M.
Thermal stability of W, WSix, and Ti/Al ohmic contacts to InGaN, InN, and InAlN
546.
Gillis H. P.; Pearton S. J.; Martin K. P.; Choutov D. A.; Abernathy C. R.
Low Energy Electron‐Enhanced Etching of GaN/Si in Hydrogen Direct Current Plasma
547.
Vartuli C. B.; Shul R. J.; Zolper J. C.; Mackenzie J. D.; Abernathy C. R.; Lee J. W.; Pearton S. J.; Ren F.
Wet Chemical Etching of AlN and InAlN in KOH Solutions
548.
Hong J.; Lee J. W.; Lambers E. S.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Constantine C.; Hobson W. S.
Comparison of ICl and IBr Plasma Chemistries for Etching of InGaAlP Alloys
549.
Tan H. H.; Williams J. S.; Zou J.; Cockayne D. J. H.; Pearton S. J.; Stall R. A.
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
550.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Shul R. J.
Selective Dry Etching of III‐V Nitrides in ;Cl2/;Ar, CH;4/;H2/;Ar, ICl/Ar, and IBr/Ar
551.
Ren F.; Hobson W. S.; Lothian J. R.; Lopata J.; Pearton S. J.; Caballero J. A.; Cole M. W.
Extremely High Etch Rates of In‐Based III‐V Semiconductors in ;BCl3/;N2 Based Plasma
552.
Shul R. J.; Abernathy C. R.; Howard A. J.; Pearton S. J.; Vartuli C. B.
High‐Density Etching of Group III Nitride Ternary Films
553.
Vartuli C. B.; MacKenzie J. D.; Lee J. W.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Shul R. J.
Cl2/Ar and CH4/H2/Ar dry etching of III–V nitrides
554.
MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hömmerich U.; Wu X.; Schwartz R. N.; Wilson R. G.; Zavada J. M.
Er doping of AlN during growth by metalorganic molecular beam epitaxy
555.
Pearton S. J.; Bendi S.; Jones K. S.; Krishnamoorthy V.; Wilson R. G.; Ren F.; Karlicek R. F.; Stall R. A.
Reactivation of acceptors and trapping of hydrogen in GaN/InGaN double heterostructures
556.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Lee J. W.; Hong J.; MacKenzie J. D.; Abernathy C. R.; Shul R. J.
ICl/Ar electron cyclotron resonance plasma etching of III–V nitrides
557.
Stradtmann R. R.; Pearton S. J.; Abenathy C. R.; Lee J. W.; Hobson W. S.
Ar Plasma‐Induced Damage in AlGaAs
558.
Ren F.; Lothian J. R.; Chen Y. K.; MacKenzie J. D.; Donovan S. M.; Vartuli C. B.; Abernathy C. R.; Lee J. W.; Pearton S. J.
Effect of BCl3 Dry Etching on InAlN Surface Properties
559.
Shul R. J.; McClellan G. B.; Casalnuovo S. A.; Rieger D. J.; Pearton S. J.; Constantine C.; Barratt C.; Karlicek R. F.; Tran C.; Schurman M.
Inductively coupled plasma etching of GaN
560.
Lee J. W.; Lee K. N.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Hobson W. S.; Han H.; Zolper J. C.
Si, Be, and C ion implantation in GaAs0.93P0.07
561.
Lee J.W.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Zavada J. M.; Chai B. L. H.
Wet and Dry Etching of LiGaO2 and LiAlO2
562.
Zolper J. C.; Rieger D. J.; Baca A. G.; Pearton S. J.; Lee J. W.; Stall R. A.
Sputtered AlN encapsulant for high‐temperature annealing of GaN
563.
Durbha A.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Lee J. W.; Holloway P. H.; Ren F.
Microstructural stability of ohmic contacts to InxGa1-;xN
564.
Lee J. W.; Hobson W. S.; Pearton S. J.; Lambers E. S.; Abernathy C. R.; Hong J.; Ren F.
Cl2/Ar plasma etching of binary, ternary, and quaternary In‐based compound semiconductors
565.
Cole M. W.; Eckart D. W.; Han W. Y.; Pfeffer R. L.; Monahan T.; Ren F.; Yuan C.; Stall R. A.; Pearton S. J.; Li Y.; Lu Y.
Thermal stability of W ohmic contacts to n‐type GaN
566.
Lee J. W.; Hong J.; Lambers E. S.; Abernathy C. R.; Pearton S. J.; Hobson W. S.; Ren F.
Cl2‐Based Dry Etching of GaAs, AlGaaAs, and GaP
567.
Pearton S. J.; Lee J. W.; Grow J. M.; Bhaskaran M.; Ren F.
Thermal stability of dry etch damage in SiC
568.
Pearton S. J.; Lee J. W.; Yuan C.
Minority‐carrier‐enhanced reactivation of hydrogen‐passivated Mg in GaN
569.
Ren F.; Lothian J. R.; Kuo J. M.; Hobson W. S.; Lopata J.; Caballero J. A.; Pearton S. J.; Cole M. W.
BCl3/N2 dry etching of InP, InAlP, and InGaP
570.
Lee J. W.; Crockett R. V.; Pearton S. J.
Comparison of masking materials for high microwave power CH4/H2/Ar etching of III–V semiconductors
571.
Mileham J. R.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; MacKenzie J. D.; Shul R. J.; Kilcoyne S. P.
Patterning of AlN, InN, and GaN in KOH‐based solutions
572.
Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Vartuli C. B.; Lee J. W.; MacKenzie J. D.; Wilson R. G.; Shul R. J.; Ren F.; Zavada J. M.
Unintentional hydrogenation of GaN and related alloys during processing
573.
McLane G. F.; Monahan T.; Eckart D. W.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.
Magnetron reactive ion etching of group III‐nitride ternary alloys
574.
Vartuli C. B.; Pearton S. J.; Abernathy C. R.; Shul R. J.; Howard A. J.; Kilcoyne S. P.; Parmeter J. E.; Hagerott-Crawford M.
High density plasma etching of III–V nitrides
575.
Zolper J. C.; Shul R. J.; Baca A. G.; Wilson R. G.; Pearton S. J.; Stall R. A.
Ion‐implanted GaN junction field effect transistor
576.
Lee J. W.; Pearton S. J.; Zolper J. C.; Stall R. A.
Hydrogen passivation of Ca acceptors in GaN
577.
Zolper J. C.; Wilson R. G.; Pearton S. J.; Stall R. A.
Ca and O ion implantation doping of GaN
578.
Pearton S. J.; Abernathy C. R.
Carbon implantation in AlxGa1-;xAs
579.
Cole M. W.; Han W. Y.; Pfeffer R. L.; Eckart D. W.; Ren F.; Hobson W. S.; Lothian J. R.; Lopata J.; Caballero J. A.; Pearton S. J.