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Landwehr, G

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Latest Publications

1.
2005

Novik E. G.; Pfeuffer-Jeschke A.; Jungwirth T.; Latussek V.; Becker C. R.; Landwehr G.; Buhmann H.; Molenkamp L. W.

Band structure of semimagnetic Hg1-y;MnyTe quantum wells
Phys. Rev. B 72, 035321 (2005)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
2.
2005

Latussek V.; Becker C. R.; Landwehr G.; Bini R.; Ulivi L.

Deformation potentials of the semimetal HgTe
Phys. Rev. B 71, 125305 (2005)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
3.
2004

Zhang X. C.; Ortner K.; Pfeuffer-Jeschke A.; Becker C. R.; Landwehr G.

Effective g factor of n-type HgTe/Hg1-x;CdxTe single quantum wells
Phys. Rev. B 69, 115340 (2004)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;

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All Publications

1.
2005

Novik E. G.; Pfeuffer-Jeschke A.; Jungwirth T.; Latussek V.; Becker C. R.; Landwehr G.; Buhmann H.; Molenkamp L. W.

Band structure of semimagnetic Hg1-y;MnyTe quantum wells
Phys. Rev. B 72, 035321 (2005)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
2.
2005

Latussek V.; Becker C. R.; Landwehr G.; Bini R.; Ulivi L.

Deformation potentials of the semimetal HgTe
Phys. Rev. B 71, 125305 (2005)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
3.
2004

Zhang X. C.; Ortner K.; Pfeuffer-Jeschke A.; Becker C. R.; Landwehr G.

Effective g factor of n-type HgTe/Hg1-x;CdxTe single quantum wells
Phys. Rev. B 69, 115340 (2004)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
4.
2003

Becker C. R.; Landwehr G.; Latussek V.; Molenkamp L. W.

Inverted band structure of type-III HgTe/Hg1-x;CdxTe superlattices and its temperature dependence
Phys. Rev. B 68, 035202 (2003)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
5.
2003

Gleim Th.; Weinhardt L.; Probst M.; Ammon Ch.; Richter B.; Fleszar A.; Waag A.; Landwehr G.; Hansen L.; Umbach E.; Heske C.; Fink R.; Schmidt Th.; Steinrück H.-P.

Influence of As passivation on the electronic level alignment at BeTe/Si(111) interfaces
Phys. Rev. B 67, 205315 (2003)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
6.
2003

Toropov A. A.; Nekrutkina O. V.; Nestoklon M. O.; Sorokin S. V.; Solnyshkov D. D.; Ivanov S. V.; Waag A.; Landwehr G.

Γ-X; electron level crossover in ZnSe/BeTe multiple quantum wells
Phys. Rev. B 67, 113307 (2003)
A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg 194021, Russia
7.
2002

Zaitsev S. V.; Maksimov A. A.; Dorozhkin P. S.; Kulakovskii V. D.; Tartakovskii I. I.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Hansen L.; Landwehr G.; Waag A.

Electric-field effects on the radiative recombination in type-II ZnSe/BeTe heterostructures with equivalent and nonequivalent interfaces
Phys. Rev. B 66, 245310 (2002)
Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia;
8.
2002

Ortner K.; Landwehr G.; Becker C. R.; Pfeuffer-Jeschke A.; Zhang X. C.; Molenkamp L. W.

Valence band structure of HgTe/Hg1-x;CdxTe single quantum wells
Phys. Rev. B 66, 075322 (2002)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
9.
2002

Yakovlev D. R.; Platonov A. V.; Ivchenko E. L.; Kochereshko V. P.; Sas C.; Ossau W.; Hansen L.; Waag A.; Landwehr G.; Molenkamp L. W.

Hidden In-Plane Anisotropy of Interfaces in Zn(Mn)Se/ ;BeTe Quantum Wells with a Type-II Band Alignment
Phys. Rev. Lett. 88, 257401 (2002)
10.
2002

Astakhov G. V.; Kochereshko V. P.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Nürnberger J.; Faschinger W.; Landwehr G.; Wojtowicz T.; Karczewski G.; Kossut J.

Optical method for the determination of carrier density in modulation-doped quantum wells
Phys. Rev. B 65, 115310 (2002)
A. F. loffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
11.
2002

Zhang X. C.; Pfeuffer-Jeschke A.; Ortner K.; Becker C. R.; Landwehr G.

Absence of magneto-intersubband scattering in n-type HgTe quantum wells
Phys. Rev. B 65, 045324 (2002)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
12.
2002

Zaitsev S. V.; Maksimov A. A.; Kulakovskii V. D.; Tartakovskii I. I.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Hansen L.; Landwehr G.; Waag A.

Interface properties and in-plane linear photoluminescence polarization in highly excited type-II ZnSe/BeTe heterostructures with equivalent and nonequivalent interfaces
J. Appl. Phys. 91, 652 (2002)
Institute of Solid State Physics, RAS, 142432 Chernogolovka, Russia;
13.
2001

Ortner K.; Zhang X. C.; Oehling S.; Gerschütz J.; Pfeuffer-Jeschke A.; Hock V.; Becker C. R.; Landwehr G.; Molenkamp L. W.

Growth and characterization of p-type HgTe/Hg1-x;CdxTe single quantum wells using nitrogen and arsenic
Appl. Phys. Lett. 79, 3980 (2001)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
14.
2001

Reshina I. I.; Ivanov S. V.; Mirlin D. N.; Toropov A. A.; Waag A.; Landwehr G.

Raman scattering by magnetic excitations and phonons in diluted magnetic structures formed by self-organized quantum disks of CdZn(Mn)Se in a Zn(Mn)Se matrix
Phys. Rev. B 64, 035303 (2001)
Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
15.
2001

Zhang X. C.; Pfeuffer-Jeschke A.; Ortner K.; Hock V.; Buhmann H.; Becker C. R.; Landwehr G.

Rashba splitting in n-type modulation-doped HgTe quantum wells with an inverted band structure
Phys. Rev. B 63, 245305 (2001)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
16.
2001

Marbach K.; Zeitz W.-D.; Ittermann B.; Füllgrabe M.; Heemeier M.; Kroll F.; Mai F.; Meier P.; Peters D.; Thieß H.; Ackermann H.; Stöckmann H.-J.; Wenisch H.; Hommel D.; Landwehr G.

Defect properties of ion-implanted nitrogen in ZnSe
Phys. Rev. B 63, 241201 (2001)
Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialforschung der Universität Marburg, D-35032 Marburg, Germany;
17.
2001

Legge M.; Bacher G.; Bader S.; Kümmell T.; Forchel A.; Nürnberger J.; Schumacher C.; Faschinger W.; Landwehr G.

Selective ultrahigh vacuum dry etching process for ZnSe-based II–VI semiconductors
J. Vac. Sci. Technol. B 19, 692 (2001)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
18.
2001

Yakovlev D. R.; Sas C.; König B.; Hansen L.; Ossau W.; Landwehr G.; Molenkamp L. W.; Waag A.

Magnetoluminescence of Zn(Mn)Se/Be(Mn)Te semimagnetic heterostructures with a type-II band alignment
Appl. Phys. Lett. 78, 1870 (2001)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany;
19.
2001

Ivanov S. V.; Nekrutkina O. V.; Sorokin S. V.; Kaygorodov V. A.; Shubina T. V.; Toropov A. A.; Kop'ev P. S.; Reuscher G.; Wagner V.; Geurts J.; Waag A.; Landwehr G.

BeCdSe as a ternary alloy for blue-green optoelectronic applications
Appl. Phys. Lett. 78, 404 (2001)
Ioffe Physico-Technical Institute of RAS, St. Petersburg 194021, Russia;
20.
2000

Worschech L.; Ossau W.; Nürnberger J.; Faschinger W.; Landwehr G.

Optical characterization of relaxation processes in nitrogen-doped ZnSe layers
Appl. Phys. Lett. 77, 4301 (2000)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
21.
2000

Keim M.; Toropov A.; Shubina T. V.; Sitnikova A. A.; Sorokin S.; Ivanov S.; Landwehr G.; Forchel A.; Bacher G.; Seufert J.; Korn M.; Waag A.

Be-enhanced CdSe island formation in CdSe/ZnSe heterostructures
J. Appl. Phys. 88, 7051 (2000)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
22.
2000

Seufert J.; Rambach M.; Bacher G.; Forchel A.; Keim M.; Ivanov S.; Waag A.; Landwehr G.

Be-induced island formation in CdSe/ZnSe heterostructures: Ensemble versus single dot studies
Phys. Rev. B 62, 12609 (2000)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
23.
2000

Scherbakov A. V.; Akimov A. V.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Landwehr G.; Wojtowicz T.; Karczewski G.; Kossut J.

Spin-lattice relaxation in semimagnetic CdMnTe/CdMgTe quantum wells
Phys. Rev. B 62, R10641 (2000)
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
24.
2000

Becker C. R.; Latussek V.; Pfeuffer-Jeschke A.; Landwehr G.; Molenkamp L. W.

Band structure and its temperature dependence for type-III HgTe/Hg1-x;CdxTe superlattices and their semimetal constituent
Phys. Rev. B 62, 10353 (2000)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
25.
2000

Astakhov G. V.; Kochereshko V. P.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Nürnberger J.; Faschinger W.; Landwehr G.

Oscillator strength of trion states in ZnSe-based quantum wells
Phys. Rev. B 62, 10345 (2000)
A. F. Ioffe Physical-Technical Institute RAS, 194021, St. Petersburg, Russia
26.
2000

Maksimov A. A.; Bacher G.; McDonald A.; Landwehr G.; Becker C. R.; Forchel A.; Kulakovskii V. D.; Molenkamp L. W.

Magnetic polarons in a single diluted magnetic semiconductor quantum dot
Phys. Rev. B 62, R7767 (2000)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D–97074 Würzburg, Germany;
27.
2000

Schreder B.; Materny A.; Kiefer W.; Kümmell T.; Bacher G.; Forchel A.; Landwehr G.

Raman investigation of CdxZn1-x;Se/ZnSe quantum wires; Strain relaxation and excitation profile
J. Appl. Phys. 88, 764 (2000)
Institut für Physikalische Chemie der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
28.
2000

Eich D.; Hübner D.; Fink R.; Umbach E.; Ortner K.; Becker C. R.; Landwehr G.; Fleszar A.

Electronic structure of HgSe(001) investigated by direct and inverse photoemission
Phys. Rev. B 61, 12666 (2000)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
29.
2000

Yakovlev D. R.; Waag A.; Keim M.; Ossau W.; Kulakovskii V. D.; Tartakovskii I. I.; Maksimov A. A.; Zaitsev S. V.; Platonov A. V.; Kochereshko V. P.; Ivchenko E. L.; Landwehr G.

Orientation of chemical bonds at type-II heterointerfaces probed by polarized optical spectroscopy
Phys. Rev. B 61, R2421 (2000)
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 194021 St. Petersburg, Russia
30.
2000

von Truchseß M.; Landwehr G.; Becker C. R.; Pfeuffer-Jeschke A.; Batke E.

Electronic band structure of HgSe from Fourier transform spectroscopy
Phys. Rev. B 61, 1666 (2000)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Federal Republic of Germany;
31.
1999

Kavokin K. V.; Merkulov I. A.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Landwehr G.

Exciton localization in semimagnetic semiconductors probed by magnetic polarons
Phys. Rev. B 60, 16499 (1999)
A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
32.
1999

Platonov A. V.; Kochereshko V. P.; Ivchenko E. L.; Mikhailov G. V.; Yakovlev D. R.; Keim M.; Ossau W.; Waag A.; Landwehr G.

Giant Electro-optical Anisotropy in Type-II Heterostructures
Phys. Rev. Lett. 83, 3546 (1999)
A. F. Ioffe Physical-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
33.
1999

Ankudinov A. V.; Titkov A. N.; Shubina T. V.; Ivanov S. V.; Kop'ev P. S.; Lugauer H.-J.; Reuscher G.; Keim M.; Waag A.; Landwehr G.

Cross-sectional atomic force microscopy of ZnMgSSe- and BeMgZnSe-based laser diodes
Appl. Phys. Lett. 75, 2626 (1999)
Ioffe Physico–Technical Institute, St. Petersburg 194021, Russia;
34.
1999

Astakhov G. V.; Yakovlev D. R.; Kochereshko V. P.; Ossau W.; Nürnberger J.; Faschinger W.; Landwehr G.

Charged excitons in ZnSe-based quantum wells
Phys. Rev. B 60, R8485 (1999)
A. F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
35.
1999

Vogelgesang R.; Liang J. J.; Wagner V.; Lugauer H. J.; Geurts J.; Waag A.; Landwehr G.

Wavelength-dependent optical degradation of green II–VI laser diodes
Appl. Phys. Lett. 75, 1351 (1999)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
36.
1999

Maksimov A. A.; Zaitsev S. V.; Tartakovskii I. I.; Kulakovskii V. D.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Keim M.; Reuscher G.; Waag A.; Landwehr G.

Kinetics of radiative recombination in strongly excited ZnSe/BeTe superlattices with a type-II band alignment
Appl. Phys. Lett. 75, 1231 (1999)
Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Moscow Region, Russia;
37.
1999

Merkulov I. A.; Wojtowicz T.; Karczewski G.; Landwehr G.; Waag A.; Geurts J.; Ossau W.; Keller A.; Yakovlev D. R.; Kossut J.

Kinetic Exchange between the Conduction Band Electrons and Magnetic Ions in Quantum-Confined Structures
Phys. Rev. Lett. 83, 1431 (1999)
38.
1999

Bacher G.; Kümmell T.; Eisert D.; Forchel A.; König B.; Ossau W.; Becker C. R.; Landwehr G.

Buried single CdTe/CdMnTe quantum dots realized by focused ion beam lithography
Appl. Phys. Lett. 75, 956 (1999)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
39.
1999

Scherbakov A. V.; Akimov A. V.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Waag A.; Landwehr G.; Wojtowicz T.; Karczewski G.; Kossut J.

Heating of the spin system by nonequilibrium phonons in semimagnetic (Cd,Mn,Mg)Te quantum wells
Phys. Rev. B 60, 5609 (1999)
A. F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
40.
1999

König B.; Zehnder U.; Yakovlev D. R.; Waag A.; Keim M.; Gerhard T.; Ossau W.; Landwehr G.

Magneto-optical properties of Zn0.95Mn0.05Se/Zn0.76Be0.08Mg0.16Se quantum wells and Zn0.91Mn0.09Se/Zn0.972Be0.028Se spin superlattices
Phys. Rev. B 60, 2653 (1999)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
41.
1999

Bacher G.; Eisert D.; Kümmell T.; Forchel A.; Kühnelt M.; Wagner H. P.; Landwehr G.

Implantation induced changes in II-VI semiconductor heterostructures
AIP Conf. Proc. 475, 814 (1999)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
42.
1999

Li Ming; Faschinger W.; Landwehr G.; Mai Z. H.

Comment on “Uniqueness of the complex diffraction amplitude in x-ray Bragg diffraction”
Phys. Rev. B 59, 14781 (1999)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
43.
1999

Shen J. X.; Oka Y.; Ossau W.; Fischer F.; Waag A.; Landwehr G.

Enlarged paramagnetism by electron–electron exchange interactions in ;n-type modulation doped Cd1-x;MnxTe/Cd1-x-y;MnxMgyTe single quantum wells
J. Appl. Phys. 85, 5947 (1999)
RISM, Tohoku University, Katahira, Sendai 980-8577,;
44.
1999

Albert D.; Nürnberger J.; Hock V.; Ehinger M.; Faschinger W.; Landwehr G.

Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes
Appl. Phys. Lett. 74, 1957 (1999)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany;
45.
1999

Walter T.; Schunk P.; Landwehr G.; Waag A.; Gerhard T.; Fischer F.; Gerthsen D.; Wittmann R.; Rosenauer A.; Schimmel T.

Structural properties of BeTe/ZnSe superlattices
Phys. Rev. B 59, 8114 (1999)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Kaiserstraße 12, D-76128 Karlsruhe, Federal Republic of Germany;
46.
1999

Shen J. X.; Oka Y.; Hu C. Y.; Ossau W.; Landwehr G.; Friedland K.-J.; Hey R.; Ploog K.; Weimann G.

Photoluminescence in modulation-doped GaAs/Ga1-x;AlxAs heterojunctions
Phys. Rev. B 59, 8093 (1999)
RISM, Tohoku University, Katahira, Sendai 980-8577, Japan;
47.
1999

Ivanov S. V.; Toropov A. A.; Sorokin S. V.; Shubina T. V.; Sedova I. V.; Sitnikova A. A.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.; Lugauer H.-J.; Reuscher G.; Keim M.; Fischer F.; Waag A.; Landwehr G.

CdSe fractional-monolayer active region of molecular beam epitaxy grown green ZnSe-based lasers
Appl. Phys. Lett. 74, 498 (1999)
Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg 194021, Russia;
48.
1999

Tyazhlov M. G.; Waag A.; Yakovlev D. R.; Filin A. I.; Kulakovskii V. D.; Landwehr G.

Mn spin domains in highly photoexcited (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te quantum wells
Phys. Rev. B 59, 2050 (1999)
Institute of Solid State Physics, 142432, Chernogolovka, Russia
49.
1998

Ehinger M.; Koch C.; Korn M.; Albert D.; Nürnberger J.; Hock V.; Faschinger W.; Landwehr G.

High quantum efficiency II–VI photodetectors for the blue and blue-violet spectral range
Appl. Phys. Lett. 73, 3562 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
50.
1998

Gui Yongsheng; Li Biao; Zheng Guozhen; Guo Shaoling; Chu Junhao; Oehling S.; Becker C. R.; Landwehr G.

Transport properties of Hg0.80Mg0.20Te grown by molecular beam epitaxy
J. Appl. Phys. 84, 6170 (1998)
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 420 Zhong Shan Bei Yi Road, Shanghai 200083, China;
51.
1998

Oehling S.; Ehinger M.; Gerhard T.; Becker C. R.; Landwehr G.; Schneider M.; Eich D.; Neureiter H.; Fink R.; Sokolowski M.; Umbach E.

Termination, surface structure and morphology of the molecular beam epitaxially grown HgTe(001) surface
Appl. Phys. Lett. 73, 3205 (1998)
Experimentelle Physik III, Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
52.
1998

Lunz U.; Becker C. R.; Faschinger W.; Landwehr G.

Comment on “Quaternary alloy ;Zn1-x;MgxSySe1-y;”
Phys. Rev. B 58, 11052 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
53.
1998

Nagelstraßer M.; Dröge H.; Steinrück H.-P.; Fischer F.; Litz T.; Waag A.; Landwehr G.; Fleszar A.; Hanke W.

Band structure of BeTe: A combined experimental and theoretical study
Phys. Rev. B 58, 10394 (1998)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany;
54.
1998

Ivanov S.; Toropov A.; Sorokin S.; Shubina T.; Lebedev A.; Kop'ev P.; Alferov Zh.; Lugauer H.-J.; Reuscher G.; Keim M.; Fischer F.; Waag A.; Landwehr G.

ZnSe-based blue-green lasers with a short-period superlattice waveguide
Appl. Phys. Lett. 73, 2104 (1998)
Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg 194021, Russia;
55.
1998

Fiederling R.; Yakovlev D. R.; Ossau W.; Landwehr G.; Merkulov I. A.; Kavokin K. V.; Wojtowicz T.; Kutrowski M.; Grasza K.; Karczewski G.; Kossut J.

Exciton magnetic polarons in (100)- and (120)-oriented semimagnetic digital alloys (Cd,Mn)Te
Phys. Rev. B 58, 4785 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany;
56.
1998

Worschech L.; Ossau W.; Behr Th.; Nürnberger J.; Landwehr G.

Polarized luminescence from ZnSe-based laser structures and the role in laser operation
Appl. Phys. Lett. 73, 835 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
57.
1998

Lovisa S.; Cox R. T.; Baron T.; Keim M.; Waag A.; Landwehr G.

Optical creation of a metastable two-dimensional electron gas in a ZnSe/BeTe quantum structure
Appl. Phys. Lett. 73, 656 (1998)
CEA/Grenoble, Département de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, 17, avenue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
58.
1998

Fischer F.; Waag A.; Baron T.; Reuscher G.; Keim M.; Lugauer H. J.; Litz T.; Behr T.; Gerhard T.; Keller M.; Landwehr G.

Reduction of the extended defect density in molecular beam epitaxy grown ZnSe based II-VI heterostructures by the use of a BeTe buffer layer
J. Appl. Phys. 84, 1650 (1998)
Physikalisches Institut, EPIII, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
59.
1998

Hu C. Y.; Ossau W.; Yakovlev D. R.; Landwehr G.; Wojtowicz T.; Karczewski G.; Kossut J.

Optically detected magnetic resonance of excess electrons in type-I quantum wells with a low-density electron gas
Phys. Rev. B 58, R1766 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
60.
1998

Kümmell T.; Bacher G.; Forchel A.; Lermann G.; Kiefer W.; Jobst B.; Hommel D.; Landwehr G.

Size dependence of strain relaxation and lateral quantization in deep etched CdxZn1-x;Se/ZnSe quantum wires
Phys. Rev. B 57, 15439 (1998)
Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Germany;
61.
1998

Lunz U.; Keim M.; Waag A.; Faschinger W.; Landwehr G.

Transverse magnetic field studies in ZnSe/BeTe resonant tunneling structures
Appl. Phys. Lett. 72, 2120 (1998)
Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany;
62.
1998

Nagelstrasser M.; Dröge H.; Fischer F.; Litz T.; Waag A.; Landwehr G.; Steinrück H.-P.

Band discontinuities and local interface composition in BeTe/ZnSe heterostructures
J. Appl. Phys. 83, 4253 (1998)
Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany;
63.
1997

Herz K.; Kümmell T.; Bacher G.; Forchel A.; Jobst B.; Hommel D.; Landwehr G.

Biexciton formation in CdxZn1-x;Se/ZnSe quantum-dot and quantum-well structures
Phys. Rev. B 56, 15261 (1997)
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Hellmann R.; Koch M.; Feldmann J.; Cundiff S. T.; Göbel E. O.; Yakovlev D. R.; Waag A.; Landwehr G.

Homogeneous linewidth of excitons in semimagnetic CdTe/Cd1-;xMnxTe multiple quantum wells
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Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps‐Universität, Renthof 5, W‐3550 Marburg, Federal Republic of Germany;
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Schmiedl R.; Einfeldt S.; Landwehr G.

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A new model for the absorption coefficient of narrow‐gap (Hg,Cd)Te that simultaneously considers band tails and band filling
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He L.; Becker C. R.; Bicknell-Tassius R. N.; Scholl S.; Landwehr G.

Molecular beam epitaxial growth and evaluation of intrinsic and extrinsically doped Hg0.8Cd0.2Te on (100) Cd0.96Zn0.04Te
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; von Schierstedt K.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

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Exciton oscillator strength in magnetic‐field‐induced spin superlattices CdTe/(Cd,Mn)Te
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Kavokin Alexey V.; Kochereshko Vladimir P.; Bicknell-Tassius Robert N.; Landwehr Gottfried; Yakovlev Dmitrii R.; Uraltsev Igor N.; Pozina Galina R.; Waag Andreas

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Kavokin Kirill V.; Landwehr Gottfried; Yakovlev Dmitrii R.; Uraltsev Igor N.; Kavokin Alexey V.; Pohlmann A.

Two-dimensional exciton magnetic polaron dynamics in thin CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells
Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1675, 467 (1992)
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Comparison of band structure calculations and photoluminescence experiments on HgTe/CdTe superlattices grown by molecular beam epitaxy
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Thermal effects on (100) CdZnTe substrates as studied by x‐ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction
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Landwehr Gottfried; Waag Andreas; Hofmann K.; Kallis Norbert; Bicknell-Tassius Robert N.

Recent progress in device-oriented II-VI research at the University of Wuerzburg
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Wu Y. S.; Becker C. R.; Waag A.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

The effects of laser illumination and high energy electrons on molecular‐beam epitaxial growth of CdTe
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Landwehr Gottfried

Florida Un‐Sitely for Magnet Lab
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1990

Waag A.; Wu Y. S.; Bicknell-Tassius R. N.; Gonser-Buntrock C.; Landwehr G.

Investigation of molecular‐beam epitaxially grown CdTe on GaAs by x‐ray photoelectron spectroscopy
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Kuhn T. A.; Ossau W.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Linear polarized luminescence from CdTe epilayers
Appl. Phys. Lett. 55, 2637 (1989)
Physikalisches Institut du Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;
159.
1989

Waag A.; Wu Y. S.; Bicknell-Tassius R. N.; Landwehr G.

Investigation of CdTe surfaces by x‐ray photoelectron spectroscopy
Appl. Phys. Lett. 54, 2662 (1989)
Physikalisches Institut d. Universität Würzburg, D‐8700 Würzburg, Federal Republic of Germany;

Co-authors

Co-publications
79

Waag, Andreas
40

Ossau, W
38

Yakovlev, DR
37

Becker, Charles R.
28

Forchel, Alfred
27

Bacher, G
23

Hommel, Detlef
18

Faschinger, W
15

Fischer, F
15

Keim, M
14

Kümmell, T
13

Nürnberger, J
11

Kochereshko, VP
9

Lugauer, H.-J.
9

Reuscher, G