Mowbray, DJ

Gradkowski K.; Ochalski T. J.; Pavarelli N.; Liu H. Y.; Tatebayashi J.; Williams D. P.; Mowbray D. J.; Huyet G.; Huffaker D. L.

Coulomb-induced emission dynamics and self-consistent calculations of type-II Sb-containing quantum dot systems

Hasbullah N. F.; David J. P. R.; Mowbray D. J.

Dark current mechanisms in quantum dot laser structures

Hasbullah N. F.; David J. P. R.; Mowbray D. J.

Effect of Modulation p‐doping on the Optical Properties of Quantum Dot Laser Structure

Gradkowski K.; Ochalski T. J.; Pavarelli N.; Liu H. Y.; Tatebayashi J.; Williams D. P.; Mowbray D. J.; Huyet G.; Huffaker D. L.

Coulomb-induced emission dynamics and self-consistent calculations of type-II Sb-containing quantum dot systems

Hasbullah N. F.; David J. P. R.; Mowbray D. J.

Dark current mechanisms in quantum dot laser structures

Hasbullah N. F.; David J. P. R.; Mowbray D. J.

Effect of Modulation p‐doping on the Optical Properties of Quantum Dot Laser Structure

Davies S. C.; Mowbray D. J.; Ranalli F.; Wang T.

Influence of the GaN barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN multilayer quantum dot heterostructures

Jang Y. D.; Park J.; Lee D.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Liu H. Y.; Hopkinson M.; Hogg R. A.

Enhanced room-temperature quantum-dot effects in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots

Haxha V.; Drouzas I.; Ulloa J. M.; Bozkurt M.; Koenraad P. M.; Mowbray D. J.; Liu H. Y.; Steer M. J.; Hopkinson M.; Migliorato M. A.

Role of segregation in InAs/GaAs quantum dot structures capped with a GaAsSb strain-reduction layer

Davies S. C.; Mowbray D. J.; Ranalli F.; Parbrook P. J.; Wang Q.; Wang T.; Yea B. S.; Sherliker B. J.; Halsall M. P.; Kashtiban R. J.; Bangert U.

Optical and microstructural studies of InGaN/GaN quantum dot ensembles

Davies S. C.; Mowbray D. J.; Wang Q.; Ranalli F.; Wang T.

Influence of crystal quality of underlying GaN buffer on the formation and optical properties of InGaN/GaN quantum dots

Nabavi E.; Badcock T. J.; Nuytten T.; Liu H. Y.; Hopkinson M.; Moshchalkov V. V.; Mowbray D. J.

Magneto-optical study of thermally annealed InAs-InGaAs-GaAs self-assembled quantum dots

Jang Y. D.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Park J.; Lee D.; Liu H. Y.; Hopkinson M.; Hogg R. A.; Andreev A. D.

Enhanced nonradiative Auger recombination in p-type modulation doped InAs/GaAs quantum dots

Brown J.; Wells J.-P. R.; Kundys D. O.; Fox A. M.; Wang T.; Parbrook P. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Excitonic spin lifetimes in InGaN quantum wells and epilayers

Jang Y. D.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Park J.; Lee D.; Liu H. Y.; Steer M. J.; Hopkinson M.

Carrier lifetimes in type-II InAs quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer

Beanland R.; Sánchez A. M.; Childs D.; Groom K. M.; Liu H. Y.; Mowbray D. J.; Hopkinson M.

Structural analysis of life tested 1.3 μ;m quantum dot lasers

Fan W. H.; Olaizola S. M.; Wells J.-P. R.; Fox A. M.; Wang T.; Parbrook P. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Erratum: “Femtosecond studies of electron capture times in ;InGaN/;GaN multiple quantum wells” [Appl. Phys. Lett. ;84, 3052 (2004)]

Jin C. Y.; Liu H. Y.; Groom K. M.; Jiang Q.; Hopkinson M.; Badcock T. J.; Royce R. J.; Mowbray D. J.

Effects of photon and thermal coupling mechanisms on the characteristics of self-assembled InAs/;GaAs quantum dot lasers

Jin C. Y.; Liu H. Y.; Zhang S. Y.; Jiang Q.; Liew S. L.; Hopkinson M.; Badcock T. J.; Nabavi E.; Mowbray D. J.

Optical transitions in type-II InAs/;GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer

Ulloa J. M.; Drouzas I. W. D.; Koenraad P. M.; Mowbray D. J.; Steer M. J.; Liu H. Y.; Hopkinson M.

Suppression of InAs/;GaAs quantum dot decomposition by the incorporation of a GaAsSb capping layer

Ulloa J. M.; Çelebi C.; Koenraad P. M.; Simon A.; Gapihan E.; Letoublon A.; Bertru N.; Drouzas I.; Mowbray D. J.; Steer M. J.; Hopkinson M.

Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots

Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Nabavi E.; Liu H. Y.; Steer M. J.; Hopkinson M.; Hayne M.; Nuytten T.; Moshchalkov V. V.

Electronic Structure of Long Wavelength (>1.3μm) GaAsSb‐capped InAs Quantum Dots

Taboada A. G.; Suárez F.; Granados D.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Groom K. M.; Alén B.; García J. M.; Dotor M. L.

Electro‐Optical Characterization of Self‐Assembled InAs/GaAs Quantum Rings Embedded in P‐i‐N and Schottky Diodes

Badcock T. J.; Royce R. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Liu H. Y.; Hopkinson M.; Groom K. M.; Jiang Q.

Low threshold current density and negative characteristic temperature 1.3 μ;m InAs self-assembled quantum dot lasers

Sandall I. C.; Smowton P. M.; Thomson J. D.; Badcock T.; Mowbray D. J.; Liu H.-Y.; Hopkinson M.

Temperature dependence of threshold current in p-doped quantum dot lasers

Liu H. Y.; Liew S. L.; Badcock T.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Ray S. K.; Choi T. L.; Groom K. M.; Stevens B.; Hasbullah F.; Jin C. Y.; Hopkinson M.; Hogg R. A.

p-doped 1.3 μ;mInAs/;GaAs quantum-dot laser with a low threshold current density and high differential efficiency

Olaizola S. M.; Fan W. H.; Hashemizadeh S. A.; Wells J.-P. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Fox A. M.; Parbrook P. J.

Time-resolved photoluminescence studies of carrier diffusion in GaN

Kundys D. O.; Wells J.-P. R.; Andreev A. D.; Hashemizadeh S. A.; Wang T.; Parbrook P. J.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Resolution of discrete excited states in InxGa1-x;N multiple quantum wells using degenerate four-wave mixing

Tartakovskii A. I.; Kolodka R. S.; Liu H. Y.; Migliorato M. A.; Hopkinson M.; Makhonin M. N.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Exciton fine structure splitting in dot-in-a-well structures

Sandall I. C.; Smowton P. M.; Walker C. L.; Badcock T.; Mowbray D. J.; Liu H. Y.; Hopkinson M.

The effect of p doping in InAs quantum dot lasers

Savelyev A. V.; Tartakovskii A. I.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Maximov M. V.; Ustinov V. M.; Seisyan R. P.

Charging and spin-polarization effects in InAs quantum dots under bipolar carrier injection

Sellers I. R.; Mowbray D. J.; Badcock T. J.; Wells J.-P. R.; Phillips P. J.; Carder D. A.; Liu H. Y.; Groom K. M.; Hopkinson M.

Infrared modulated interlevel spectroscopy of 1.3 μ;m self-assembled quantum dot lasers using a free electron laser

Liu H. Y.; Steer M. J.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Suarez F.; Ng J. S.; Hopkinson M.; David J. P. R.

Room-temperature 1.6 μ;m light emission from InAs/;GaAs quantum dots with a thin GaAsSb cap layer

Hashemizadeh S. A.; Wells J.-P. R.; Murzyn P.; Brown J.; Jones B. D.; Wang T.; Parbrook P. J.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Picosecond carrier dynamics in AlInGaN multiple quantum wells

Liu H. Y.; Tey C. M.; Sellers I. R.; Hopkinson M.; Beanland R.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Badcock T. J.; Cullis A. G.

Mechanism for improvements of optical properties of 1.3-μ;mInAs/;GaAs quantum dots by a combined InAlAs–;InGaAs cap layer

Skolnick M. S.; Mowbray D. J.

Physics and Applications of Self‐Assembled Semiconductor Quantum Dots

Sellers I. R.; Liu H. Y.; Mowbray D. J.; Badcock T. J.; Groom K. M.; Hopkinson M.; Gutiérrez M.; Skolnick M. S.; Beanland R.; Childs D. T.; Robbins D. J.

Growth and Characterization of 1.3μm Multi‐Layer Quantum Dots Lasers Incorporating High Growth Temperature Spacer Layers

Liu H. Y.; Steer M. J.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Navaretti P.; Groom K. M.; Hopkinson M.; Hogg R. A.

Long-wavelength light emission and lasing from InAs/;GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer

Lutti J.; Smowton P. M.; Lewis G. M.; Blood P.; Krysa A. B.; Lin J. C.; Houston P. A.; Ramsay A. J.; Mowbray D. J.

Gain saturation in InP/;GaInP quantum-dot lasers

Finley J. J.; Cullis A. G.; Liew S. L.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Tartakovskii A. I.; Oulton R.; Abstreiter G.; Vogl P.; Sabathil M.; Hopkinson M.

Quantum-confined Stark shifts of charged exciton complexes in quantum dots

Tartakovskii A. I.; Makhonin M. N.; Sellers I. R.; Cahill J.; Andreev A. D.; Whittaker D. M.; Wells J-P. R.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Groom K. M.; Steer M. J.; Liu H. Y.; Hopkinson M.

Effect of thermal annealing and strain engineering on the fine structure of quantum dot excitons

Tartakovskii A. I.; Makhonin M. N.; Cahill J.; Whittaker D. M.; Wells J-P. R.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Steer M. J.; Groom K. M.; Hopkinson M.

Precise measurement of the fraction of charged dots in self-assembled quantum dot ensembles using ultrafast pump-probe techniques

Liu H. Y.; Sellers I. R.; Gutiérrez M.; Groom K. M.; Soong W. M.; Hopkinson M.; David J. P. R.; Beanland R.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Influences of the spacer layer growth temperature on multilayer InAs/;GaAs quantum dot structures

Liu H. Y.; Sellers I. R.; Badcock T. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Groom K. M.; Gutiérrez M.; Hopkinson M.; Ng J. S.; David J. P. R.; Beanland R.

Improved performance of 1.3 μ;m multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer

Tartakovskii A. I.; Cahill J.; Makhonin M. N.; Whittaker D. M.; Wells J-P. R.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Groom K. M.; Steer M. J.; Hopkinson M.

Dynamics of Coherent and Incoherent Spin Polarizations in Ensembles of Quantum Dots

Fan W. H.; Olaizola S. M.; Wells J.-P. R.; Fox A. M.; Wang T.; Parbrook P. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Femtosecond studies of electron capture times in InGaN/GaN multiple quantum wells

Oulton R.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Finley J. J.; Cahill J.; Ebbens A.; Tartakovskii A. I.; Hopkinson M.

Temperature-induced carrier escape processes studied in absorption of individual InxGa1-x;As quantum dots

Oulton R.; Finley J. J.; Tartakovskii A. I.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Vasanelli A.; Ferreira R.; Bastard G.

Continuum transitions and phonon coupling in single self-assembled Stranski-Krastanow quantum dots

Sellers I. R.; Liu H. Y.; Hopkinson M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

1.3 μm lasers with AlInAs-capped self-assembled quantum dots

Liu H. Y.; Sellers I. R.; Hopkinson M.; Harrison C. N.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Engineering carrier confinement potentials in 1.3-μ;m InAs/GaAs quantum dots with InAlAs layers; Enhancement of the high-temperature photoluminescence intensity

Monte A. F. G.; Finley J. J.; Ashmore A. D.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.

Carrier dynamics in short wavelength self-assembled InAs/Al0.6Ga0.4As quantum dots with indirect barriers

Liu H. Y.; Hopkinson M.; Harrison C. N.; Steer M. J.; Frith R.; Sellers I. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Optimizing the growth of 1.3 μm InAs/InGaAs dots-in-a-well structure

Tartakovskii A. I.; Groom K. M.; Adawi A. M.; Lemaître A.; Fox A. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.

Dynamics of stimulated emission in InAs quantum-dot laser structures measured in pump-probe experiments

Finley J. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Ashmore A. D.; Baker C.; Monte A. F. G.; Hopkinson M.

Fine structure of charged and neutral excitons in InAs-Al0.6Ga0.4As quantum dots

Oulton R.; Finley J. J.; Ashmore A. D.; Gregory I. S.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Steer M. J.; Liew San-Lin; Migliorato M. A.; Cullis A. J.

Manipulation of the homogeneous linewidth of an individual In(Ga)As quantum dot

Groom K. M.; Tartakovskii A. I.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Smowton P. M.; Hopkinson M.; Hill G.

Comparative study of InGaAs quantum dot lasers with different degrees of dot layer confinement

Liu H. Y.; Sellers I. R.; Airey R. J.; Steer M. J.; Houston P. A.; Mowbray D. J.; Cockburn J.; Skolnick M. S.; Xu B.; Wang Z. G.

Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate

Migliorato M. A.; Wilson L. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Al-Khafaji M.; Cullis A. G.; Hopkinson M.

Structural and optical studies of vertically aligned InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Wölfl F.; Ryan J. F.; Fox A. M.; Ashmore A. D.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Hill G.

Intensity noise in quantum-dot laser diodes

Lemaître A.; Ashmore A. D.; Finley J. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Krauss T. F.

Enhanced phonon-assisted absorption in single InAs/GaAs quantum dots

Finley J. J.; Fry P. W.; Ashmore A. D.; Lemaître A.; Tartakovskii A. I.; Oulton R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Buckle P. D.; Maksym P. A.

Observation of multicharged excitons and biexcitons in a single InGaAs quantum dot

Finley J. J.; Hopkinson M.; Maksym P. A.; Itskevich I. E.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Lemaître A.; Ashmore A. D.; Krauss T. F.

Charged and neutral exciton complexes in individual self-assembled In(Ga)As quantum dots

Fry P. W.; Finley J. J.; Wilson L. R.; Lemaître A.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Hill G.; Clark J. C.

Electric-field-dependent carrier capture and escape in self-assembled InAs/GaAs quantum dots

Fry P. W.; Itskevich I. E.; Parnell S. R.; Finley J. J.; Wilson L. R.; Schumacher K. L.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Al-Khafaji M.; Cullis A. G.; Hopkinson M.; Clark J. C.; Hill G.

Photocurrent spectroscopy of InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Fry P. W.; Hill G.; Cullis A. G.; David J. P. R.; Al-Khafaji M.; Hopkinson M.; Maksym P. A.; Larkin I. A.; Wilson L. R.; O'Reilly E. P.; Barker J. A.; Finley J. J.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Itskevich I. E.; Clark J. C.

Inverted Electron-Hole Alignment in InAs-GaAs Self-Assembled Quantum Dots

Fry P. W.; Harris L.; Parnell S. R.; Finley J. J.; Ashmore A. D.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Hill G.; Clark J. C.

Modal gain and lasing states in InAs/GaAs self-organized quantum dot lasers

Harris L.; Ashmore A. D.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Hill G.; Clark J.

Gain characteristics of InAs/GaAs self-organized quantum-dot lasers

Buckle P. D.; Dawson P.; Hall S. A.; Chen X.; Steer M. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.

Photoluminescence decay time measurements from self-organized InAs/GaAs quantum dots

Itskevich I. E.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Trojan I. A.; Lyapin S. G.; Wilson L. R.; Steer M. J.; Hopkinson M.; Eaves L.; Main P. C.

Excited states and selection rules in self-assembled InAs/GaAs quantum dots

Tribe W. R.; Steer M. J.; Forshaw A. N.; Schumacher K. L.; Mowbray D. J.; Whittaker D. M.; Skolnick M. S.; Roberts J. S.; Hill G.

Observation of wire width fluctuations in the optical spectra of GaAs–AlGaAs V-groove quantum wires

Dörr U.; Kalt H.; Send W.; Gerthsen D.; Mowbray D. J.; Button C. C.

Nanostructure of ordering variants in (AlxGa1-x;)0.52In0.48P grown on different vicinal GaAs substrates

Harris L.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; Hill G.

Emission spectra and mode structure of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasers

Dörr U.; Kalt H.; Mowbray D. J.; Button C. C.

Stimulated emission from localized states in partially ordered (AlxGa1-x;)0.52In0.48P

Dörr U.; Schwarz W.; Wörner A.; Westphäling R.; Dinger A.; Kalt H.; Mowbray D. J.; Hopkinson M.; Langbein W.

Optical properties of (AlxGa1-x;)0.52In0.48P at the crossover from a direct-gap to an indirect-gap semiconductor

Wilson L. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Morifuji M.; Steer M. J.; Larkin I. A.; Hopkinson M.

Magneto-optical studies of self-organized InAs/GaAs quantum dots

Tribe W. R.; Baxter D.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Fisher T. A.; Roberts J. S.

In- and out-going resonant Raman scattering from the cavity polaritons of semiconductor quantum microcavities

Baxter D.; Skolnick M. S.; Armitage A.; Astratov V. N.; Whittaker D. M.; Fisher T. A.; Roberts J. S.; Mowbray D. J.; Kaliteevski M. A.

Polarization-dependent phenomena in the reflectivity spectra of semiconductor quantum microcavities

Wilson L. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Astratov V. N.; Peggs D. W.; Rees G. J.; David J. P. R.; Grey R.; Hill G.; Pate M. A.

Electrical and optical bistability in InxGa1-x;As-GaAs piezoelectric quantum wells

Mowbray David J.; Kowalski Olgierd P.; Cockburn John W.; Skolnick Maurice S.; Hopkinson Mark; David John P. R.

Optical spectroscopic determination of the electronic band structure of bulk AlGaInP and GaInP-AlGaInP heterojunction band offsets

Tribe W. R.; Steer M. J.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Forshaw A. N.; Roberts J. S.; Hill G.; Pate M. A.; Whitehouse C. R.; Williams G. M.

Emission mechanisms and band filling effects in GaAs–AlGaAs V-groove quantum wires

Steer M. J.; Mowbray D. J.; Tribe W. R.; Skolnick M. S.; Sturge M. D.; Hopkinson M.; Cullis A. G.; Whitehouse C. R.; Murray R.

Electronic energy levels and energy relaxation mechanisms in self‐organized InAs/GaAs quantum dots

Cockburn J. W.; Finley J. J.; Wisniewski P.; Skolnick M. S.; Teissier R.; Mowbray D. J.; Grey R.; Hill G.; Pate M. A.

Electroluminescence spectroscopy of intervalley scattering and hot‐hole transport in a GaAs/Al;xGa1-;xAs tunneling structure

Kowalski O. P.; Wegerer R. M.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Button C. C.; Roberts J. S.; Hopkinson M.; David J. P. R.; Hill G.

Optical spectroscopic observation of spontaneous long range ordering in AlGaInP

Kowalski O. P.; Cockburn J. W.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Dawson M. D.; Duggan G.; Kean A. H.

Hydrostatic‐pressure determination of tensile‐strained Ga;xIn1-;xP‐(Al;yGa1-;y)0.52In0.48P quantum‐well band offsets

Peggs D. W.; Skolnick M. S.; Whittaker D. M.; Hogg R. A.; Willcox A. R. K.; Mowbray D. J.; Grey R.; Rees G. J.; Hart L.; Hopkinson M.; Hill G.; Pate M. A.

Observation of Wannier‐Stark ladder transitions in In;xGa1-;xAs‐GaAs piezoelectric superlattices

DeLong M. C.; Mowbray D. J.; Hogg R. A.; Skolnick M. S.; Williams J. E.; Meehan K.; Kurtz Sarah R.; Olson J. M.; Schneider R. P.; Wu M. C.; Hopkinson M.

Band gap of ‘‘completely disordered’’ Ga;0.52In0.48P

Kowalski O. P.; Cockburn J. W.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Teissier R.; Hopkinson M.

GaInP–AlGaInP band offsets determined from hydrostatic pressure measurements

Dawson Martin D.; Najda S. P.; Skolnick M. S.; Kowalski O. P.; Mowbray D. J.; Duggan Geoffrey; Kean Alistair H.; Hopkinson M.

Measurement of the direct energy gap of Al0.5In0.5P: Implications for the band discontinuity at Ga1-;xInxP/AlyIn1-;yP heterojunctions

Mowbray D. J.; Kowalski O. P.; Hopkinson M.; Skolnick M. S.; David J. P. R.

Electronic band structure of AlGaInP grown by solid‐source molecular‐beam epitaxy

DeLong M. C.; Mowbray D. J.; Hogg R. A.; Skolnick M. S.; Williams J. E.; Meehan K.; Kurtz Sarah R.; Olson J. M.; Wu M. C.; Hopkinson M.

The band gap of ‘‘perfectly disordered’’ Ga;0.52In0.48P

Arent D. J.; Alonso R. G.; Horner G. S.; Levi D.; Bode M.; Mascarenhas A.; Olson J. M.; Yin X.; DeLong M. C.; SpringThorpe A. J.; Majeed A.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.

Optical properties of ordered and randomly disordered AlAs/GaAs short‐period superlattices

Mowbray D. J.; Kowalski O. P.; Skolnick M. S.; DeLong M. C.; Hopkinson M.; David J. P. R.; Cullis A. G.

Solid‐source molecular beam epitaxy growth of GaInP and GaInP‐containing quantum wells

Hogg R. A.; Fisher T. A.; Pate M. A.; Hill G.; Sanchez-Rojas J. L.; Woodhead J.; Grey R.; Rees G. J.; Pabla A. S.; David J. P. R.; Mowbray D. J.; Skolnick M. S.; Whittaker D. M.; Willcox A. R. K.; Robson P. N.

Piezoelectric‐field effects on transition energies, oscillator strengths, and level widths in (111);B‐grown (In,Ga)As/GaAs multiple quantum wells

Pabla A. S.; Sanchez-Rojas J. L.; Woodhead J.; Grey R.; David J. P. R.; Rees G. J.; Hill G.; Pate M. A.; Robson P. N.; Hogg R. A.; Fisher T. A.; Willcox A. R. K.; Whittaker D. M.; Skolnick M. S.; Mowbray D. J.

Tailoring of internal fields in InGaAs/GaAs multiwell structures grown on (111)B GaAs

DeLong M. C.; Mowbray D. J.; Hogg R. A.; Skolnick M. S.; Hopkinson M.; David J. P. R.; Taylor P. C.; Kurtz Sarah R.; Olson J. M.

Photoluminescence, photoluminescence excitation, and resonant Raman spectroscopy of disordered and ordered Ga0.52In0.48P

Skolnick M. S.; Mowbray D. J.; Whittaker D. M.; Smith R. S.

Longitudinal‐optical phonon and shake‐up excitations in the recombination spectra of semiconductor quantum wells

DeLong M. C.; Hogg R. A.; Mowbray D. J.; Hopkinson M.; Skolnick M. S.; Taylor P. C.; Olson J. M.; Kurtz Sarah R.; Kibbler A. E.

Photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy in ordered and disordered Ga0.52In0.48P

Mowbray D. J.; Hogg R. A.; Skolnick M. S.; DeLong M. C.; Kurtz S. R.; Olson J. M.

Valence‐band splitting in ordered Ga;0.5In0.5P measured by polarized photoluminescence excitation spectroscopy