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Waag, Andreas

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Latest Publications

1.
2011

Reshchikov M. A.; Willyard A. G.; Behrends A.; Bakin A.; Waag A.

Extremely high absolute internal quantum efficiency of photoluminescence in co-doped GaN:Zn,Si
Appl. Phys. Lett. 99, 171110 (2011)
Physics Department, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284, USA
2.
2010

Wei J. D.; Li S. F.; Atamuratov A.; Wehmann H.-H.; Waag A.

Photoassisted Kelvin probe force microscopy at GaN surfaces: The role of polarity
Appl. Phys. Lett. 97, 172111 (2010)
Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, 38106 Braunschweig, Germany
3.
2010

Debus J.; Maksimov A. A.; Dunker D.; Yakovlev D. R.; Tartakovskii I. I.; Waag A.; Bayer M.

Dynamical control of Mn spin-system cooling by photogenerated carriers in a (Zn,Mn)Se/BeTe heterostructure
Phys. Rev. B 82, 085448 (2010)
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, 44227 Dortmund, Germany

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All Publications

1.
2011

Reshchikov M. A.; Willyard A. G.; Behrends A.; Bakin A.; Waag A.

Extremely high absolute internal quantum efficiency of photoluminescence in co-doped GaN:Zn,Si
Appl. Phys. Lett. 99, 171110 (2011)
Physics Department, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284, USA
2.
2010

Wei J. D.; Li S. F.; Atamuratov A.; Wehmann H.-H.; Waag A.

Photoassisted Kelvin probe force microscopy at GaN surfaces: The role of polarity
Appl. Phys. Lett. 97, 172111 (2010)
Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig University of Technology, 38106 Braunschweig, Germany
3.
2010

Debus J.; Maksimov A. A.; Dunker D.; Yakovlev D. R.; Tartakovskii I. I.; Waag A.; Bayer M.

Dynamical control of Mn spin-system cooling by photogenerated carriers in a (Zn,Mn)Se/BeTe heterostructure
Phys. Rev. B 82, 085448 (2010)
Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, 44227 Dortmund, Germany
4.
2010

Maksimov A. A.; Yakovlev D. R.; Debus J.; Tartakovskii I. I.; Waag A.; Karczewski G.; Wojtowicz T.; Kossut J.; Bayer M.

Spin diffusion in the Mn²⁺ ion system of II-VI diluted magnetic semiconductor heterostructures
Phys. Rev. B 82, 035211 (2010)
Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia
5.
2009

Al-Suleiman M. A. M.; Bakin A.; Waag A.

Mechanisms for high internal quantum efficiency of ZnO nanorods
J. Appl. Phys. 106, 063111 (2009)
Institute of Semiconductor Technology and Joint Optical Metrology Center (JOMC), University of Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, 38106 Braunschweig, Germany
6.
2009

Sökmen Ü.; Balke M.; Stranz A.; Fündling S.; Peiner E.; Wehmann H.-H.; Waag A.

ICP cryogenic dry etching for shallow and deep etching in silicon
Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 7362, 736213 (2009)
Braunschweig Univ. of Technology (Germany)
7.
2009

Reshchikov Michael A.; Bakin A.; Behrends A.; Waag A.

Photoluminescence from ZnO nanowires
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1688 (2009)
Department of Physics, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284
8.
2008

Hofstetter Daniel; Théron Ricardo; El-Shaer Abdel-Hamid; Bakin Andrey; Waag Andreas

Demonstration of a ZnO/MgZnO-based one-dimensional photonic crystal multiquantum well laser
Appl. Phys. Lett. 93, 101109 (2008)
Institute of Physics, University of Neuchâtel, 1 A.-L. Breguet, CH-2000 Neuchâtel, ;Switzerland
9.
2008

Ivanov V. Yu.; Godlewski M.; Yakovlev D. R.; Kneip M. K.; Bayer M.; Ryabchenko S. M.; Waag A.

Optically detected magnetic resonance in (Zn,Mn)Se/(Zn,Be)Se quantum wells
Phys. Rev. B 78, 085322 (2008)
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland
10.
2007

Weber D. H.; Beyer A.; Völkel B.; Gölzhäuser A.; Schlenker E.; Bakin A.; Waag A.

Determination of the specific resistance of individual freestanding ZnO nanowires with the low energy electron point source microscope
Appl. Phys. Lett. 91, 253126 (2007)
Physics of Supramolecular Systems, University of Bielefeld, D-33615 Bielefeld, Germany
11.
2007

Petukhov V.; Bakin A.; El-Shaer A.-H.; Mofor A.-C.; Waag A.

Etch-Pit Density Investigation on Both Polar Faces of ZnO Substrates
Electrochem. Solid-State Lett. 10, H357 (2007)
Institute of Semiconductor Technology, Technical University of Braunschweig, 38106 Braunschweig, Germany
12.
2007

Shubina T. V.; Toropov A. A.; Lublinskaya O. G.; Kop'ev P. S.; Ivanov S. V.; El-Shaer A.; Al-Suleiman M.; Bakin A.; Waag A.; Voinilovich A.; Lutsenko E. V.; Yablonskii G. P.; Bergman J. P.; Pozina G.; Monemar B.

Recombination dynamics and lasing in ZnO/;ZnMgO single quantum well structures
Appl. Phys. Lett. 91, 201104 (2007)
Ioffe Physico-Technical Institute, RAN, St. Petersburg 194021, Russia
13.
2007

Hofstetter Daniel; Bonetti Yargo; Giorgetta Fabrizio R.; El-Shaer Abdel-Hamid; Bakin Andrey; Waag Andreas; Schmidt-Grund Rüdiger; Schubert Mathias; Grundmann Marius

Demonstration of an ultraviolet ZnO-based optically pumped third order distributed feedback laser
Appl. Phys. Lett. 91, 111108 (2007)
Institute of Physics, University of Neuchatel, 1 A.-L. Breguet, CH-2000 Neuchatel, Switzerland
14.
2007

Al-Suleiman M.; El-Shaer A.; Bakin A.; Wehmann H.-H.; Waag A.

Optical investigations and exciton localization in high quality Zn1-x;MgxO–;ZnO single quantum wells
Appl. Phys. Lett. 91, 081911 (2007)
Institute of Semiconductor Technology, University of Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, 38106 Braunschweig, Germany
15.
2007

Bekeny C.; Voss T.; Hilker B.; Gutowski J.; Hauschild R.; Kalt H.; Postels B.; Bakin A.; Waag A.

Influence of ZnO seed crystals and annealing on the optical quality of low-temperature grown ZnO nanorods
J. Appl. Phys. 102, 044908 (2007)
Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany;
16.
2007

Zaitsev S. V.; Maksimov A. A.; Tartakovskii I. I.; Yakovlev D. R.; Bayer M.; Waag A.

Radiative and nonradiative recombination in type-II ZnSe/;BeTe quantum wells
Phys. Rev. B 76, 035312 (2007)
Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia
17.
2007

Bekeny Chegnui; Voss Tobias; Wischmeier Lars; Gutowski Jürgen; Postels Bianca; Kreye Marc; Waag Andreas

Optical Characterisation of Low‐Temperature Grown ZnO Nanorods
AIP Conf. Proc. 893, 289 (2007)
University of Bremen, Institute of Solid State Physics, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany
18.
2007

Wischmeier L.; Voss T.; Rückmann I.; Gutowski J.; Mofor A. C.; Bakin A.; Waag A.

Photoluminescence dynamics of surface‐related emission in VPE grown ZnO nanowires
AIP Conf. Proc. 893, 277 (2007)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P. O. Box 330440, D‐28334 Bremen, Germany;
19.
2006

Al-Suleiman M.; Che Mofor A.; El-Shaer A.; Bakin A.; Wehmann H.-H.; Waag A.

Photoluminescence properties: Catalyst-free ZnO nanorods and layers versus bulk ZnO
Appl. Phys. Lett. 89, 231911 (2006)
Institute of Semiconductor Technology, University of Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, 38106 Braunschweig, Germany
20.
2006

Wischmeier L.; Voss T.; Rückmann I.; Gutowski J.; Mofor A. C.; Bakin A.; Waag A.

Dynamics of surface-excitonic emission in ZnO nanowires
Phys. Rev. B 74, 195333 (2006)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, D-28334 Germany
21.
2006

Bekeny Chegnui; Voss Tobias; Gafsi Houcem; Gutowski Jürgen; Postels Bianca; Kreye Marc; Waag Andreas

Origin of the near-band-edge photoluminescence emission in aqueous chemically grown ZnO nanorods
J. Appl. Phys. 100, 104317 (2006)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen, Germany
22.
2006

Pécz B.; El-Shaer A.; Bakin A.; Mofor A.-C.; Waag A.; Stoemenos J.

Structural characterization of ZnO films grown by molecular beam epitaxy on sapphire with MgO buffer
J. Appl. Phys. 100, 103506 (2006)
Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, P.O. Box 49, H-1525 Budapest, Hungary
23.
2006

Voss T.; Bekeny C.; Wischmeier L.; Gafsi H.; Börner S.; Schade W.; Mofor A. C.; Bakin A.; Waag A.

Influence of exciton-phonon coupling on the energy position of the near-band-edge photoluminescence of ZnO nanowires
Appl. Phys. Lett. 89, 182107 (2006)
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, D-28359 Bremen, Germany
24.
2006

Müller E.; Gerthsen D.; Brückner P.; Scholz F.; Gruber Th.; Waag A.

Probing the electrostatic potential of charged dislocations in n-GaN and n-ZnO epilayers by transmission electron holography
Phys. Rev. B 73, 245316 (2006)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe (TH) 76128 Karlsruhe, Germany;
25.
2006

Akimov A. V.; Waag A.; Bayer M.; Merkulov I. A.; Yakovlev D. R.; Scherbakov A. V.; Molenkamp L. W.

Multiple transfer of angular momentum quanta from a spin-polarized hole to magnetic ions in Zn1-x;MnxSe/;Zn1-y;BeySe quantum wells
Phys. Rev. B 73, 165328 (2006)
Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany;
26.
2006

Eich D.; Lugauer H.; Reuscher G.; Keim M.; Terminello L. J.; Franco N.; v. Buuren T.; Bostedt C.; Gross E. K. U.; Hanke W.; Fleszar A.; Heske C.; Umbach E.; Fink R.; Weinhardt L.; Groh U.; Fuchs O.; Waag A.

Resonant inelastic soft x-ray scattering of Be chalcogenides
Phys. Rev. B 73, 115212 (2006)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
27.
2006

Bertram F.; Giemsch S.; Forster D.; Christen J.; Kling R.; Kirchner C.; Waag A.

Direct imaging of phase separation in ZnCdO layers
Appl. Phys. Lett. 88, 061915 (2006)
Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Postbox 4120, 39106 Magdeburg, Germany
28.
2006

Kneip M. K.; Yakovlev D. R.; Bayer M.; Maksimov A. A.; Tartakovskii I. I.; Keller D.; Ossau W.; Molenkamp L. W.; Waag A.

Spin-lattice relaxation of Mn ions in ZnMnSe/;ZnBeSe quantum wells measured under pulsed photoexcitation
Phys. Rev. B 73, 045305 (2006)
Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, D-44221 Dortmund, Germany;
29.
2006

Kneip M. K.; Yakovlev D. R.; Bayer M.; Maksimov A. A.; Tartakovskii I. I.; Keller D.; Ossau W.; Molenkamp L. W.; Waag A.

Direct energy transfer from photocarriers to Mn-ion system in II-VI diluted-magnetic-semiconductor quantum wells
Phys. Rev. B 73, 035306 (2006)
Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
30.
2005

Keller D.; Yakovlev D. R.; Astakhov G. V.; Ossau W.; Crooker S. A.; Slobodskyy T.; Waag A.; Schmidt G.; Molenkamp L. W.

Magneto-optics of two-dimensional electron gases modified by strong Coulomb interactions in ZnSe quantum wells
Phys. Rev. B 72, 235306 (2005)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany;
31.
2005

Dremin A. A.; Yakovlev D. R.; Sirenko A. A.; Gubarev S. I.; Shabelsky O. P.; Waag A.; Bayer M.

Electron cyclotron mass in undoped CdTe/;CdMnTe quantum wells
Phys. Rev. B 72, 195337 (2005)
Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
32.
2005

Reuss F.; Frank S.; Kirchner C.; Kling R.; Gruber Th.; Waag A.

Magnetoresistance in epitaxially grown degenerate ZnO thin films
Appl. Phys. Lett. 87, 112104 (2005)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
33.
2005

Mofor A. Che; El-Shaer A.; Bakin A.; Waag A.; Ahlers H.; Siegner U.; Sievers S.; Albrecht M.; Schoch W.; Izyumskaya N.; Avrutin V.; Sorokin S.; Ivanov S.; Stoimenos J.

Magnetic property investigations on Mn-doped ZnO Layers on sapphire
Appl. Phys. Lett. 87, 062501 (2005)
Institute of Semiconductor Technology, Technical University Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, 38106 Braunschweig, Germany
34.
2005

Avrutin V.; Humienik D.; Frank S.; Koeder A.; Schoch W.; Limmer W.; Sauer R.; Waag A.

Growth of GaMnAs under near-stoichiometric conditions
J. Appl. Phys. 98, 023909 (2005)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
35.
2005

Toropov A. A.; Nekrutkina O. V.; Shubina T. V.; Ivanov S. V.; Gruber Th.; Kling R.; Reuss F.; Kirchner C.; Waag A.; Karlsson K. F.; Bergman J. P.; Monemar B.

Excitonic Properties of ZnO Films and Nanorods
AIP Conf. Proc. 772, 991 (2005)
Ioffe Physico‐Technical Institute, St. Petersburg 194021, Russia;
36.
2005

Priller H.; Hauschild R.; Zeller J.; Klingshirn C.; Kalt H.; Reuss F.; Kling R.; Kirchner Ch.; Waag A.

Temperature dependent dynamics of the excitonic photoluminescence in zinc oxide nanorods
AIP Conf. Proc. 772, 896 (2005)
Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Wolfgang‐Gaede‐Str.1, D‐76131 Karlsruhe, Germany;
37.
2005

Yakovlev D. R.; Kneip M.; Bayer M.; Maksimov A. A.; Tartakovskii I. I.; Scherbakov A. V.; Akimov A. V.; Keller D.; Ossau W.; Molenkamp L. W.; Waag A.

Spin dynamics of Mn‐ion system in diluted‐magnetic‐semiconductor heterostructures based on ZnMnSe
AIP Conf. Proc. 772, 1301 (2005)
Experimental Physics 2, University of Dortmund, D‐44227 Dortmund, Germany;
38.
2005

Limmer W.; Koeder A.; Frank S.; Avrutin V.; Schoch W.; Sauer R.; Zuern K.; Eisenmenger J.; Ziemann P.; Peiner E.; Waag A.

Effect of annealing on the depth profile of hole concentration in (Ga,Mn)As
Phys. Rev. B 71, 205213 (2005)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
39.
2005

Scherbakov A. V.; Akimov A. V.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Hansen L.; Waag A.; Molenkamp L. W.

Spin control in heteromagnetic nanostructures
Appl. Phys. Lett. 86, 162104 (2005)
A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
40.
2005

Müller E.; Kruse P.; Gerthsen D.; Schowalter M.; Rosenauer A.; Lamoen D.; Kling R.; Waag A.

Measurement of the mean inner potential of ZnO nanorods by transmission electron holography
Appl. Phys. Lett. 86, 154108 (2005)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe, Germany;
41.
2005

Shan W.; Walukiewicz W.; Ager J. W.; Yu K. M.; Zhang Y.; Mao S. S.; Kling R.; Kirchner C.; Waag A.

Pressure-dependent photoluminescence study of ZnO nanowires
Appl. Phys. Lett. 86, 153117 (2005)
Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720
42.
2004

Koeder A.; Limmer W.; Frank S.; Schoch W.; Avrutin V.; Sauer R.; Waag A.; Zuern K.; Ziemann P.

Enhancement of the Curie temperature in GaMnAs/;InGaMnAs superlattices
Appl. Phys. Lett. 85, 783 (2004)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
43.
2004

Gruber Th.; Prinz G. M.; Kirchner C.; Kling R.; Reuss F.; Limmer W.; Waag A.

Influences of biaxial strains on the vibrational and exciton energies in ZnO
J. Appl. Phys. 96, 289 (2004)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
44.
2004

Gruber Th.; Kirchner C.; Kling R.; Reuss F.; Waag A.

ZnMgO epilayers and ZnO–;ZnMgO quantum wells for optoelectronic applications in the blue and UV spectral region
Appl. Phys. Lett. 84, 5359 (2004)
Abteilung Hailbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
45.
2004

Goennenwein Sebastian T. B.; Wassner Thomas A.; Huebl Hans; Brandt Martin S.; Philipp Jan B.; Opel Matthias; Gross Rudolf; Koeder Achim; Schoch Wladimir; Waag Andreas

Hydrogen Control of Ferromagnetism in a Dilute Magnetic Semiconductor
Phys. Rev. Lett. 92, 227202 (2004)
Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany;
46.
2004

Toropov A. A.; Holtz P. O.; Nekrutkina O. V.; Shubina T. V.; Gruber Th.; Kirchner C.; Waag A.; Karlsson K. F.; Monemar B.

Temperature-dependent exciton polariton photoluminescence in ZnO films
Phys. Rev. B 69, 165205 (2004)
A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg 194021, Russia;
47.
2004

Reuss F.; Kirchner C.; Gruber Th.; Kling R.; Maschek S.; Limmer W.; Waag A.; Ziemann P.

Optical investigations on the annealing behavior of gallium- and nitrogen-implanted ZnO
J. Appl. Phys. 95, 3385 (2004)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
48.
2004

Brandt M. S.; Goennenwein S. T. B.; Wassner T. A.; Kohl F.; Lehner A.; Huebl H.; Graf T.; Stutzmann M.; Koeder A.; Schoch W.; Waag A.

Passivation of Mn acceptors in GaMnAs
Appl. Phys. Lett. 84, 2277 (2004)
Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, D 85748 Garching, Germany;
49.
2003

Gruber Th.; Kirchner C.; Kling R.; Reuss F.; Waag A.; Bertram F.; Forster D.; Christen J.; Schreck M.

Optical and structural analysis of ZnCdO layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
Appl. Phys. Lett. 83, 3290 (2003)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Ulm, Germany;
50.
2003

Gleim Th.; Weinhardt L.; Probst M.; Ammon Ch.; Richter B.; Fleszar A.; Waag A.; Landwehr G.; Hansen L.; Umbach E.; Heske C.; Fink R.; Schmidt Th.; Steinrück H.-P.

Influence of As passivation on the electronic level alignment at BeTe/Si(111) interfaces
Phys. Rev. B 67, 205315 (2003)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
51.
2003

Koeder A.; Limmer W.; Thonke K.; Sauer R.; Waag A.; Krieger M.; Zuern K.; Ziemann P.; Brotzmann S.; Frank S.; Schoch W.; Avrutin V.; Bracht H.

Curie temperature and carrier concentration gradients in epitaxy-grown Ga1-x;MnxAs layers
Appl. Phys. Lett. 82, 3278 (2003)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
52.
2003

Toropov A. A.; Nekrutkina O. V.; Nestoklon M. O.; Sorokin S. V.; Solnyshkov D. D.; Ivanov S. V.; Waag A.; Landwehr G.

Γ-X; electron level crossover in ZnSe/BeTe multiple quantum wells
Phys. Rev. B 67, 113307 (2003)
A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg 194021, Russia
53.
2003

Goennenwein S. T. B.; Graf T.; Wassner T.; Brandt M. S.; Stutzmann M.; Philipp J. B.; Gross R.; Krieger M.; Zürn K.; Ziemann P.; Koeder A.; Frank S.; Schoch W.; Waag A.

Spin wave resonance in Ga1-x;MnxAs
Appl. Phys. Lett. 82, 730 (2003)
Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching, Germany;
54.
2002

Puls J.; Mikhailov G. V.; Henneberger F.; Yakovlev D. R.; Waag A.; Faschinger W.

Laser Action of Trions in a Semiconductor Quantum Well
Phys. Rev. Lett. 89, 287402 (2002)
55.
2002

Zaitsev S. V.; Maksimov A. A.; Dorozhkin P. S.; Kulakovskii V. D.; Tartakovskii I. I.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Hansen L.; Landwehr G.; Waag A.

Electric-field effects on the radiative recombination in type-II ZnSe/BeTe heterostructures with equivalent and nonequivalent interfaces
Phys. Rev. B 66, 245310 (2002)
Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia;
56.
2002

Gerthsen D.; Litvinov D.; Gruber Th.; Kirchner C.; Waag A.

Origin and consequences of a high stacking fault density in epitaxial ZnO layers
Appl. Phys. Lett. 81, 3972 (2002)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe, Germany;
57.
2002

Limmer W.; Glunk M.; Mascheck S.; Koeder A.; Klarer D.; Schoch W.; Thonke K.; Sauer R.; Waag A.

Coupled plasmon–LO-phonon modes in ;Ga1-x;MnxAs
Phys. Rev. B 66, 205209 (2002)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm, Germany;
58.
2002

Yakovlev D. R.; Platonov A. V.; Ivchenko E. L.; Kochereshko V. P.; Sas C.; Ossau W.; Hansen L.; Waag A.; Landwehr G.; Molenkamp L. W.

Hidden In-Plane Anisotropy of Interfaces in Zn(Mn)Se/ ;BeTe Quantum Wells with a Type-II Band Alignment
Phys. Rev. Lett. 88, 257401 (2002)
59.
2002

Astakhov G. V.; Yakovlev D. R.; Kochereshko V. P.; Ossau W.; Faschinger W.; Puls J.; Henneberger F.; Crooker S. A.; McCulloch Q.; Wolverson D.; Gippius N. A.; Waag A.

Binding energy of charged excitons in ZnSe-based quantum wells
Phys. Rev. B 65, 165335 (2002)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany;
60.
2002

Keller D.; Yakovlev D. R.; König B.; Ossau W.; Gruber Th.; Waag A.; Molenkamp L. W.; Scherbakov A. V.

Heating of the magnetic ion system in (Zn, Mn)Se/(Zn, Be)Se semimagnetic quantum wells by means of photoexcitation
Phys. Rev. B 65, 035313 (2002)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany;
61.
2002

Zaitsev S. V.; Maksimov A. A.; Kulakovskii V. D.; Tartakovskii I. I.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Hansen L.; Landwehr G.; Waag A.

Interface properties and in-plane linear photoluminescence polarization in highly excited type-II ZnSe/BeTe heterostructures with equivalent and nonequivalent interfaces
J. Appl. Phys. 91, 652 (2002)
Institute of Solid State Physics, RAS, 142432 Chernogolovka, Russia;
62.
2001

Hansen L.; Ferrand D.; Richter G.; Thierley M.; Hock V.; Schwarz N.; Reuscher G.; Schmidt G.; Molenkamp L. W.; Waag A.

Epitaxy and magnetotransport properties of the diluted magnetic semiconductor p-Be(1-x);MnxTe
Appl. Phys. Lett. 79, 3125 (2001)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, EP III, 97074 Würzburg, Germany;
63.
2001

Reshina I. I.; Ivanov S. V.; Mirlin D. N.; Toropov A. A.; Waag A.; Landwehr G.

Raman scattering by magnetic excitations and phonons in diluted magnetic structures formed by self-organized quantum disks of CdZn(Mn)Se in a Zn(Mn)Se matrix
Phys. Rev. B 64, 035303 (2001)
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Appl. Phys. Lett. 61, 2929 (1992)
Fachbereich Physik and Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps‐Universität, D‐3550 Marburg, Germany;
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1992

Kavokin A. V.; Kochereshko V. P.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.; Yakovlev D. R.; Uraltsev I. N.; Posina G. R.; Waag A.

Effect of the electron Coulomb potential on hole confinement in II‐VI quantum wells
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Litz Th.; Behr Th.; Hommel D.; Waag A.; Landwehr G.

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Hommel D.; Waag A.; Scholl S.; Landwehr G.

Chlorine: A new efficient n‐type dopant in CdTe layers grown by molecular beam epitaxy
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Ivchenko E. L.; Kavokin A. V.; Kochereshko V. P.; Posina G. R.; Uraltsev I. N.; Yakovlev D. R.; Bicknell-Tassius R. N.; Waag A.; Landwehr G.

Exciton oscillator strength in magnetic‐field‐induced spin superlattices CdTe/(Cd,Mn)Te
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A. F. Ioffe Physico‐Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
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1992

Kavokin Alexey V.; Kochereshko Vladimir P.; Bicknell-Tassius Robert N.; Landwehr Gottfried; Yakovlev Dmitrii R.; Uraltsev Igor N.; Pozina Galina R.; Waag Andreas

Effect of Coulomb potential well on exchange-induced properties of CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells
Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1675, 477 (1992)
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Thermal effects on (100) CdZnTe substrates as studied by x‐ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction
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Waag A.; Schmeusser S.; Bicknell-Tassius R. N.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Landwehr G.; Uraltsev I. N.

Molecular beam epitaxial growth of ultrathin CdTe–CdMnTe quantum wells and their characterization
Appl. Phys. Lett. 59, 2995 (1991)
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Kraus M. M.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Correlation of the Cd‐to‐Te ratio on CdTe surfaces with the surface structure
Phys. Rev. B 44, 8904 (1991)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;
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1991

Landwehr Gottfried; Waag Andreas; Hofmann K.; Kallis Norbert; Bicknell-Tassius Robert N.

Recent progress in device-oriented II-VI research at the University of Wuerzburg
Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1362, 282 (1991)
Univ. Wuerzburg (Germany)
142.
1991

Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

The effects of laser illumination and high energy electrons on molecular‐beam epitaxial growth of CdTe
J. Appl. Phys. 69, 268 (1991)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Germany;
143.
1990

Wu Y. S.; Waag A.; Bicknell-Tassius R. N.

High‐mobility CdTe films grown by molecular beam epitaxy with excess Cd
Appl. Phys. Lett. 57, 1754 (1990)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;
144.
1990

Waag A.; Wu Y. S.; Bicknell-Tassius R. N.; Gonser-Buntrock C.; Landwehr G.

Investigation of molecular‐beam epitaxially grown CdTe on GaAs by x‐ray photoelectron spectroscopy
J. Appl. Phys. 68, 212 (1990)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;
145.
1989

Waag A.; Wu Y. S.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Investigation of CdTe surfaces by x‐ray photoelectron spectroscopy
Appl. Phys. Lett. 54, 2662 (1989)
Physikalisches Institut d. Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;

Co-authors

Co-publications
79

Landwehr, G
43

Yakovlev, DR
35

Ossau, W
17

Keim, M
15

Bakin, Andrey
15

Fischer, F
13

Reuscher, G
11

Kirchner, Christoph
11

Molenkamp, Laurens W.
10

Lugauer, H.-J.
10

Kling, R
10

Maksimov, AA
10

Tartakovskii, II
9

Bayer, Manfred
9

Schoch, Wladimir