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Grundmann, Marius

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Latest Publications

1.
2012

Dietrich C. P.; Lange M.; Stölzel M.; Grundmann M.

Microwire (Mg,Zn)O/ZnO and (Mg,Zn)O/(Cd,Zn)O non-polar quantum well heterostructures for cavity applications
Appl. Phys. Lett. 100, 031110 (2012)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
2.
2011

Kranert C.; Böntgen T.; Schmidt-Grund R.; Brandt M.; Schöche S.; Sturm C.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Structural properties of BaTiO3/ZnO heterostructures and interfaces
AIP Conf. Proc. 1399, 451 (2011)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D‐04103 Leipzig, Germany
3.
2011

Sturm C.; Hilmer H.; Schmidt-Grund R.; Grundmann M.

Occupation behaviour of the lower exciton‐polariton branch in ZnO‐based microresonators
AIP Conf. Proc. 1399, 447 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany

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All Publications

1.
2012

Dietrich C. P.; Lange M.; Stölzel M.; Grundmann M.

Microwire (Mg,Zn)O/ZnO and (Mg,Zn)O/(Cd,Zn)O non-polar quantum well heterostructures for cavity applications
Appl. Phys. Lett. 100, 031110 (2012)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
2.
2011

Kranert C.; Böntgen T.; Schmidt-Grund R.; Brandt M.; Schöche S.; Sturm C.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Structural properties of BaTiO3/ZnO heterostructures and interfaces
AIP Conf. Proc. 1399, 451 (2011)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D‐04103 Leipzig, Germany
3.
2011

Sturm C.; Hilmer H.; Schmidt-Grund R.; Grundmann M.

Occupation behaviour of the lower exciton‐polariton branch in ZnO‐based microresonators
AIP Conf. Proc. 1399, 447 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
4.
2011

Dietrich C. P.; Grundmann M.

Comment on “Exciton-polariton microphotoluminescence and lasing from ZnO whispering-gallery mode microcavities” [Appl. Phys. Lett. 98, 161110 (2011)]
Appl. Phys. Lett. 99, 136101 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
5.
2011

Zhang Zhipeng; von Wenckstern Holger; Schmidt Matthias; Grundmann Marius

Wavelength selective metal-semiconductor-metal photodetectors based on (Mg,Zn)O-heterostructures
Appl. Phys. Lett. 99, 083502 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany
6.
2011

Zippel J.; Lorenz M.; Lenzner J.; Grundmann M.; Hammer T.; Jacquot A.; Böttner H.

Electrical transport and optical emission of MnxZr1-xO2(0≤x≤0.5) thin films
J. Appl. Phys. 110, 043706 (2011)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, Leipzig D-04103, Germany
7.
2011

Dey C. C.; Dey S.; Bedi S. C.; Das S. K.; Lorenz M.; Grundmann M.; Vogt J.; Butz T.

Hafnium oxide thin films studied by time differential perturbed angular correlations
J. Appl. Phys. 109, 113918 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany
8.
2011

Sturm Chris; Hilmer Helena; Rheinländer Bernd; Schmidt-Grund Rüdiger; Grundmann Marius

Cavity-photon dispersion in one-dimensional confined microresonators with an optically anisotropic cavity material
Phys. Rev. B 83, 205301 (2011)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, D-04103 Leipzig, Germany
9.
2011

Lange M.; Dietrich C. P.; Zúñiga-Pérez J.; von Wenckstern H.; Lorenz M.; Grundmann M.

MgZnO/ZnO quantum well nanowire heterostructures with large confinement energies
J. Vac. Sci. Technol. A 29, 03A104 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany
10.
2011

Klüpfel F. J.; Lajn A.; Frenzel H.; von Wenckstern H.; Grundmann M.

Gate- and drain-lag effects in (Mg,Zn)O-based metal-semiconductor field-effect transistors
J. Appl. Phys. 109, 074515 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany
11.
2011

Dietrich C. P.; Lange M.; Klüpfel F. J.; von Wenckstern H.; Schmidt-Grund R.; Grundmann M.

Strain distribution in bent ZnO microwires
Appl. Phys. Lett. 98, 031105 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
12.
2011

Dietrich Christof P.; Brandt Matthias; Lange Martin; Kupper Johannes; Böntgen Tammo; von Wenckstern Holger; Grundmann Marius

Defect properties of ZnO and ZnO:P microwires
J. Appl. Phys. 109, 013712 (2011)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
13.
2010

Lorenz M.; Lajn A.; Frenzel H.; v. Wenckstern H.; Grundmann M.; Barquinha P.; Martins R.; Fortunato E.

Low-temperature processed Schottky-gated field-effect transistors based on amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin films
Appl. Phys. Lett. 97, 243506 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany
14.
2010

Grundmann Marius; Böntgen Tammo; Lorenz Michael

Occurrence of Rotation Domains in Heteroepitaxy
Phys. Rev. Lett. 105, 146102 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, D-04103 Leipzig, Germany
15.
2010

Zippel Jan; Lorenz Michael; Setzer Annette; Wagner Gerald; Sobolev Nikolai; Esquinazi Pablo; Grundmann Marius

Defect-induced ferromagnetism in undoped and Mn-doped zirconia thin films
Phys. Rev. B 82, 125209 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany
16.
2010

Lausch Dominik; Petter Kai; Bakowskie Ronny; Czekalla Christian; Lenzner Jörg; von Wenckstern Holger; Grundmann Marius

Identification of pre-breakdown mechanism of silicon solar cells at low reverse voltages
Appl. Phys. Lett. 97, 073506 (2010)
Mikrostrukturdiagnostik und Analytik, Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik (CSP), Walter-Hülse-Str. 1, D-06120 Halle (Saale), Germany
17.
2010

Brandt Matthias; Lange Martin; Stölzel Marko; Müller Alexander; Benndorf Gabriele; Zippel Jan; Lenzner Jörg; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Control of interface abruptness of polar MgZnO/ZnO quantum wells grown by pulsed laser deposition
Appl. Phys. Lett. 97, 052101 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnèstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
18.
2010

Frenzel H.; Lajn A.; von Wenckstern H.; Grundmann M.

Ultrathin gate-contacts for metal-semiconductor field-effect transistor devices: An alternative approach in transparent electronics
J. Appl. Phys. 107, 114515 (2010)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany
19.
2010

Voora Venkata M.; Hofmann T.; Brandt M.; Lorenz M.; Grundmann M.; Ashkenov N.; Schmidt H.; Ianno N.; Schubert M.

Interface polarization coupling in piezoelectric-semiconductor ferroelectric heterostructures
Phys. Rev. B 81, 195307 (2010)
Department of Electrical Engineering and Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska–Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA
20.
2010

Lange M.; Dietrich C. P.; Czekalla C.; Zippel J.; Benndorf G.; Lorenz M.; Zúñiga-Pérez J.; Grundmann M.

Luminescence properties of ZnO/Zn1-xCdxO/ZnO double heterostructures
J. Appl. Phys. 107, 093530 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany
21.
2010

Ankiewicz A. O.; Martins J. S.; Carmo M. C.; Grundmann M.; Zhou Shengqiang; Schmidt H.; Sobolev N. A.

Ferromagnetic resonance on metal nanocrystals in Fe and Ni implanted ZnO
J. Appl. Phys. 107, 09B518 (2010)
Departamento de Física and I3N, Universidade de Aveiro, 3810-193, Portugal
22.
2010

Frenzel H.; Schein F.; Lajn A.; von Wenckstern H.; Grundmann M.

High-gain integrated inverters based on ZnO metal-semiconductor field-effect transistor technology
Appl. Phys. Lett. 96, 113502 (2010)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany
23.
2010

Brandt Matthias; von Wenckstern Holger; Benndorf Gabriele; Lange Martin; Dietrich Christof P.; Kranert Christian; Sturm Chris; Schmidt–Grund Rüdiger; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius; Wagner Markus R.; Alic Miran; Nenstiel Christian; Hoffmann Axel

Identification of a donor-related recombination channel in ZnO thin films
Phys. Rev. B 81, 073306 (2010)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnèstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
24.
2010

Müller Alexander; Stölzel Marko; Dietrich Christof; Benndorf Gabriele; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Origin of the near-band-edge luminescence in MgxZn1-xO alloys
J. Appl. Phys. 107, 013704 (2010)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany
25.
2009

Grundmann Marius; Dietrich Christof P.

Lineshape theory of photoluminescence from semiconductor alloys
J. Appl. Phys. 106, 123521 (2009)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, D-04103 Leipzig, Germany
26.
2009

Frenzel H.; Lorenz M.; Lajn A.; von Wenckstern H.; Biehne G.; Hochmuth H.; Grundmann M.

ZnO-based metal-semiconductor field-effect transistors on glass substrates
Appl. Phys. Lett. 95, 153503 (2009)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany
27.
2009

Voora V. M.; Hofmann T.; Brandt M.; Lorenz M.; Ashkenov N.; Grundmann M.; Schubert M.

Electrical properties of ZnO–BaTiO3–ZnO heterostructures with asymmetric interface charge distribution
Appl. Phys. Lett. 95, 082902 (2009)
Department of Electrical Engineering and Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, 68588 Lincoln, USA
28.
2009

Khalid M.; Ziese M.; Setzer A.; Esquinazi P.; Lorenz M.; Hochmuth H.; Grundmann M.; Spemann D.; Butz T.; Brauer G.; Anwand W.; Fischer G.; Adeagbo W. A.; Hergert W.; Ernst A.

Defect-induced magnetic order in pure ZnO films
Phys. Rev. B 80, 035331 (2009)
Division of Superconductivity and Magnetism, University of Leipzig, 04103 Leipzig, Germany
29.
2009

Brandt Matthias; Frenzel Heiko; Grundmann Marius; Lorenz Michael; Hochmuth Holger; Schubert Jürgen

Ferroelectric thin film field-effect transistors based on ZnO/BaTiO3 heterostructures
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1789 (2009)
Institut für Experimentelle Physic II, Universität Leipzig, P.O. Box 10 09 20, 04009 Leipzig, Germany
30.
2009

Czekalla Christian; Lorenz Michael; Pérez Jesús Zúñiga; Cao Bingqiang; Schmidt-Grund Rüdiger; Sturm Chris; Grundmann Marius

Optical characterization of zinc oxide microlasers and microwire core-shell heterostructures
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1780 (2009)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany
31.
2009

Lajn A.; Vogt C.; Wickert S.; Grundmann M.; Lorenz M.; Hochmuth H.; Lenzner J.; Biehne G.; Czekalla C.; Zhang Z.; Wenckstern H. v.; Denecke R.

Properties of reactively sputtered Ag, Au, Pd, and Pt Schottky contacts on n-type ZnO
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1769 (2009)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany
32.
2009

Lange M.; Zippel J.; Benndorf G.; Czekalla C.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Temperature dependence of localization effects of excitons in ZnO/CdxZn1-xO/ZnO double heterostructures
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1741 (2009)
Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany
33.
2009

Zippel Jan; Lenzner J.; Benndorf G.; Lange M.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Electronic coupling in MgxZn1-xO/ZnO double quantum wells
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1735 (2009)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany
34.
2009

Sturm C.; Hilmer H.; Schmidt-Grund R.; Czekalla C.; Sellmann J.; Lenzner J.; Lorenz M.; Grundmann M.

Strong exciton-photon coupling in ZnO based resonators
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1726 (2009)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, 04103 Leipzig, Germany
35.
2009

Lorenz Michael; Cao Bingqiang; Zimmermann Gregor; Biehne Gisela; Czekalla Christian; Frenzel Heiko; Brandt Matthias; von Wenckstern Holger; Grundmann Marius

Stable p-type ZnO:P nanowire/n-type ZnO:Ga film junctions, reproducibly grown by two-step pulsed laser deposition
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1693 (2009)
Institut für Experimentelle Physik II, Semiconductor Physics Group, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany
36.
2009

Brandt Matthias; von Wenckstern Holger; Meinecke Christoph; Butz Tilman; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Dopant activation in homoepitaxial MgZnO:P thin films
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1604 (2009)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, P.O. Box 10 09 20, 04009 Leipzig, Germany
37.
2009

Schmidt Matthias; Ellguth Martin; Czekalla Christian; v. Wenckstern Holger; Pickenhain Rainer; Grundmann Marius; Brauer Gerhard; Skorupa Wolfgang; Helm Manfred; Gu Qilin; Ling Chi Chung

Defects in zinc-implanted ZnO thin films
J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1597 (2009)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany
38.
2009

Voora V. M.; Hofmann T.; Brandt M.; Lorenz M.; Grundmann M.; Ashkenov N.; Schubert M.

Resistive hysteresis and interface charge coupling in BaTiO3-ZnO heterostructures
Appl. Phys. Lett. 94, 142904 (2009)
Department of Electrical Engineering, Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA
39.
2008

Müller Sven; Lorenz Michael; Czekalla Christian; Benndorf Gabriele; Hochmuth Holger; Grundmann Marius; Schmidt Heidemarie; Ronning Carsten

Intense white photoluminescence emission of V-implanted zinc oxide thin films
J. Appl. Phys. 104, 123504 (2008)
II. Institute of Physics, University of Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen, ;Germany
40.
2008

Zhou Shengqiang; Xu Qingyu; Potzger Kay; Talut Georg; Grötzschel Rainer; Fassbender Jürgen; Vinnichenko Mykola; Grenzer Jörg; Helm Manfred; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius; Schmidt Heidemarie

Room temperature ferromagnetism in carbon-implanted ZnO
Appl. Phys. Lett. 93, 232507 (2008)
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., Bautzner Landstraße 128, 01328 Dresden, ;Germany
41.
2008

Xu Qingyu; Hartmann Lars; Zhou Shengqiang; Mcklich Arndt; Helm Manfred; Biehne Gisela; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius; Schmidt Heidemarie

Spin Manipulation in Co-Doped ZnO
Phys. Rev. Lett. 101, 076601 (2008)
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., Bautzner Landstraße 128, 01328 Dresden, Germany;
42.
2008

Brandt Matthias; von Wenckstern Holger; Schmidt Heidemarie; Rahm Andreas; Biehne Gisela; Benndorf Gabriele; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Meinecke Christoph; Butz Tilman; Grundmann Marius

High electron mobility of phosphorous-doped homoepitaxial ZnO thin films grown by pulsed-laser deposition
J. Appl. Phys. 104, 013708 (2008)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, P.O. Box 10 09 20, 04009 Leipzig, ;Germany
43.
2008

Czekalla Christian; Sturm Chris; Schmidt-Grund Rüdiger; Cao Bingqiang; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Whispering gallery mode lasing in zinc oxide microwires
Appl. Phys. Lett. 92, 241102 (2008)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, ;Germany
44.
2008

Frenzel H.; Lajn A.; Brandt M.; Wenckstern H. von; Biehne G.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

ZnO metal-semiconductor field-effect transistors with Ag-Schottky gates
Appl. Phys. Lett. 92, 192108 (2008)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, ;Germany
45.
2008

Pereira A. S.; Ankiewicz A. O.; Gehlhoff W.; Hoffmann A.; Pereira S.; Trindade T.; Grundmann M.; Carmo M. C.; Sobolev N. A.

Surface modification of Co-doped ZnO nanocrystals and its effects on the magnetic properties
J. Appl. Phys. 103, 07D140 (2008)
Departamento de Química and CICECO, Universidade de Aveiro, P-3810-193 Aveiro, ;Portugal
46.
2008

Xu Qingyu; Schmidt Heidemarie; Zhou Shengqiang; Potzger Kay; Helm Manfred; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Setzer Annette; Esquinazi Pablo; Meinecke Christoph; Grundmann Marius

Room temperature ferromagnetism in ZnO films due to defects
Appl. Phys. Lett. 92, 082508 (2008)
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., Bautzner Landstraße 128, 01328 Dresden, ;Germany
47.
2007

Schmidt Heidemarie; Wiebe Maria; Dittes Beatrice; Grundmann Marius

Meyer-Neldel rule in ZnO
Appl. Phys. Lett. 91, 232110 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstraße 3-5, 04103 Leipzig, Germany, and Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e. V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Bautzner Landstrasse 128, 01328 Dresden, Germany;
48.
2007

Xu Qingyu; Spemann Daniel; Lorenz Michael; Hochmuth Holger; Schmidt Heidemarie; Hartmann Lars; Grundmann Marius

s-d exchange interaction induced magnetoresistance in magnetic ZnO
Phys. Rev. B 76, 134417 (2007)
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Bautzner Landstraße 128, 01328 Dresden, Germany;
49.
2007

Hofstetter Daniel; Bonetti Yargo; Giorgetta Fabrizio R.; El-Shaer Abdel-Hamid; Bakin Andrey; Waag Andreas; Schmidt-Grund Rüdiger; Schubert Mathias; Grundmann Marius

Demonstration of an ultraviolet ZnO-based optically pumped third order distributed feedback laser
Appl. Phys. Lett. 91, 111108 (2007)
Institute of Physics, University of Neuchatel, 1 A.-L. Breguet, CH-2000 Neuchatel, Switzerland
50.
2007

Xu Qingyu; Schmidt Heidemarie; Hartmann Lars; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Setzer Annette; Esquinazi Pablo; Meinecke Christoph; Grundmann Marius

Room temperature ferromagnetism in Mn-doped ZnO films mediated by acceptor defects
Appl. Phys. Lett. 91, 092503 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik and Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
51.
2007

Frenzel H.; v. Wenckstern H.; Weber A.; Schmidt H.; Biehne G.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Photocurrent spectroscopy of deep levels in ZnO thin films
Phys. Rev. B 76, 035214 (2007)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
52.
2007

von Wenckstern H.; Schmidt H.; Grundmann M.; Allen M. W.; Miller P.; Reeves R. J.; Durbin S. M.

Defects in hydrothermally grown bulk ZnO
Appl. Phys. Lett. 91, 022913 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnestraße 5, 04103, Germany;
53.
2007

Heitsch S.; Zimmermann G.; Fritsch D.; Sturm C.; Schmidt-Grund R.; Schulz C.; Hochmuth H.; Spemann D.; Benndorf G.; Rheinländer B.; Nobis Th.; Lorenz M.; Grundmann M.

Luminescence and surface properties of MgxZn1-x;O thin films grown by pulsed laser deposition
J. Appl. Phys. 101, 083521 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
54.
2007

Ankiewicz A. O.; Gehlhoff W.; Kaidashev E. M.; Rahm A.; Lorenz M.; Grundmann M.; Carmo M. C.; Sobolev N. A.

Electron Paramagnetic Resonance Characterization of Mn‐ and Co‐Doped ZnO Nanowires
AIP Conf. Proc. 893, 63 (2007)
Departamento de Física, Universidade de Aveiro, 3810‐193 Aveiro, Portugal;
55.
2007

Goede Karsten; Bachmann Michael; Janke Wolfhard; Grundmann Marius

Specific adhesion of peptides on semiconductor surfaces in experiment and simulation
AIP Conf. Proc. 893, 611 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany;
56.
2007

Heitsch Susanne; Zimmermann Gregor; Lenzner Jörg; Hochmuth Holger; Benndorf Gabriele; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Photoluminescence of MgxZn1-;xO/ZnO Quantum Wells Grown by Pulsed Laser Deposition
AIP Conf. Proc. 893, 409 (2007)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
57.
2007

Fritsch Daniel; Schmidt Heidemarie; Grundmann Marius

Calculated optical properties of wurtzite GaN and ZnO
AIP Conf. Proc. 893, 325 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
58.
2007

Frenzel H.; Wenckstern H. v.; Weber A.; Biehne G.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Measurement of deep intrinsic defects in thin ZnO films via mid‐infrared photocurrent spectroscopy
AIP Conf. Proc. 893, 301 (2007)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Halbleiterphysik, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany;
59.
2007

Schmidt-Grund R.; Ashkenov N.; Schubert M. M.; Czakai W.; Faltermeier D.; Benndorf G.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Temperature‐dependence of the refractive index and the optical transitions at the fundamental band‐gap of ZnO
AIP Conf. Proc. 893, 271 (2007)
Universit t Leipzig, Institut f r Experimentelle Physik II, LinnO̸str. 5, 04103 Leipzig, Germany;
60.
2007

Sturm Chris; Schmidt-Grund Rüdiger; Kaden Ronny; von Wenckstern Holger; Rheinländer Bernd; Bente Klaus; Grundmann Marius

Optical Properties of Cylindrite
AIP Conf. Proc. 893, 1483 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
61.
2007

Xu Qingyu; Hartmann Lars; Schmidt Heidemarie; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Schmidt-Grund Rüdiger; Sturm Chris; Spemann Daniel; Grundmann Marius

The magnetotransport properties of Co‐doped ZnO films
AIP Conf. Proc. 893, 1187 (2007)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
62.
2007

Schmidt-Grund R.; Rheinländer B.; Gühne T.; Hochmuth H.; Gottschalch V.; Rahm A.; Lenzner J.; Grundmann M.

ZnO micro‐pillar resonators with coaxial Bragg reflectors
AIP Conf. Proc. 893, 1137 (2007)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany;
63.
2007

Nobis Thomas; Rahm Andreas; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Temperature dependence of the whispering gallery effect in ZnO nanoresonators
AIP Conf. Proc. 893, 1057 (2007)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D‐04103 Germany;
64.
2007

Liu Yuzi; Xu Qingyu; Schmidt Heidemarie; Hartmann Lars; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius; Han Xiaodong; Zhang Ze

Co location and valence state determination in ferromagnetic ZnO:Co thin films by atom-location-by-channeling-enhanced-microanalysis electron energy-loss spectroscopy
Appl. Phys. Lett. 90, 154101 (2007)
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 603, Beijing 100080, China
65.
2007

Xu Qingyu; Hartmann Lars; Schmidt Heidemarie; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Schmidt-Grund Rüdiger; Sturm Chris; Spemann Daniel; Grundmann Marius; Liu Yuzi

Magnetoresistance and anomalous Hall effect in magnetic ZnO films
J. Appl. Phys. 101, 063918 (2007)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
66.
2007

Grundmann Marius; Weaver John H.

The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Devices and Nanophysics
Phys. Today 60, 63 (2007)
67.
2007

Ankiewicz A. O.; Carmo M. C.; Sobolev N. A.; Gehlhoff W.; Kaidashev E. M.; Rahm A.; Lorenz M.; Grundmann M.

Electron paramagnetic resonance in transition metal-doped ZnO nanowires
J. Appl. Phys. 101, 024324 (2007)
Departamento de Física, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal;
68.
2006

Lorenz M.; Johne R.; Nobis T.; Hochmuth H.; Lenzner J.; Grundmann M.; Schenk H. P. D.; Borenstain S. I.; Schön A.; Bekeny C.; Voss T.; Gutowski J.

Fast, high-efficiency, and homogeneous room-temperature cathodoluminescence of ZnO scintillator thin films on sapphire
Appl. Phys. Lett. 89, 243510 (2006)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany;
69.
2006

Gonschorek Marcus; Cirlin Georgii E.; Wagner Gerald; Benndorf Gabriele; Bauer Jens; Schmidt Heidemarie; Grundmann Marius

Thermally assisted tunneling processes in InxGa1-x;As/;GaAs quantum-dot structures
Phys. Rev. B 74, 115312 (2006)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstraße 3-5, 04103 Leipzig, Germany;
70.
2006

von Wenckstern H.; Pickenhain R.; Schmidt H.; Brandt M.; Biehne G.; Lorenz M.; Grundmann M.; Brauer G.

Deep acceptor states in ZnO single crystals
Appl. Phys. Lett. 89, 092122 (2006)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Abteilung Halbleiterphysik, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
71.
2006

Brauer G.; Anwand W.; Skorupa W.; Kuriplach J.; Melikhova O.; Moisson C.; von Wenckstern H.; Schmidt H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Defects in virgin and N⁺-implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation, Hall effect, and deep-level transient spectroscopy
Phys. Rev. B 74, 045208 (2006)
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf, Postfach 510119, D-01314 Dresden, Germany;
72.
2006

Schubert E.; Fahlteich J.; Rauschenbach B.; Schubert M.; Lorenz M.; Grundmann M.; Wagner G.

Recrystallization behavior in chiral sculptured thin films from silicon
J. Appl. Phys. 100, 016107 (2006)
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig e.V., Permoserstrasse 15, D-04318 Leipzig, Germany;
73.
2006

Xu Qingyu; Hartmann Lars; Schmidt Heidemarie; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Schmidt-Grund Rüdiger; Spemann Daniel; Grundmann Marius

Magnetoresistance effects in Zn0.90Co0.10O films
J. Appl. Phys. 100, 013904 (2006)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
74.
2006

Schmidt-Grund Rüdiger; Carstens Anke; Rheinländer Bernd; Spemann Daniel; Hochmut Holger; Zimmermann Gregor; Lorenz Michael; Grundmann Marius; Herzinger Craig M.; Schubert Mathias

Refractive indices and band-gap properties of rocksalt MgxZn1-x;O(0.68⩽x⩽1);
J. Appl. Phys. 99, 123701 (2006)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
75.
2006

Bundesmann C.; Rahm A.; Lorenz M.; Grundmann M.; Schubert M.

Infrared optical properties of MgxZn1-x;O thin films (0⩽x⩽1);; Long-wavelength optical phonons and dielectric constants
J. Appl. Phys. 99, 113504 (2006)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
76.
2006

Xu Qingyu; Hartmann Lars; Schmidt Heidemarie; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Schmidt-Grund Rüdiger; Sturm Chris; Spemann Daniel; Grundmann Marius

Metal-insulator transition in Co-doped ZnO: Magnetotransport properties
Phys. Rev. B 73, 205342 (2006)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
77.
2006

Fritsch Daniel; Schmidt Heidemarie; Grundmann Marius

Pseudopotential band structures of rocksalt MgO, ZnO, and Mg1-x;ZnxO
Appl. Phys. Lett. 88, 134104 (2006)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
78.
2006

von Wenckstern Holger; Biehne Gisela; Rahman R. Abdel; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Mean barrier height of Pd Schottky contacts on ZnO thin films
Appl. Phys. Lett. 88, 092102 (2006)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany;
79.
2006

Zúñiga-Pérez J.; Muñoz-Sanjosé V.; Lorenz M.; Benndorf G.; Heitsch S.; Spemann D.; Grundmann M.

Structural characterization of a-plane Zn1-x;CdxO(0⩽x⩽0.085); thin films grown by metal-organic vapor phase epitaxy
J. Appl. Phys. 99, 023514 (2006)
Departamento de Física Aplicada y Electromagnetismo, Universitat de València, C/ Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Spain;
80.
2005

Nobis Thomas; Grundmann Marius

Low-order optical whispering-gallery modes in hexagonal nanocavities
Phys. Rev. A 72, 063806 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany;
81.
2005

Diaconu Mariana; Schmidt Heidemarie; Pöppl Andreas; Böttcher Rolf; Hoentsch Joachim; Klunker Alexander; Spemann Daniel; Hochmuth Holger; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Electron paramagnetic resonance of Zn1-x;MnxO thin films and single crystals
Phys. Rev. B 72, 085214 (2005)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstraße 3-5, 04103 Leipzig, Germany;
82.
2005

Rahm Andreas; Nobis Thomas; Kaidashev Evgeni M.; Lorenz Michael; Wagner Gerald; Lenzner Jörg; Grundmann Marius

High‐pressure Pulsed Laser Deposition and Structural Characterization of Zinc Oxide Nanowires
AIP Conf. Proc. 772, 875 (2005)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
83.
2005

Nobis Thomas; Kaidashev Evgeni M.; Rahm Andreas; Lorenz Michael; Lenzner Jörg; Grundmann Marius

Optical Resonances Of Single Zinc Oxide Microcrystals
AIP Conf. Proc. 772, 849 (2005)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D‐04103 Germany;
84.
2005

Schmidt H.; Diaconu M.; Guzman E.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Benndorf G.; Setzer A.; Esquinazi P.; v. Wenckstern H.; Spemann D.; Pöppl A.; Böttcher R.; Grundmann M.

N‐conducting, ferromagnetic Mn‐doped ZnO thin films on sapphire substrates
AIP Conf. Proc. 772, 351 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany;
85.
2005

Schmidt-Grund R.; Fritsch D.; Schubert M.; Rheinländer B.; Schmidt H.; Hochmut H.; Lorenz M.; Spemann D.; Herzinger C. M.; Grundmann M.

Band‐to‐band transitions and optical properties of Mg;xZn1-;xO (0 ⩽ ;x ⩽ 1) films
AIP Conf. Proc. 772, 201 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany;
86.
2005

Wenckstern H. v.; Weinhold S.; Biehne G.; Pickenhain R.; Kaidashev E. M.; Lorenz M.; Grundmann M.

Static and transient capacitance spectroscopy on ZnO
AIP Conf. Proc. 772, 197 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
87.
2005

Wenckstern H. v.; Heitsch S.; Benndorf G.; Spemann D.; Kaidashev E. M.; Lorenz M.; Grundmann M.

Incorporation and electrical activity of group V acceptors in ZnO thin films
AIP Conf. Proc. 772, 183 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
88.
2005

Bundesmann C.; Schubert M.; Ashkenov N.; Grundmann M.; Lippold G.; Piltz J.

Combined Raman scattering, X‐ray fluorescence and ellipsometry ;in‐situ; growth monitoring of CuInSe2‐based photoabsorber layers on polyimide substrates
AIP Conf. Proc. 772, 165 (2005)
Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D‐04103 Leipzig, Germany;
89.
2005

Wenckstern Holger v.; Pickenhain Rainer; Weinhold Swen; Ziese Michael; Esquinazi Pablo; Grundmann Marius

Electrical properties of Ni/GaAs and Au/GaAs Schottky contacts in high magnetic fields
AIP Conf. Proc. 772, 1333 (2005)
Abteilung Halbleiterphysik, Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
90.
2005

Lorenz M.; Kaidashev E. M.; Rahm A.; Nobis Th.; Lenzner J.; Wagner G.; Spemann D.; Hochmuth H.; Grundmann M.

MgxZn1-x;O(0⩽x<0.2); nanowire arrays on sapphire grown by high-pressure pulsed-laser deposition
Appl. Phys. Lett. 86, 143113 (2005)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany;
91.
2005

Mbenkum B. N.; Ashkenov N.; Schubert M.; Lorenz M.; Hochmuth H.; Michel D.; Grundmann M.; Wagner G.

Temperature-dependent dielectric and electro-optic properties of a ZnO-BaTiO3-ZnO heterostructure grown by pulsed-laser deposition
Appl. Phys. Lett. 86, 091904 (2005)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, D-04103 Leipzig, Germany;
92.
2004

Nobis Thomas; Kaidashev Evgeni M.; Rahm Andreas; Lorenz Michael; Grundmann Marius

Whispering Gallery Modes in Nanosized Dielectric Resonators with Hexagonal Cross Section
Phys. Rev. Lett. 93, 103903 (2004)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany;
93.
2004

Bundesmann C.; Schubert M.; Rahm A.; Spemann D.; Hochmuth H.; Lorenz M.; Grundmann M.

Infrared dielectric function and phonon modes of Mg-rich cubic MgxZn1-x;O (x⩾0.67); thin films on sapphire (0001)
Appl. Phys. Lett. 85, 905 (2004)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany;
94.
2004

Fritsch Daniel; Schmidt Heidemarie; Grundmann Marius

Band dispersion relations of zinc-blende and wurtzite InN
Phys. Rev. B 69, 165204 (2004)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 3-5, 04103 Leipzig, Germany;
95.
2004

von Wenckstern H.; Kaidashev E. M.; Lorenz M.; Hochmuth H.; Biehne G.; Lenzner J.; Gottschalch V.; Pickenhain R.; Grundmann M.

Lateral homogeneity of Schottky contacts on n-type ZnO
Appl. Phys. Lett. 84, 79 (2004)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Germany;
96.
2003

Grundmann Marius

Nanoscroll formation from strained layer heterostructures
Appl. Phys. Lett. 83, 2444 (2003)
Institut für Experimentelle Physik II, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, D-04103 Leipzig, Germany;
97.
2003

Bundesmann C.; Ashkenov N.; Schubert M.; Spemann D.; Butz T.; Kaidashev E. M.; Lorenz M.; Grundmann M.

Raman scattering in ZnO thin films doped with Fe, Sb, Al, Ga, and Li
Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany;
98.
2003

Fritsch Daniel; Schmidt Heidemarie; Grundmann Marius

Band-structure pseudopotential calculation of zinc-blende and wurtzite AlN, GaN, and InN
Phys. Rev. B 67, 235205 (2003)
Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3-5, 04103 Leipzig, Germany;
99.
2003

Kaidashev E. M.; Lorenz M.; von Wenckstern H.; Rahm A.; Semmelhack H.-C.; Han K.-H.; Benndorf G.; Bundesmann C.; Hochmuth H.; Grundmann M.

High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition
Appl. Phys. Lett. 82, 3901 (2003)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, D-04103 Leipzig, Germany;
100.
2003

Schmidt R.; Rheinländer B.; Schubert M.; Spemann D.; Butz T.; Lenzner J.; Kaidashev E. M.; Lorenz M.; Rahm A.; Semmelhack H. C.; Grundmann M.

Dielectric functions (1 to 5 eV) of wurtzite MgxZn1-x;O (x⩽0.29); thin films
Appl. Phys. Lett. 82, 2260 (2003)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig, Germany;
101.
2003

Ashkenov N.; Mbenkum B. N.; Bundesmann C.; Arwin H.; Darakchieva V.; Neumann H.; Wagner G.; Grundmann M.; Schubert M.; Kasic A.; Kaidashev E. M.; Spemann D.; Lorenz M.; Riede V.; Monemar B.

Infrared dielectric functions and phonon modes of high-quality ZnO films
J. Appl. Phys. 93, 126 (2003)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstrasse 5, 04103 Leipzig, Germany;
102.
2002

Bundesmann C.; Schubert M.; Spemann D.; Butz T.; Lorenz M.; Kaidashev E. M.; Grundmann M.; Ashkenov N.; Neumann H.; Wagner G.

Infrared dielectric functions and phonon modes of wurtzite MgxZn1-x;O (x⩽0.2);
Appl. Phys. Lett. 81, 2376 (2002)
Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig, Germany;
103.
2002

Grundmann M.; Heitz R.; Bimberg D.

Comment on “Problems in recent analysis of injected carrier dynamics in semiconductor quantum dots” [Appl. Phys. Lett. ;79, 3912 (2001)]
Appl. Phys. Lett. 81, 565 (2002)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
104.
2001

Goede K.; Weber A.; Guffarth F.; Kapteyn C. M. A.; Heinrichsdorff F.; Heitz R.; Bimberg D.; Grundmann M.

Calorimetric investigation of intersublevel transitions in charged quantum dots
Phys. Rev. B 64, 245317 (2001)
Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 5, D-04103 Leipzig, Germany;
105.
2001

Asryan L. V.; Suris R. A.; Stier O.; Ledentsov N. N.; Grundmann M.; Bimberg D.

Maximum modal gain of a self-assembled InAs/GaAs quantum-dot laser
J. Appl. Phys. 90, 1666 (2001)
State University of New York at Stony Brook, Stony Brook, New York 11794-2350,;
106.
2001

Bimberg D.; Grundmann M.; Heinrichsdorff F.; Ledentsov N. N.; Ribbat Ch.; Sellin R.; Alferov Zh. I.; Kop'ev P. S.; Maximov M. V.; Ustinov V. M.; Zhukov A. E.; Lott J. A.

Quantum dot lasers: Theory and experiment
AIP Conf. Proc. 560, 178 (2001)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
107.
2001

Sellin R. L.; Ribbat Ch.; Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Bimberg D.

Close-to-ideal device characteristics of high-power InGaAs/GaAs quantum dot lasers
Appl. Phys. Lett. 78, 1207 (2001)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, D-10623 Berlin, Germany;
108.
2000

Grundmann Marius

Feasibility of 5 Gbit/s wavelength division multiplexing using quantum dot lasers
Appl. Phys. Lett. 77, 4265 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany;
109.
2000

Heitz R.; Madhukar A.; Grundmann M.; Mukhametzhanov I.; Guffarth F.; Bimberg D.

Many-body effects on the optical spectra of InAs/GaAs quantum dots
Phys. Rev. B 62, 16881 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin, Germany;
110.
2000

Grundmann Marius

How a quantum-dot laser turns on
Appl. Phys. Lett. 77, 1428 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany;
111.
2000

Grundmann M.; Weber A.; Goede K.; Ustinov V. M.; Zhukov A. E.; Ledentsov N. N.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Midinfrared emission from near-infrared quantum-dot lasers
Appl. Phys. Lett. 77, 4 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D-10623 Berlin, Germany;
112.
2000

Grundmann Marius; Heinrichsdorff Frank; Ledentsov Nikolai N.; Ribbat Christian; Bimberg Dieter; Zhukov Alexei E.; Kovsh Alexei R.; Maximov Mikhail V.; Shernyakov Yuri M.; Lifshits Daniel A.; Ustinov Victor M.; Alferov Zhores I.

Progress in Quantum Dot Lasers: 1100 nm, 1300 nm, and High Power Applications
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2341 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany;
113.
2000

Martinet E.; Grundmann M.; Stier O.; Kapon E.; Biasiol G.; Reinhardt F.; Dupertuis M.-A.; Bimberg D.

Separation of strain and quantum-confinement effects in the optical spectra of quantum wires
Phys. Rev. B 61, 4488 (2000)
Department of Physics, Swiss Federal Institute of Technology Lausanne, CH-1015 Lausanne EPFL, Switzerland
114.
2000

Heinrichsdorff F.; Ribbat Ch.; Grundmann M.; Bimberg D.

High-power quantum-dot lasers at 1100 nm
Appl. Phys. Lett. 76, 556 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, D-10623 Berlin, Germany;
115.
2000

Grundmann M.; Stier O.; Schliwa A.; Bimberg D.

Electronic structure of cleaved-edge-overgrowth strain-induced quantum wires
Phys. Rev. B 61, 1744 (2000)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D-10623 Berlin, Germany;
116.
1999

Kapteyn C. M. A.; Heinrichsdorff F.; Stier O.; Heitz R.; Grundmann M.; Zakharov N. D.; Bimberg D.; Werner P.

Electron escape from InAs quantum dots
Phys. Rev. B 60, 14265 (1999)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D-10623 Berlin, Germany;
117.
1999

Stier O.; Grundmann M.; Bimberg D.

Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k∙p theory
Phys. Rev. B 59, 5688 (1999)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, PN 5-2, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin, Germany;
118.
1998

Grundmann M.; Stier O.; Bimberg D.

Electronic states in strained cleaved-edge-overgrowth quantum wires and quantum dots
Phys. Rev. B 58, 10557 (1998)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D-10623 Berlin, Germany;
119.
1998

Hatami F.; Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Heinrichsdorff F.; Heitz R.; Böhrer J.; Bimberg D.; Ruvimov S. S.; Ustinov V. M.; Werner P.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Erratum: Carrier dynamics in type-II GaSb/GaAs quantum dots [Phys. Rev. B ;57, 4635 (1998)]
Phys. Rev. B 58, 10064 (1998)
120.
1998

Rockenberger Jörg; Tröger Larc; Rogach Andrey L.; Tischer Markus; Grundmann Marius; Eychmüller Alexander; Weller Horst

The contribution of particle core and surface to strain, disorder and vibrations in thiolcapped CdTe nanocrystals
J. Chem. Phys. 108, 7807 (1998)
Universität Hamburg, Institut für Physikalische Chemie, Bundesstr. 45, D-20146 Hamburg, Germany;
121.
1998

Heitz R.; Kalburge A.; Xie Q.; Grundmann M.; Chen P.; Hoffmann A.; Madhukar A.; Bimberg D.

Excited states and energy relaxation in stacked InAs/GaAs quantum dots
Phys. Rev. B 57, 9050 (1998)
Photonic Materials and Devices Laboratory, University of Southern California, Los Angeles, California 90089-0241;
122.
1998

Hatami F.; Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Heinrichsdorff F.; Heitz R.; Böhrer J.; Bimberg D.; Ruvimov S. S.; Werner P.; Ustinov V. M.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Carrier dynamics in type-II GaSb/GaAs quantum dots
Phys. Rev. B 57, 4635 (1998)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, D-10623 Berlin, Germany;
123.
1997

Grundmann Marius; Bimberg Dieter

Gain and Threshold of Quantum Dot Lasers: Theory and Comparison to Experiments
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4181 (1997)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin, Germany;
124.
1997

Heinrichsdorff Frank; Krost Alois; Kirstaedter Nils; Mao Ming-Hua; Grundmann Marius; Bimberg Dieter; Kosogov Alexander Olegovich; Werner Peter

InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4129 (1997)
Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany;
125.
1997

Darhuber Anton A.; Holy Vaclav; Stangl Julian; Bauer Günther; Krost Alois; Grundmann Marius; Bimberg Dieter; Ustinov V. M.; Kop'ev P. S.; Kosogov A. O.; Werner P.

High Resolution X-Ray Diffraction and Reflectivity Studies of Vertical and Lateral Ordering in Multiple Self-Organized InGaAs Quantum Dots
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4084 (1997)
Institut für Halbleiterphysik, Universität Linz, A-4040 Linz, Austria;
126.
1997

Grundmann M.; Bimberg D.

Theory of random population for quantum dots
Phys. Rev. B 55, 9740 (1997)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraβe 36, D-10623 Berlin, Germany;
127.
1997

Türck V.; Stier O.; Heinrichsdorff F.; Grundmann M.; Bimberg D.

Quantum wires in staggered-band-line-up single heterostructures with corrugated interfaces
Phys. Rev. B 55, 7733 (1997)
Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraβe 36, D-10623 Berlin, Germany;
128.
1997

Darhuber A. A.; Holy V.; Stangl J.; Bauer G.; Krost A.; Heinrichsdorff F.; Grundmann M.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Kop'ev P. S.; Kosogov A. O.; Werner P.

Lateral and vertical ordering in multilayered self-organized InGaAs quantum dots studied by high resolution x-ray diffraction
Appl. Phys. Lett. 70, 955 (1997)
Institut für Halbleiterphysik, Johannes Kepler Universität, A-4040 Linz, Austria;
129.
1997

Grundmann M.; Bimberg D.

Formation of quantum dots in twofold cleaved edge overgrowth
Phys. Rev. B 55, 4054 (1997)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstra;β;e 36, D-10623 Berlin, Germany
130.
1996

Lowisch M.; Rabe M.; Stegemann B.; Henneberger F.; Grundmann M.; Türck V.; Bimberg D.

Zero‐dimensional excitons in (Zn,Cd)Se quantum structures
Phys. Rev. B 54, R11074 (1996)
Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstra\Se 110, 10115 Berlin, Germany;
131.
1996

Ledentsov N. N.; Shchukin V. A.; Gösele U.; Werner P.; Ruvimov S. S.; Kosogov A. O.; Borovkov A. I.; Alferov Zh. I.; Gordeev N. Yu.; Zaitsev S. V.; Kop'ev P. S.; Zhukov A. E.; Egorov A. Yu.; Ustinov V. M.; Bimberg D.; Schmidt O.; Böhrer J.; Kirstaedter N.; Grundmann M.; Heydenreich J.

Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski‐Krastanow growth
Phys. Rev. B 54, 8743 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
132.
1996

Yang X.; Bonanni A.; Vanzetti L.; Raisanen A. D.; Brillson L. J.; Franciosi A.; Grundmann M.; Bimberg D.

Evolution of deep levels and internal photoemission with annealing temperature at ZnSe/GaAs interfaces
J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2961 (1996)
Xerox Wilson Center for Research and Technology, 114‐41D, Webster, New York 14580;
133.
1996

Kappelt M.; Grundmann M.; Krost A.; Türck V.; Bimberg D.

InGaAs quantum wires grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition on InP V‐grooves
Appl. Phys. Lett. 68, 3596 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr 36, D‐10623 Berlin, Germany;
134.
1996

Heinrichsdorff F.; Krost A.; Grundmann M.; Bimberg D.; Kosogov A.; Werner P.

Self‐organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
Appl. Phys. Lett. 68, 3284 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
135.
1996

Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Stier O.; Böhrer J.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Nature of optical transitions in self‐organized InAs/GaAs quantum dots
Phys. Rev. B 53, R10509 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
136.
1996

Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Stier O.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Excited states in self‐organized InAs/GaAs quantum dots; Theory and experiment
Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
137.
1996

Heitz R.; Grundmann M.; Ledentsov N. N.; Eckey L.; Veit M.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Egorov A. Yu.; Zhukov A. E.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Multiphonon‐relaxation processes in self‐organized InAs/GaAs quantum dots
Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin, Germany;
138.
1995

Ledentsov N. N.; Böhrer J.; Beer M.; Heinrichsdorff F.; Grundmann M.; Bimberg D.; Ivanov S. V.; Meltser B. Ya.; Shaposhnikov S. V.; Yassievich I. N.; Faleev N. N.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Radiative states in type‐II GaSb/GaAs quantum wells
Phys. Rev. B 52, 14058 (1995)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
139.
1995

Grundmann M.; Stier O.; Bimberg D.

InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure
Phys. Rev. B 52, 11969 (1995)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
140.
1995

Türck V.; Stier O.; Heinrichsdorff F.; Grundmann M.; Bimberg D.

Electron quantum wires in type II single heterostructures on nonplanar substrates
Appl. Phys. Lett. 67, 1712 (1995)
Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
141.
1995

Hatami F.; Ledentsov N. N.; Grundmann M.; Böhrer J.; Heinrichsdorff F.; Beer M.; Bimberg D.; Ruvimov S. S.; Werner P.; Gösele U.; Heydenreich J.; Richter U.; Ivanov S. V.; Meltser B. Ya.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Radiative recombination in type‐II GaSb/GaAs quantum dots
Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995)
Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardensbergstr. 36, D‐10623 Berlin, Germany;
142.
1995

Cirlin G. E.; Guryanov G. M.; Golubok A. O.; Tipissev S. Ya.; Ledentsov N. N.; Kop'ev P. S.; Grundmann M.; Bimberg D.

Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface
Appl. Phys. Lett. 67, 97 (1995)
Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, Rizhsky 26, 198103 Saint Petersburg, Russia
143.
1995

Grundmann M.; Kop'ev P. S.; Zhukov A. E.; Egorov A. Yu.; Ustinov V. M.; Heydenreich J.; Gösele U.; Richter U.; Werner P.; Ruvimov S. S.; Bimberg D.; Böhrer J.; Ledentsov N. N.; Christen J.; Alferov Zh. I.

Ultranarrow Luminescence Lines from Single Quantum Dots
Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
144.
1995

Ruvimov S.; Werner P.; Scheerschmidt K.; Gösele U.; Heydenreich J.; Richter U.; Ledentsov N. N.; Grundmann M.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Egorov A. Yu.; Kop'ev P. S.; Alferov Zh. I.

Structural characterization of (In,Ga)As quantum dots in a GaAs matrix
Phys. Rev. B 51, 14766 (1995)
Max‐Planck‐Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle/Saale, Germany;
145.
1994

Grundmann M.; Stier O.; Bimberg D.

Symmetry breaking in pseudomorphic V‐groove quantum wires
Phys. Rev. B 50, 14187 (1994)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐10623 Berlin, Germany;
146.
1993

Schnabel R. F.; Krost A.; Grundmann M.; Heinrichsdorff F.; Bimberg D.; Pilatzek M.; Harde P.

Epitaxy of high resistivity InP on Si
Appl. Phys. Lett. 63, 3607 (1993)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
147.
1992

Christen J.; Grundmann M.; Kapon E.; Colas E.; Hwang D. M.; Bimberg D.

Ultrafast carrier capture and long recombination lifetimes in GaAs quantum wires grown on nonplanar substrates
Appl. Phys. Lett. 61, 67 (1992)
Bellcore, Red Bank, New Jersey 07701
148.
1992

Grundmann M.; Krost A.; Bimberg D.; Cerva H.

InGaAs/InP quantum wells on vicinal Si(001): Structural and optical properties
J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1840 (1992)
Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
149.
1992

Grundmann M.; Krost A.; Bimberg D.; Ehrmann O.; Cerva H.

Maskless growth of InP stripes on patterned Si (001): Defect reduction and improvement of optical properties
Appl. Phys. Lett. 60, 3292 (1992)
Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
150.
1992

Böttcher E. H.; Kirstaedter N.; Grundmann M.; Bimberg D.; Zimmermann R.; Harder C.; Meier H. P.

Nonspectroscopic approach to the determination of the chemical potential and band‐gap renormalization in quantum wells
Phys. Rev. B 45, 8535 (1992)
Institut für Festkörperphysik I der Technischen Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, W‐1000 Berlin 12, Germany;
151.
1992

Streubel K.; Härle V.; Scholz F.; Bode M.; Grundmann M.

Interfacial properties of very thin GaInAs/InP quantum well structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
J. Appl. Phys. 71, 3300 (1992)
Universität Stuttgart, 4. Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, D‐7000 Stuttgart 80, Germany;
152.
1991

Christen J.; Grundmann M.; Bimberg D.

Scanning cathodoluminescence microscopy: A unique approach to atomic‐scale characterization of heterointerfaces and imaging of semiconductor inhomogeneities
J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2358 (1991)
Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
153.
1991

Grundmann M.; Krost A.; Bimberg D.

Observation of the first‐order phase transition from single to double stepped Si (001) in metalorganic chemical vapor deposition of InP on Si
J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2158 (1991)
Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I, Hardenbergstr. 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
154.
1991

Grundmann M.; Christen J.; Bimberg D.; Hashimoto A.; Fukunaga T.; Watanabe N.

Direct imaging of Si incorporation in GaAs masklessly grown on patterned Si substrates
Appl. Phys. Lett. 58, 2090 (1991)
Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
155.
1991

Bimberg D.; Grundmann M.; Christen J.

Characterization of stained heterostructures by cathodoluminescence
AIP Conf. Proc. 227, 68 (1991)
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 1000 Berlin 12, Germany;
156.
1991

Grundmann M.; Krost A.; Bimberg D.

Low‐temperature metalorganic chemical vapor deposition of InP on Si(001)
Appl. Phys. Lett. 58, 284 (1991)
Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;
157.
1990

Grundmann M.; Lienert U.; Bimberg D.; Fischer-Colbrie A.; Miller J. N.

Erratum: Anisotropic and inhomogeneous strain relaxation in pseudomorphic In0.23Ga0.77As/GaAs quantum wells [Appl. Phys. Lett. ;55, 1765 (1989)]
Appl. Phys. Lett. 57, 2034 (1990)
Technische Universität Berlin, Institut f ür Festkörperphysik I, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany;
158.
1990

Tran Thoai D. B.; Zimmermann R.; Grundmann M.; Bimberg D.

Image charges in semiconductor quantum wells: Effect on exciton binding energy
Phys. Rev. B 42, 5906 (1990)
Fritz‐Haber‐Institut der Max‐Planck‐Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften, Faradayweg 4‐6, D‐1000 Berlin 33, Federal Republic of Germany;
159.
1990

Grundmann M.; Lienert U.; Christen J.; Bimberg D.; Fischer-Colbrie A.; Miller J. N.

Dependence of structural and optical properties of In0.23Ga0.77As/GaAs quantum wells on misfit dislocations: Different critical thickness for dislocation generation and degradation of optical properties
J. Vac. Sci. Technol. B 8, 751 (1990)
Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany;
160.
1990

Grundmann M.; Bimberg D.; Fischer-Colbrie A.; Miller J. N.

Recombination dynamics in pseudomorphic and partially relaxed In0.23Ga0.77As/GaAs quantum wells
Phys. Rev. B 41, 10120 (1990)
Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany;
161.
1989

Grundmann M.; Lienert U.; Bimberg D.; Fischer-Colbrie A.; Miller J. N.

Anisotropic and inhomogeneous strain relaxation in pseudomorphic In0.23Ga0.77As/GaAs quantum wells
Appl. Phys. Lett. 55, 1765 (1989)
Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik I, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany;
162.
1989

Grundmann M.; Christen J.; Bimberg D.; Fischer-Colbrie A.; Hull R.

Misfit dislocations in pseudomorphic In0.23Ga0.77As/GaAs quantum wells: Influence on lifetime and diffusion of excess excitons
J. Appl. Phys. 66, 2214 (1989)
Technische Universität Berlin, Institut f ür Festkörperphysik, Hardenbergstrasse 36, 1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany;
163.
1988

Grundmann M.; Bimberg D.

Anisotropy effects on excitonic properties in realistic quantum wells
Phys. Rev. B 38, 13486 (1988)
Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, D‐1000 Berlin 12, Germany;

Co-authors

Co-publications
71

Lorenz, Michael
56

Bimberg, Dieter
37

Hochmuth, Holger
27

Schmidt, Heidemarie
20

von Wenckstern, Holger
19

Spemann, Daniel
18

Schmidt-Grund, Rüdiger
16

Ledentsov, Nikolai N.
16

Benndorf, Gabriele
15

Schubert, Mathias
15

Kop'ev, PS
15

Heinrichsdorff, F
14

Kaidashev, Evgeni M.
14

Lenzner, Jörg
13

Alferov, Zh. I.